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时间:2018-12-08
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1、为了确保“教学点数字教育资源全覆盖”项目设备正常使用,我校做到安装、教师培训同步进行。设备安装到位后,中心校组织各学点管理人员统一到县教师进修学校进行培训,熟悉系统的使用和维护。磁流变抛光技术在SiC晶片加工工艺中的应用研究 摘要:碳化硅作为新兴的一种第三代半导体材料,现已在电力电子行业得到非常广泛的应用。碳化硅应用技术的发展趋势必然会对晶片表面状况有着越来越高的要求,而这将是目前亟待解决的问题。本文简单介绍机械抛光、机械化学抛光、重点分析磁流变抛光技术原理,并通过大量试验得到碳化硅晶片通过磁流变抛光技术无论是晶片表面状
2、况还是工作效率均有了很大的提高,这对该技术应用到实际生产中有很好的指导和参考意义。 Abstract:Asoneofthethirdgenerationsemiconductormaterials,siliconcarbidehasbeenwidelyusedinthepowerelectronicsindustry.Thedevelopmenttrendofsiliconcarbideapplicationtechnologyisboundtohavehigherandhigherrequirementsonthewa
3、fersurfacecondition,whichwillbeanurgentproblemtobesolved.Thispaperintroducesthemechanicalpolishing,chemicalmechanicalpolishing,focusesontheanalysisofprincipleofmagnetorheologicalpolishingtechnology,andthroughalotofexperimentsobtainedbysiliconcarbidewafermagnetorhe
4、ologicalpolishingtechnology为了充分发挥“教学点数字教育资源全覆盖”项目设备的作用,我们不仅把资源运用于课堂教学,还利用系统的特色栏目开展课外活动,对学生进行安全教育、健康教育、反邪教教育等丰富学生的课余文化生活。为了确保“教学点数字教育资源全覆盖”项目设备正常使用,我校做到安装、教师培训同步进行。设备安装到位后,中心校组织各学点管理人员统一到县教师进修学校进行培训,熟悉系统的使用和维护。regardlessofwafersurfaceconditionsortheworkingefficienc
5、yhasbeengreatlyimproved,itshouldbeusedintheactualproductionhasagoodguideandreferenceforthetechnology. �P键词:碳化硅;晶片表面;磁流变抛光 Keywords:SiC;wafersurface;magnetorheologicalfinishing 中图分类号:O786文献标识码:A文章编号:1006--0222-02 0引言 碳化硅半导体材料作为继第一代和第二代半导体材料后快速发展起来的第三代宽带隙半导体核心材
6、料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、击穿电场强度高、相对介电常数低、抗辐射能力强等特点。碳化硅单晶材料属典型的硬脆材料,化学稳定性好,常温下几乎不与其他物质反应,因此较难获得高精度无损伤的晶片表面。但是高性能的碳化硅电子器件必须要求碳化硅原始晶片表面粗糙度在纳米级别、平面度好、表面不能存在明显缺陷;否则会导致使晶体的结晶构造发生变化,进而对器件的电学性能造成很大的影响。因此,碳化硅单晶材料的加工工艺技术直接制约着碳化器件的发展,而如何获得高质量的SIC晶片表面也成为目前急于解决的问题。为了充分发挥“教学点数字
7、教育资源全覆盖”项目设备的作用,我们不仅把资源运用于课堂教学,还利用系统的特色栏目开展课外活动,对学生进行安全教育、健康教育、反邪教教育等丰富学生的课余文化生活。为了确保“教学点数字教育资源全覆盖”项目设备正常使用,我校做到安装、教师培训同步进行。设备安装到位后,中心校组织各学点管理人员统一到县教师进修学校进行培训,熟悉系统的使用和维护。 1常见的抛光技术简单介绍 目前常见的碳化硅单晶材料表面处理方法主要分为机械抛光和化学机械抛光,而磁流变抛光现阶段还很少应用到碳化硅单晶材料表面处理。下面就几种处理方法做简单介绍:
8、机械抛光主要是指在抛光盘上粘贴较软的抛光垫材料,晶片在一定的压力下使得抛光液和晶片相互接触磨切,通过机械作用将磨损层去除。械抛抛光效率较高、一致性好、表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。 化学机械抛光是将抛光液的化学作用和磨粒与抛光盘之间的机械作用相结合,通过研磨液以及机械研磨的作用使得反应物从晶
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