台积电全面领先7nm工艺 国产半导体设备面临任何的困境？.doc

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2、半导体产业能量产的最先进的工艺节点是7nm，台积电全面领先。在7纳米制程设备方面，囊括了5大设备商包括应用材料(AppliedMaterials)、科林研发(LAM)台积电全面领先7nm工艺国产半导体设备面临任何的困境？　　记者消息，3日晚央视大型纪录片《大国重器》第二季第六集《赢在互联》重磅播出，中微半导体设备（上海）有限公司的7纳米芯片刻蚀机荣幸被收录其中。　　现阶段半导体产业能量产的最先进的工艺节点是7nm，台积电全面领先。在7纳米制程设备方面，囊括了5大设备商包括应用材料(AppliedMaterials)、科林研发(LAM)台积电全面领先7nm工艺国产半导体设备面临

3、任何的困境？　　记者消息，3日晚央视大型纪录片《大国重器》第二季第六集《赢在互联》重磅播出，中微半导体设备（上海）有限公司的7纳米芯片刻蚀机荣幸被收录其中。　　现阶段半导体产业能量产的最先进的工艺节点是7nm，台积电全面领先。在7纳米制程设备方面，囊括了5大设备商包括应用材料(AppliedMaterials)、科林研发(LAM)、东京威力科创(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半导体。中微是唯一打入台积电7纳米制程蚀刻设备的大陆本土设备商。　　此番央视收录的，就是中微，也是中国自主研发的第一批7纳米芯片刻蚀机，它采用的是等离子体刻蚀技术。利用有化学活性的等离子体，在硅

4、片上雕刻出微观电路。　　据介绍，在ICP芯片刻蚀中，关键尺寸的大小和芯片温度有着一一对应的关系。如果我们要求刻蚀均匀性达到1纳米，那么整个芯片的温度差异就要控制在2度以内。中微自主研发的温控设计，可以让刻蚀过程的温控精度保持在0.75度以内，优于国际水平。　　气体喷淋盘是刻蚀机最重要的核心部件之一，也是7纳米芯片刻蚀机中的一项关键技术点。它的材料选择和设计对于刻蚀机性能指标的影响至关重要。中微和国内厂家合作，研制和优化了一整套采用等离子体增强的物理气象沉积金属陶瓷的方法，这种创新的方法极大地改善了材料的性能，其晶粒更为精细、致密，缺陷几乎为零。相比国外当前采用的喷淋盘，中国的

5、陶瓷镀膜喷淋盘寿命可以延长一倍，造价却不到五分之一。　　　　中微董事长兼首席执行官尹志尧博士表示：“我国正在成为集成电路芯片和微观器件生产的大国，到2020年，在我国新的芯片生产线上的投资将会超过美国、日本和韩国等地区的投资，中国会变成一个最大的芯片生产基地。我们相信到2030年，我国的芯片和微观器件的加工能力和规模一定能完全赶上并在不少方面超过国际先进水平。”　　光刻技术仍落后，中国fab翘首期盼EUV供应　　值得注意的是，中微在蚀刻机领域有了一席之地，但是在先进制程中最为关键的光刻机，尤其是极紫外光刻机领域，放眼全球仅有ASML能够量产。　　光刻机是芯片制造的核心设备之一

6、，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机。用于生产芯片的光刻机是中国在半导体设备制造上最大的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。　　极紫外光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，它代表了当前应用光学发展最高水平。而作为下一代光刻技术，被行业赋予了拯救摩尔定律的使命。　　光刻机被业界誉为集成电路产业皇冠上的明珠，研发的技术门槛和资金门槛非常高。也正是因此，能生产高端光刻机的厂商非常少，到最先进的14nm光刻机就只剩下ASML，日本佳能和尼康已经基本放弃第六代EUV光刻机的研发。　　

7、相比之下，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。这不仅使国内晶圆厂要耗费巨资购买设备，对产业发展和自主技术的成长也带来很大不利影响。　　对于市场占据了八成份额的供应商ASML，据其2017第二季财报，在2017年第二季度新增8台EUV系统订单，让EUV光刻系统的未出货订单累积到27台，总值高达28亿欧元。公司现在年产12台，2018年将增加到24台，2019年达到年产40台的产能。　　这个产能远远不能满足全球晶圆厂的需求，因此，在回应“EUV设备对中国禁售”的传闻时，ASML给出的解释是，ASML对大