有联电的技术支持，晋华存储DRAM能在激烈的市场竞争中杀出重围吗？.doc

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1、有联电的技术支持，晋华存储DRAM能在激烈的市场竞争中杀出重围吗？　　在2016年7月16日，投资370亿元人民币、月产6万片12吋内存晶圆、年产值达12亿美元的晋华存储器集成电路生产线一期项目开工仪式。下面就随小编一起来了解一下相关内容吧。　　　　据资料显示，晋华存储器集成电路生产项目由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，总规划面积594亩，预计于2018年9月达产。作为国家重点支持的DRAM存储器生产项目，晋华项目已纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划重大项目清单，并获得首笔30

2、亿元国家专项建设基金支持。　　此项目堪称晋江所有重点在建项目中的“巨无霸”，而这背后所采用的技术则是台湾地区第二大代工厂联电（UMC）的。在莫大康的《晋华存储器项目异军突起》一文中，笔者了解到几大细节：　　1，联电接受晋华委托开发DRAM相关制程技术，技术主要应用在利基型DRAM的生产（开初是32纳米制程，之后技术逐步升级）由晋华提供设备与资金，并支付联电技术报酬金做为开发费用，而最终开发成果由双方共同拥有。　　2，联电已经在南科厂组建超过100人的团队，投入DRAM相关制程，设立小型生产线进行试产。整

3、个专案由前瑞晶总经理、现任联电副总经理陈正坤所领军。　　3，第一期月产12英寸60，000片，投资370亿元，于2018年9月达产，预计年销售额12亿美元。而项目的二期工程将在五年内扩产至月产120，000片规模。　　由于DRAM，包括利基型DRAM的设计相对并不复杂，只要购买先进制程设备，实现量产应该不是什么问题。　　头顶台湾第二大代工厂的联电能否担此重任？联电有什么？　　联电是台湾第一家半导体制造企业，于1980年成立，老对手台积电却比联电迟了7年于1987年在台湾成立，联电也是台湾第一家上市的半导

4、体公司（1985年）。早成立七年的联电却并没有台积电的成就，台积电用采取半导体代工模式迅速超过联电。　　　　1995年联电也转变成为半导体代工模式与台积电全面竞争，不过已经无法改变战局，双方的差距越拉越远。2004年台积电营收2559亿元新台币，占全球半导体代工市场的份额46%;联电营收1173亿元新台币，占全球半导体代工市场的份额23%，无论营收还是市场份额联电都只有台积电的一半。　　被台积电拉开差距这件事还得追溯到2003年，台积电0.13微米自主工艺技术惊艳亮相，而联电则因为决策性失误，在该制程上

5、选择与IBM合作开发，最终台积电获得了胜利，这一节点成为了二者竞争的分水岭。此后，台积电一路跃升为晶圆代工的霸主，而联电业绩平平开始掉队，此后的事情无需赘述，二者在这场竞赛中的走势一直延续至今。　　　　上图为2016年全球前十大晶圆代工厂营收排名，取得探花地位的联电，2016年的销售额达45.8亿美元，虽金额年增长3%，但市占率却下滑1个百分点，来到9%的市占率。联电2016年营收成长，主要受惠于28纳米制程制程订单满载，进而降低了淡季带来的压力。再加上联电位于中国厦门的Fab12寸晶圆厂成功量产，推动

6、了联电2016年度营收表现。　　联电在国内的布局早有动作，早在2001年开始进军中国大陆市场借道设立和舰希望借助大陆这个极具潜力的市场改变格局，花了16年时间完全收购了和舰的股份。　　除此之外，2014年底联电再次进军大陆，宣布在厦门建设更先进的12寸半导体工厂（和舰科技是8寸半导体工厂），经过两年时间的紧急建设到今年11月实现量产，不过并没能如其预期的投产28nm工艺而是40nm工艺。　　根据最新消息，联电的先进制程技术已达14nm，厦门联芯也已被批准切入28纳米，联电财务长刘启东指出，14纳米制程已

7、在近期量产出货，预计今年会带来不少的营收贡献。杀出重围　　目前，全球DRAM绝大部分市场份额掌握在三星（Samsung）、海力士（SKHynix）和美光（Micron）手中，总占比约97%。　　　　根据研究机构DRAMeXchange的市场观察，三星电子、SK海力士和美光科技等三大DRAM（动态随机存取存储器）厂商的服务器DRAM营收在第二季环比增长30%，因DRAM芯片供应紧张继续提升平均售价。该公司预计，在2017年剩余时间里，服务器DRAM供应将保持紧张。　　有业内人士分析表示缺货是DRAM资本减

8、持和新制程转进良率不高两大原因造成。　　在技术方面，三星DRAM从20纳米级制程（28-25-20），转进1x纳米制程。外媒报道，三星是DRAM龙头，制程领先对手1~2年，2016年下半年首先量产18纳米DRAM，计划今年下半年推进至15纳米。与此同时，SK海力士也准备在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM，接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。　　虽说联电目前已在南科厂筹组数百人团队，开始投入DRAM相关制程技术开发，不过初步规划将从