中芯国际14纳米制程获重大进展，已进入客户导入阶段.doc

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1、中芯国际14纳米制程获重大进展，已进入客户导入阶段　　8月9日，中芯国际发布其2018年第二季度报。公告显示，中芯国际第二季度不仅营收、净利双增长，14纳米制程更是获得重大进展！第二季度营收、净利双丰收　　根据公告，中芯国际2018年第二季度实现营收8.91亿美元，同比增长18.6%、环比增长7.2%；归母净利润为5159.9万美元，同比增长42.3%、环比增长75.6%。　　第二季度中芯国际不含技术授权收入影响的销售额为8.38亿美元，同比增长11.5%、环比增长15.8%，主要由于2018年第

2、二季的晶圆付运量增加所致。　　数据显示，第二季度中芯国际8英寸等值付运晶圆为125.8万片，同比增长24.1%、环比增长16.1%。　　除了营收、净利均增长外，中芯国际第二季在月产能及产能利用率方面亦有所提升。　　月产能方面，中芯国际8英寸等值晶圆由第一季度的44.78万片增加至44.91万片，主要由第二季度产品组合改变所致；产能利用率为94.1%，这较去年同期（85.7%）及今年第一季度（88.3%）均有较大提升。　　从制程占比看，中芯国际第二季度在0.15/018微米工艺上占比最高，28纳米占

3、晶圆销售额百分比虽小，但较上季度有了显著提升，从3.2%增长至8.6%。　　第一季度受智能手机传统淡季影响，中芯国际28纳米营收占比下滑，当时中芯国际联席首席执行官梁孟松表示，随着市场复苏，28纳米产品营收占比将恢复到高个位数水平，如今看来的确如此。　　公告还表示，除了28纳米PolySiON和HKC，中芯国际28纳米HKC+技术开发也已完成，28纳米HKC持续上量，良率达到业界水准。　　　　以地区分类看，中芯国际第二季度在北美洲、中国、欧亚的营收比重分别为33.0%、58.6%、8.4%，中国区

4、比重虽较上季度略有下滑，但仍占据主导位置。　　中芯国际表示，随着需求和产能利用率在二季度回升，不包含技术授权收入的中国区收入环比和同比成长了14%和38%，“作为中国首选晶圆代工伙伴，我们相信必将受惠于中国芯片市场的成长机遇。”　　以应用分类看，中芯国际第二季度在电脑、通讯、消费、汽车/工业、其他的营收比重分别为5.7%、40.3%、37.1%、7.4%、9.5%，主要集中于通讯和消费两大领域。　　展望第三季度，中芯国际预计季收入将下降4%-6%；不含授权收入影响的季收入持平至增加2%；毛利率介于

5、19%-21%的范围内。　　中芯国际表示，今年公司将向高个位数的收入增长目标迈进。14纳米进入客户导入阶段　　除了在营业额方面交上一份不错的成绩单外，中芯国际在二季度报中还公布了一个重大喜讯。　　中芯国际联席首席执行官赵海军和梁孟松在公告中表示，“我们欣喜地告诉大家，在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。”　　14纳米FinFET制程进入客户导入阶段，也就意味着量产在即，这对于中芯国际、甚至整个中国半导体产业而言，都是一个值得欣喜的历史性事件。

6、　　一直以来，中芯国际14纳米制程都备受关注。　　中芯国际是中国大陆最大的晶圆代工厂，根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院数据，中芯国际在2018年上半年全球前十大晶圆代工业者排名中位列第五，从排名上看似乎并不算太差。　　　　然而在制程工艺方面，中芯国际远落后于排在其前面的台积电、格芯、联电和三星几家厂商。　　从时间差看，台积电、三星均已在2015年量产14纳米/16纳米制程，格芯、联电也于2017年量产14纳米制程，中芯国际14纳米制程落后台积电、三星至少超过三年半，落后格芯、联电近两年。　　从先进制

7、程看，目前台积电7纳米制程已开始放量，预计今年第四季度营收占比可达20%，格芯7纳米制程将于今年年底推出、2019年大规模量产，三星也已完成了7纳米制程工艺开发，中芯国际落后不止一个世代。　　目前，中芯国际可量产的最先进制程为28纳米，这也是目前大陆晶圆代工厂的最先进制程，大陆业界均期待着中芯国际能早日量产14纳米制程，以提升大陆晶圆代工整体水平。　　为了追赶落差，2017年10月中芯国际延揽三星及台积电前高管梁孟松来担任联席首席执行官，在外界看来，梁孟松加入中芯国际后的最大任务就是助力14纳米制

8、程以下先进制程的研发量产。　　据悉，梁孟松上任后进行了一系列调整：加强研发队伍建设，强化责任制，调整更新14纳米FinFET规划，将3DFinFET工艺锁定在高性能运算、低功耗芯片应用等。　　在梁孟松和赵海军双CEO的带领下，中芯国际在14纳米制程研发上开始加大油门往前冲。　　在2017年第四季度报中，中芯国际表示14纳米研发进程进展顺利，预计将在2019年上半年量产14纳米FinFET工艺技术，比原先预期提前了半年。　　2018年1月底，中芯国际旗下为配合14纳米及以下先进制程建