强“芯”战略下存储有望率先突破.doc

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1、强“芯”战略下存储有望率先突破　　今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3DNAND闪存产能日前正式超过2DNAND闪存，第一代3DNAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3DNAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。　　对于3DNAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3DNAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3DNAND闪存都要比传统2DNAND闪存好

2、得多，厂商也会借此降低成本，提高产量。以美光为例，他们的2DNAND闪存主力是16nm工艺的，MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb，而3DNAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb，TLC更是达到384Gb，大大高于2DNAND闪存。　　在转向3DNAND方面，实力最强的三星跑得最快，东芝/闪迪、SKHynix次之，Intel和美光公司算是比较慢的了，不过一旦3DNAND闪存开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过2DNAND闪存是迟早的事。美光CFOErnieMaddock在参加巴克莱银行全球

3、技术、媒体及通讯大会上就确认，该公司的3DNAND闪存产能与2DNAND闪存已经来到拐点上，也就是说3D闪存的产能（以bit容量计）要超过2DNAND闪存了。　　　　ErnieMaddock还提到他们第一代3DNAND闪存在降低成本上已经达到预期目标，此前美光在今年上半年的路线图上指出3DNAND闪存比2DNAND降低至少20%的成本，现在已经实现了20-25%的成本降低。　　对美光来说，好事还不止这一件，他们的第二代3DNAND闪存也要量产了，早前美光公布消息称第二代3DNAND今年夏季在新加坡的Fab

4、10X工厂开始生产，相比目前的32层堆栈，第二代3DNAND闪存堆栈层数提升到64层，容量进一步提高，成本也会进一步降低30%。那么对国内公司有哪些影响，主要有三点：　　　　1.难得机遇　　由于2DNANDFlash架构面临技术推进瓶颈，芯片容量难再提升，使得存储器大厂2016年起明显扩大3DNANDFlash投资，2DNANDFlash产能因此快速下滑。　　2DNANDFlash产品的出货量将从2015年开始以每年17.1%的速度快速下降，而3DNANDFlash产品的出货量将以200％的年均复合增长率

5、递增，预计2020年达到NANDFlash总量的70%的水平。未来3DNANDFlash产品将逐渐取代传统的2DNANDFlash产品，成为NANDFlash的主流产品。　　不同于基于微缩技术的2DNANDFlash，3DNANDFlash的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术工艺差别较大，而且除了三星，其他企业在3DNANDFlash布局方面走的并不远。　　中国企业通过自主研发或者技术合作、专利授权许可，可以快速切入该领域，避免了国际企业在传统技术研发中的设备折旧优势，并且在这个技术变革过程中，又有希望实现弯

6、道超车。　　　　2.追赶仍然艰难　　尽管中国自主3DNANDFlash雏形渐现，长江存储旗下的武汉新芯已与购并飞索（Spansion）的赛普拉斯（Cypress）合作，切入32层和64层3DNAND技术，但由于门槛较高，仍有很长且很艰巨的路要走，这是一个持久战，我们需要有清醒的认识和思想准备。　　从三星、东芝、海力士、美光的3DNANDFlash研发经历也可以看出，尽管他们都投入了大量资源，但仍耗费相当长的时间才构建完成，3DNANDFlash技术的发展成熟以及制作当中所必需的精密工艺技术都需要长时间打磨

7、方可实现。　　　　3.需创新合作模式　　NANDFlash产业垄断高、投资大、壁垒高，中国3DNANDFlash项目今后要走的是一条充满挑战之路。因此绝对不能闭门造车，要尽量少走弯路少试错，在创新合作模式上下功夫，利用上下游供应链和全球产业链的资源，聚合众人之力推动其发展。　　中国试图在3DNANDFlash方面进行突破面临着非常难得的历史机遇，在国家强“芯”战略的助力下，有望打造一个以技术为突破、以市场为导向、以盈利为目的，国际一流的3DNANDFlash产业，实现中国大存储器产业零的突破。