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1、补充题1:阁1所示电路屮，二极管导通电压t/D=0.6Vo根据以下条件分别求解％、/、/D1、iD2、/D3。（l）r,=r2=o；（2）r,=5v,r2=2v。+10v0.5kQDiV,o_VAA——K-k59.0.5kQD2V2o_WA——2^3!D2+5V补充题2:电路如图2所示，已知晶体管的％e=0.7V，户300，rbb’=200Q。KCC=12V。（1）当开关K位于1位置时，求解静态工作点/BQ、/0）和％印；（2）分别求解开关K位于1、2、3位置时的电压放大倍数比较这三个电压放大倍数，并说明发射极电阻是如何影响电压放大倍数的。补充题3:（1）图3所示电
2、路中增强型PMOS管参数为t/GS（th）=-1.5V,rp=25piA/V2,L=4gmo求使/D=lmA同时C/Sd=2.5V的沟道宽度W和电阻7?。=9VO图3(2)图4电路中，耗尽型PMOS管参数为C/oSG>ff)=1.5V,A；p=0.5mA/V2o设计电路使得静态时％d=2.5V，要求偏置电阻和、7?2中的电流不能超过漏极电流的10%。(3)图5电路屮，LA知恒流源/Q=2mA，Wos(ofi)=2.5V,/dss=6itiAo道jfet工作在恒流区的rDD的范围。(2)求rs。(1)确定使P沟补充题4:图6电路中，增强型NMOS管参数为C/o=0.8V
3、，/Cn=0.85mA/V2,耦合电容和旁路电容对交流信号可视为短路。（1）为使AxfO.lmA且最大不失真输出电压峰值为IV,试求7?s、7?d的值。（2）求电压放大倍数iM。+5VQLKRdQHh-OV.ill尺/.=40kU丄一—>16Rs补充题5:基本放大电路如图7（a）（b）所示，图（a）方框内为共射放大电路I,图（b）方框内为共集放大电路II,其开路（不带负载）电压放大倍数2,。及输入电附7?i、输出电阻穴。如阁屮所示。由电路I、II组成的多级放大电路如阁（c）、（d）、（c）所示，它们均正常工作。试说明通常情况下阁（c）、（d）、（e）所示电路屮（1）哪
4、些电路的输入电阻比较大；（2）哪些电路的输出电BI比较小；（3）哪个电路的ks=uj（X最大。（说明：以上三问不需要计算即可判断山来结果）7?i=5kQAuo=—100/?o=10kQ+7?i=100kQAuo=0.99Uo6穴o=iooq(a)(d)(b)IIII(e)图7补充题6:图8所示BiCMOS电路中，电路参数K+=10V,KGG=4.5V,7?D!=7?E2=1OkQ,7?L=1•8kQo已知增强型NMOS管紙参数为UGS⑽=1V，^n=0.4mA/V2；晶体管参数为/MOO,%E=0.7V。（1）求静态时NMOS管参数Wsq、/DQ，晶体管参数/CQ、U
5、ECQ。（2）求电压放大倍数人、输出电阻九。V+补充题7:图9所示差分放大电路中，漏极电阻失配。己知增强型NMOS管参数为%s（th）=lV,A：n=0.15mA/V2o电路参数F+=10V,K=-10V,7?s=75kQ,RD=50kQo设静态时v产v2=0,A7?=500£1。（1）求静态吋NMOS管的［/GSQ、/DQ。（2）求Jd、A、/CCMR。图9补充题8:图10所示电流源电路中，JFET参数为rGSG）ff）=-4V，/DSS=4mA。（1）为使电流/0=2mA,求7?的阻值。（2）求使JFET工作在恒流区的KD的范围。R图10补充题9:图11所示电流源
6、电路中，电路参数r+=2.5V,7?=15kQ。已知增强型NMOS管紙、A/2参数均为（/GS（㈨=0.5V，rn=0.08nvVV2,H7£=6。求电流/ref、/o。图11补充题10:图12所示电路中，已知AMOkQ,7?2=20kQ,7?=10kQ,OO.OlpF,稳压管的稳压值为6V,(/REF=0。(1)分别求输出啦压Wo和电容两端咆压Wc的最大值和最小值。(2)计算输出电压m的周期，对应画出和的波形，标明幅值和周(3)若增大仏的阻值，将如何影响wo的幅值和周期。(4)若增大/?的阯值，将如何影响wo的幅值和周期。(5)若增大仏，将如何影响wo的幅值和周期。
7、(6)若［7ref=3V,将如何影响w0的幅值和周期。图12补充题11:图13所示电路屮，己知7U的滑动端位于屮点。选择填空:A.增大B.不变C.减小当增大时，wol的占空比将_’振荡辦将一’《()2的幅鵬一•’气大时’汤频半将，W02的幅似将11.r补充题12:阁14所示由互补MOSFET组成的乙类输出级电路屮，电路参数K+=10V,厂=-10V,/?L=5kQo已知增强型NMOS管风参数为％soh)=OV,A：n=0.4mA/V2,增强型PMOS管A/p参数为%s(thrOV,/Cp=0.4mA/V2。(1)求最大输山电压％m，并求此吋的zL和w
