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时间:2018-12-06
《制程工艺差距大 英特尔10nm处理器将超越三星-台积电.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、制程工艺差距大英特尔10nm处理器将超越三星/台积电 随着摩尔定律走向极限,半导体工艺的推进愈发困难,不过现在台积电和三星的10nm还是量产了。昨天首款10nm工艺芯片高通骁龙835也正式发布。而曾经作为半导体工艺技术龙头的英特尔却动作迟缓,被称为“牙膏厂”,长时间待在14nm上不肯动弹。那么,真的是英特尔在技术上黔驴技穷了吗?这是要被三星、台积电反超的节奏?显然不是。 工艺上仍有很大差异 其实三星、台积电的工艺与英特尔的制程工艺还是有着比较大的差距。 三星、台积电的工艺数字都经过不同程度的“美化”。这些
2、晶圆代工业者都想办法把数字弄得愈小愈好,这实际上是商业策略。 这也让业界非常困扰。据说即使是高通内部的会议简报,都不能直接套用晶圆代工厂公告的技术数字,而必须经过换算。要问清楚,这个硅晶圆上到底可以放多少个逻辑电路? 一位资深业者透露,联发科内部也有一套换算方式:台积电的16nm等于英特尔的20nm、10nm等于英特尔的12nm。接下来未定,可能台积电的7nm,比英特尔的10nm要好一点。 也就是说,三星、台积电现在量产的10nm也只是与英特尔的14nm工艺相当。而一旦英特尔的10nm工艺推出,将会超越三星、台
3、积电的10nm。 对此,英特尔在最新一期的半导体行业权威刊物《IEEESpectrum》上撰文,畅谈了自己的10nm工艺,尤其是在技术、成本方面的巨大优势。 Intel高级院士MarkBohr表示,Intel10nm工艺的晶体管密度不但会超过现在的Intel14nm,还会优于其他公司的10nm,也就是集成度比他们更高,栅极间距将从14nm工艺的70nm缩小到54nm,逻辑单元则缩小46%,这比以往任何一代工艺进化都更激进。 英特尔10nmCannonLake处理器今年年内出货 今天,英特尔在CES2017
4、展前发布会上首次公开演示了一台搭载10nmCannonLake处理器的二合一笔记本,柯再奇用它在现场播放了一段由JimParsons和MichaelPhelps主演的公司广告片。 科再奇发布会上表示:“技术正以前所未有的速度向前发展,而摩尔定律是加速的核心。”可见,英特尔仍将继续努力推动摩尔定律。 英特尔强调,10nmCannonLake定于今年年内出货。这下,台积电和三星恐怕要着急了。 虽说台积电和三星的10nm已经量产,但是真正的产品出货恐怕要等到今年二季度了。而只需要在等最多两个季度,英特尔的10nm
5、也可以出货了。而且,英特尔的10nm工艺可是要完全领先台积电和三星的10nm工艺。此外,值得注意的是,目前英特尔已经与ARM达成合作,英特尔将可以用自己的先进制程工艺生产ARM芯片。一旦英特尔10nm工艺开放代工,将会对台积电和三星造成沉重打击。
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