反激变换器flyback设计和计算步骤

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时间:2018-12-08

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1、-反激变换器(Flyback)的设计和计算步骤齐纳管吸收漏感能量的反激变换器:0.设计前需要确定的参数A开关管Q的耐压值:VmqB输入电压范围:Vinmin~VinmaxC输出电压VoD电源额定输出功率:Po(或负载电流Io)E电源效率:XF电流/磁通密度纹波率:r(取0.5,见注释C)G工作频率:fH最大输出电压纹波:Vopp1.齐纳管DZ的稳压值VzVz<=Vmq×95%-Vinmax,开关管Q承受的电压是Vin+Vz,在Vinmax处还应为Vmq保留5%裕量,因此有Vinmax+Vz

2、(见注释A)3.匝比n(Np/Ns)n=Vor/(Vo+Vd),其中Vd是输出二极管D的正向压降,一般取0.5~1V。4.最大占空比的理论值DmaxDmax=Vor/(Vor+Vinmin),此值是转换器效率为100%时的理论值,用于粗略估计占空比是否合适,后面用更精确的算法计算。一般控制器的占空比限制Dlim的典型值为70%。.--------------------------------------------------------------------------------上面是先试着确定Vz,也可以先试着确定n,原则是n=Vin/Vo,V

3、in可以取希望的工作输入电压,然后计算出Vor,Vz,Dmax等,总之这是计算的“起步”过程,根据后面计算考虑实际情况对n进行调整,反复计算,可以得到比较合理的选择。-----------------------------------------------------------------------------5.负载电流IoIo=Po/Vo,如果有多个二次绕组,可以用单一输出等效。6.一次侧有效负载电流IorIor=Io/n,由Ior×Np=Io×Ns得来。7.占空比DD=Iin/(Iin+Ior),其中Iin=Pin/Vin,而Pin=Po/

4、X。这里Vin取Vinmin。(见注释B)8.二次电流斜坡中心值IlIl=Io/(1-D)9.一次电流斜坡中心值IlrIlr=Il/n10.峰值开关电流IpkIpk=(1+0.5×r)×Ilr11.伏秒数EtEt=Vinmin×D/f,(Et=Von×Ton=Vinmin×D/f)12.一次电感LpLp=Et/(Ilr×r)13.磁芯选择(1)Ve=0.7×(((2+r)^2)/r)×(Pin/f),Ve单位cm^3;f单位KHz,根据此式确定磁芯有效体积Ve,寻找符合此要求的磁芯。(见注释D)(2)最适合反激变压器的磁芯是“ECores”和“UCore

5、s”,“ETD"、”ER"、“RM"这三种用于反激性能一般,而“PlanarE”、“EFD"、”EP"、“P"、”Ring"型不适合反激变压器。(3)材质选锰锌铁氧体,PC40比较常用且经济。14.一次匝数NpNp=(1+2/r)×(Von×D)/(2×Bpk×Ae×f),其中Von=Vinmin-Vq,Vq是开关管Q的导通压降;Bpk不能超过0.3T,一般反激变压器取0.3T;Ae是磁芯的有效截面积,从所选磁芯的参数中查的。(公式推导见注释E,说明见注释F)15.二次匝数Ns.---Ns=Np/n,此值小数不可忽略时向上取整,如1.62T取2T,然后重

6、新计算Np=Ns×n。16.匝数调整后实际磁通密度变化范围验证Bpk=Bpk0×Np0/Np,Bpk0、Np0是调整前的磁通密度峰值和一次匝数。(根据:Bpk与匝数成反比)dB=(2r/(r+2))×Bpk17.气隙系数zz=(1/Lp)×(u×u0×Ae/le)×Np^2,其中u是磁芯材料的相对磁导率,Ae、le分别是磁芯的有效截面积和有效长度,这些参数由磁芯手册提供,u0是真空磁导率,值为4×PI×10^(-7)。(见注释G)18.气隙长度lglg=le×(z-1)/u,其中u是磁芯材料的相对磁导率。(见注释G)19.绕组导线的集肤深度hh=66.1

7、×(1+0.0042×(T-20))/f^0.5,所得单位为mm,其中T是工作温度,可取80,即最高环境温度40摄氏度时可以有40度的温升。20.绕组导线的线径dd=2h,若选用铜皮,则铜皮厚度同样按此计算,即2h。21.绕组导线的电流承载能力ImIm=PI×(d/2)^2×J,其中J是电流密度,反激变压器一般取典型值493A/cm^2(400cmil/A)。22.一次绕组导线的股数MpMp=Ilr/Im23.二次绕组导线的股数MsMs=Il/Im24.确定变压器组装结构根据上面计算的变压器各项参数,合理安排绕组排列、绝缘安排等,绕组安排(从磁芯由近及远

8、)可参考如下:(1)一般排列是,一次,二次,反馈。(2)二次,反馈,一次,这种排

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