测量者在处理误差时,可以减小或消除系统误差、修正系统误

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1、1．测量者在处理误差时，可以减小或消除系统误差、修正系统误差、剔除粗大误差。2．传感器静态特性指标有线性度、灵敏度、分辨率、迟滞、重复性和漂移。3．电容式传感器测量电路调频测量电路、运算放大器电路、脉冲宽度调制电路。4．石英晶体在沿机械轴y方向的力作用下会产生横向压电效应。5．已知某传感器属于一阶环节，现用于测量100Hz的正弦信号，如幅值误差限制在±5%范围内，时间常数应不大于0.523ms。6．传感器按照工作原理进行划分可分为：电阻式传感器、电感式传感器、电容式传感器、压电式传感器、磁敏式传感器、热电式传感器、光电式传感器。7．一阶传感器输出达到稳态值的90%所需的时间是

2、上升时间。8．非线性度是测量装置的输出和输入是否保持理想比例关系的一种度量。9．在整个测量过程中，如果影响和决定误差大小的全部因素（条件）始终保持不变，对同一被测量进行多次重复测量，这样的测量称为等精度测量。10．为减小或消除直流电桥测量结果非线性误差的方法可采用提高桥臂比、采用差动电桥。11．金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化。12．电感式传感器的常用测量电路有交流电桥、变压器式交流电桥、谐振式测量电路。13．直流电桥的平衡条件为相对桥臂阻值乘积相等。14．电感式传感器采用变压器式交流电桥测量电路时，衔铁上、下移动时，输出电压随衔铁的位移而变化，当衔铁位于

3、中间位置时，电桥处于平衡状态。15．关于压电式传感器中压电元件的连接，与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变。16．随着人们对各项产品技术含量的要求的不断提高，传感器也朝向智能化方面发展，其中，典型的传感器智能化结构模式是传感器＋微处理器。17．传感器的基本组成为敏感元件和转换元件，分别完成检测和转换的功能。18．差动技术可以提高灵敏度和减少非线性误差。19．相敏检波电路可以判断位移的大小，也可以判断位移的方向。20．传感器的发展朝着智能化、网络化、微型化等方向发展。21．分辨率是指传感器能够感知或检测到的最小输入信号增量。22．如将变面积型电容式传感

4、器接成差动形式，则其灵敏度将增大一倍。23．当变隙式电容传感器的两极板极间的初始距离d0增加时，将引起传感器的非线性误差减小。24．传感技术与信息学科紧密相关，是自动检测和自动转换技术的总称。25．传感器一般由敏感元件、转换元件和基本转换电路等三部分组成。26．灵敏度是传感器在稳态下输出量变化对输入量变化的比值。27．应变电阻式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器。28．阶跃响应特性是指在输入为阶跃函数时，传感器的输出随时间的变化特性。常用响应曲线的上升时间、响应时间、超调量等参数作为评定指标。29．电容式传感器中，变介电常数式多用于液位的测量；电容式传感器中，

5、变面积式常用于较大的位移量的测量。30．忽略边缘效应，变面积型电容式传感器输入量与输出量的关系为线性，变介质型电容式传感器输入量与输出量的关系为线性，变极距型电容式传感器输入量与输出量的关系为非线性。31．压电式传感器是以某些介质的压电效应作为工作基础的。32．将电能转变为机械能的压电效应称为逆压电效应。1．电容式传感器利用了将非电量的变化转换为电容量的变化来实现对物理量的测量。2．什么叫应变效应？利用应变效应解释金属电阻应变片的工作原理：材料的电阻变化由尺寸变化引起的，称为应变效应。应变式传感器的基本工作原理：当被测物理量作用在弹性元件上，弹性元件在力、力矩或压力等的作用下

6、发生形变，变换成相应的应变或位移，然后传递给与之相连的应变片，将引起应变敏感元件的电阻值发生变化，通过转换电路变成电量输出。输出的电量大小反映了被测物理量的大小。3．根据工作原理的不同，电感式传感器可分为自感式电感传感器和互感式电感传感器。4．差动变压器输出的是交流电压，而且存在零点残余电压，为了达到分辨位移方向和消除零点残余电压的目的，常用的电路有差动整流电路和相敏检波电路。5．比较自感式传感器与差动变压器式传感器的异同：(1)不同点：自感式传感器把被测非电量的变化转换成自感系数的变化；差动变压器式传感器把被测非电量的变化转换成互感系数的变化。(2)相同点：两者都属于电感式

7、传感器，都可以分为气隙型、截面型和螺线管型三种类型。6．电阻应变式传感器的温度误差产生的原因，并说明有哪几种补偿方法：温度误差产生原因包括两方面：温度变化引起应变片敏感栅电阻变化而产生附加应变，试件材料与敏感栅材料的线膨胀系数不同，使应变片产生附加应变。温度补偿方法，基本上分为桥路补偿和应变片自补偿两大类。7．电容式传感器的优缺点，主要应用场合以及使用中应注意的问题：①优点：a温度稳定性好；b结构简单、适应性强c动态响应好。②缺点：a可以实现非接触测量，具有平均效应b输出阻抗高、负载能力差c寄生电容影响