4、 先前的0.13μmBCD9工艺于2015年上市。该技术具有铜金属化特性,整合了现在广泛的BCD特性数组,包括N型和P型LDMOS晶体管、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、6T-SRAM和双极晶体管。 而在BCD9世代之前,意法半导体于2011年左右发布的是BCD8技术。它具有0.18μmCMOS闸极和4层化学机械研磨(CMP)的平面化铝金属,加上2层含硅化钴的多晶硅,以及浅沟槽隔离(STI)。此外,还发现了N型和P型LDMOS晶体管,加上双极晶体管、多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP)电容器和6T-SRAM内存。 B