高端物联网应用迅速成长 激发MCU性能大攀升.doc

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1、高端物联网应用迅速成长激发MCU性能大攀升　　迅速成长的物联网、智能硬件、可穿戴式设备以及工业和汽车电子领域对微控制器（MCU）性能和功耗的要求日趋苛刻，如同智能手机处理器的性能大战一样，嵌入式处理器产品也正在经历属于自己的性能提升大战。意法半导体（ST）近日就宣布推出业界首款基于ARM最新Cortex-M7内核的STM32F7系列微控制器，其性能远超ST之前的32位STM32F4微控制器，用户通过无缝升级路径可将处理性能和DSP性能提高一倍。　　　　为高性能而生的Cortex-M7　　一直以来，ARMCortex-M架构

2、处理器都是嵌入式领域的核心产品。数据显示，截止目前，该系列的芯片出货量已经达到了80亿颗、涉及器件种类3000种以上。2013年，基于Cortex-M架构的嵌入式处理器的出货总量达到了29亿，2014年上半年的总出货量更是达到了17亿，超过175家来自全球的合作伙伴获得了Cortex-M授权。　　作为Cortex-M系列最高性能的CPU内核，Cortex-M7目标定位于诸如智能控制系统的高端嵌入式应用，包括马达控制、工业自动化、先进语音功能、图像处理、各类联网交通工具应用以及物联网相关应用。除ST外，首批获得Cortex-

3、M7处理器授权的厂商还包括Atmel与飞思卡尔（Freescale）。　　之所以推出Cortex-M7内核，ARM嵌入式市场营销副总裁RichardYork解释说，智能硬件的发展势不可挡，很多连网的智能嵌入式设备要求处理器提供更多的本地化处理功能，这对CPU的性能提出了更高要求。与此同时，更多显示、人机交互的语言识别需求也要求更高的CPU处理性能，这成为ARM设计M7内核的源动力所在。　　　　“十年前，当ARM推出第一个Cortex-M系列内核时，我们承诺将把Cortex-M系列32位MCU做到一美元，甚至更低价位的市场，

4、当时几乎所有人都觉得这是一个玩笑。但现在实际的市场需求告诉我们，这不是一个玩笑，而是一个事实。”York认为这得益于ARM与包括ST在内的合作伙伴始终保持着密切的合作关系，并且共同搭建了良好的嵌入式生态系统，从而能够为各类型的嵌入式应用设计出功能强大、更智能且更为可靠的微控制器。　　ARM给出的数据显示，相较于目前性能最高的ARM架构微控制器，Cortex-M7可提升两倍的运算及数字信号处理性能，其性能测试结果最高达5CoreMark/MHz，能够更快速地处理音频、影像数据及语音识别。而以下三点，则被RichardYork

5、视作确保M7内核实现高性能的关键所在：首先，M7内核采用分支预测的6级超标量流水线，可同时支持单精度和双精度浮点单元;其次，支持64位AXIAMBA4互联，可为高效内存操作提供I-cache与D-cache;最后，则是兼顾实时性、快速的相应能力，支持12个周期的中断延迟。　　对DSP性能方面进行大幅优化，使之比热门的DSP产品更具竞争力，是此番ARM赋予Cortex-M7内核的重要卖点之一。York说：“在最初规划Cortex-M7时，ARM就希望能在某些应用领域采用高端MCU取代DSP。为此，我们不但提供DSP的硬件部分

6、，还包括配套的DSP软件服务。同时，ARMKeil工具链可帮助实现支持Cortex-M7的编制和调试，ARM软件界面也支持底层标准算法和接口，包括DSP优化算法。”　　智能系统架构提升STM32F7处理性能　　ST微控制器市场总监DanielColonna将STM32F7称之为“ST有史以来最聪明、最智能的微控制器”，不仅因为它有Cortex-M7内核，关键之处在于同时为该内核配置了更多智能化的外设和总线。“对一颗MCU芯片来说，内核相当重要，但这不是全部。要想把内核性能发挥到极致，需要从系统架构层面做创新的设计。”　　具

7、体而言，STM32F7采用两个独立机制取得零等待执行性能，包括内部闪存采用STARTAccelerator访存加速技术，为外部存储器（或内部存储器）提供一级高速缓存;矩阵方面则使用了64位AXI和先进高性能总线矩阵（MulTI-AHB，AdvancedHigh-performanceBus），加上特别设计的双通用直接访存（DMA）控制器，可以使数据存储和指令输送实现零等待;此外，ST在存储方面做了更多的改进和提升，专门设计了灵活的大容量分布式架构SRAM以满足不同的应用需求。　　尽管STM32F7的DSP性能是STM32F

8、4系列的2倍多，但其能耗并未牺牲。新系列运行模式和低功耗模式（停止、待机和VBAT）的功耗与STM32F4保在同一水平线上：工作模式能效为7CoreMarks/mW;在低功耗模式下，当上下文和SRAM内容全都保存时，典型功耗最低120μA，典型待机功耗为1.7μA，VBAT模式典型功耗为0.1μA。