第三代宽禁带半导体材料，是我国弯道超车的机会.doc

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1、第三代宽禁带半导体材料，是我国弯道超车的机会　　近日，广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立，该创新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导，易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。　　据消息称，近日，广东省首个第三代半导体制造业创新中心“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”正式在松山湖成立。该创新中心成立后，将依托国家第三代半导体南方基地建设承担单位东莞南方半导体科技公司为平台。　　据了解，该创

2、新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导，易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。其中，易事特起到了牵头作用。　　易事特是第三代半导体南方基地的主要股东和应用企业之一。　　　　2016年9月由广东省科技厅、国家第三代半导体创新技术战略联盟、东莞市政府及相关企业共同建设的中国第三代半导体南方基地正式落户东莞。据悉，南方基地项目将带动投资600亿元，为东莞创造税收50亿元，新增劳动岗位10万个。　　易事特曾在2017年9月发布重要公告，

3、公告称：公司拟受让广东晶科电子股份有限公司、北京智芯互联半导体科技有限公司及佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心合计持有的东莞南方半导体科技有限公司11.43%股权。完成股份转让后，公司持有东莞南方半导体科技有限公司25.71%股权。　　易事特是我国电源行业领军企业，广东省现代电力电子工程技术中心建设单位。易事特曾表示开展第三代半导体产业技术发展事业，同时把控现代电力电子技术产业革命先机，率先实现公司高频电能变换技术的创新突破发展。　　中镓半导体的一大产品线就是GaN半导体衬底材料。据悉，目前已建成

4、国内首家专业的GaN衬底材料生产线，制造出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。今年2月初，中镓半导体氮化镓衬底量产技术获得重大突破，实现国内首创4英寸GaN自支撑衬底的试量产。　　天域半导体是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。据悉，早在2010年，该公司就与中国科学院半导体所合作成立了“碳化硅技术研究院”。目前，天域半导体可提供6英寸SiC晶圆，以及各种单极、双极型SiC功率器件。　　风华高科是一家专业从事新型元器件、电子材料、电子专用设备等电子

5、信息基础产品的高科技上市公司。　　第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，且具备众多的优良性能，可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。目前，美国、日本、欧洲在第三代半导体SiC、GaN、AlN等技术上拥有绝对的话语权。相比美、日，我国在第三半导体材料上的起步较晚，水平较低，但由于第三代半导体还有很大的发展空间，各国都处于发力阶段，因此被视作一次弯道超车的机会。　　北京、广东相继建立北京第三代半导体材料及应用联合创新基地与第三

6、代半导体南方基地。江苏、浙江、厦门、江西等地也逐步开始成为国内具有较为完整产业链的第三代半导体产业特色集聚区。