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1、三極管及場效應管原理講解大綱:一三極管與場效應管的簡介二三極管與場效應管的工作原理三三極管與場效應管的區別四三極管與場效應管的實際應用一三極管與場效應管的簡介1.三機管的簡介半導体三極管又稱晶体三極管,簡稱晶體管.它是由三塊半導体組成,構成兩個PN結,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,如下圖所示:CCBBEEB為基極,C為集電極,E為發射極半導体三極管TRANSISTORTest#Description1hFEForward-currenttransferratio2VBEBaseemittervoltage(seeal
2、soAppendixF)3IEBOEmittertobasecutoffcurrent4VCESATSaturationvoltage5ICBOCollectortobasecutoffcurrent6ICEOCollectortoemitercutoffcurrentICER,withbasetoemiterloadICEX,reversebias,orICESshort(seealsoAppendixF)7BVCEOBreakdownvoltage,collectortoemitter,BVCERwithbasetoemiterload,BV
3、CEXreversebias,orBVCESshort(seealsoAppendixF)8BVCBOBreakdownvoltage,collectortobase9BVEBOBreakdownvoltage,emittertobase10VBESATBaseemittersaturationvoltage2.場效應管簡介場效應管又稱金属-氧化物-半導体場效應管,也就是我們通常所說MOS(MetalOxideSemiconductor)管.場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導体場效應管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高.場效應管
4、分為:結型場效應管(JFET)和絕緣栅型場效應管(IGFET)兩大類.結型場效應管JEFTTest#Description1VGSOFFGatetosourcecutoffvoltage.2lDssZerogatevoltagedraincurrent.3BVDGODraintogatebreakdownvoltage.4IGSSGatereversecurrent.5IDGODraintogateleakage.6IDOFFDraincut-offcurrent.7BVGSSGatetosourcebreakdownvoltage.8VDSON
5、Draintosourceon-statevoltage.結型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下dd結型場效應管有三極:珊極gg源極N型sP型s漏極結型場效應管有兩個PN結,在栅源極上加一定電壓,在場效應管內部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏極電流的控制.結型場效應管的主要參數1.夾斷電壓UDS(off),當UDS等于某一個定值(10v),使Id等于某一個微小電流(如50uA)時,栅源極間所加的UGS即為夾斷電壓.UDS(off)一般為1~10V.2.飽和漏極
6、電流IDS:當UGS=0時,場效應管發生預夾斷時的漏極電流.3.直流輸入電阻RGS.4.低頻跨導GM5.漏源擊穿電壓U(BR)DS6.栅源擊穿電壓U(BR)GS7.最大耗散功率PDM絕緣栅型場效應管是由金屬氧化物和半導体組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS管,其工作原理類似於結型場效應管絕緣栅場效應管MOSFETTest#Description1VGSTHThresholdvoltag2IDssZerogatevoltagedraincurrent.lDSxwithgatetoSourcereversebias.3BVDssDraintoSour
7、cebreakdownvoltage.4VDSONDraintoSourceon-statevoltage.5IGSSFGatetoSourceleakagecurrentforward.6IGSSRGatetoSourceleakagecurrentreverse.7VFDiodeforwardvoltage.8VGSFGatetoSourcevoltage(forward)requiredforspecifiedInatspecifiedVos.(seeSISQAppendixF)9VGSRGatetoSourcevoltage(revers
8、e)requiredforspecifiedIDatspecifiedVDS.(seealsoAppendixF)10VDSONOn-s
