欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:27694901
大小:380.29 KB
页数:13页
时间:2018-12-05
《云南省昆明市第一中学2017届高中新课标高三第四次一轮复习检测理综化学试卷word版含答案》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、云南省昆明市第一中学2017届高中新深核高三第四次一轮复习检測理综化学试卷7.中国是世界上产锌最早的国家之一,在北宋末年即已使用金属锌。明代宋应星的《天工开物》中有关于“火法”冶炼锌的工艺记载:“炉卄石十斤,装载入一浞罐内,……逐层用煤炭饼垫盛,其底铀薪,发火煅红,……冷定毁罐取出,……,即倭铅也。”下列说法错误的是(注:炉甘石的主要成分为碳酸锌)A.该冶炼锌的反位属于置换反应B.该冶炼方法属于热还原法,煤炭作还原剂C.冶炼Zn的反应方程式为:ZnCOa+2C^^=Zn+3COtD.倭铅是金属锌和铅的合金8.根据下列操作和现象,得出的结论合理且正确
2、的是选项实验操作现象结论A用洁浄铂丝蘸取溶液进行焰色反应火焰呈原溶液中有Na+、黄色无K4将S02和C02气体分别通入水中至饱和,前者的硫的非金属性强B用pH试纸测两溶液的pHpH较小于碳C将Fe(NO、)2样品溶于稀硫酸后滴加KSCN溶液溶液变红不能确定原Fe(NO3)2是否变质D向淀粉溶液中加入稀H2SO、:,加热几分钟,冷却后再加入几滴新制Cu(OH)2i浊液,加热未生成砖红色沉淀淀粉没有水解成葡萄糖9.萘氨酸(L-Theanine)是茶叶中特有的游离氨基酸,其结构简式如图。T列有关说法正确的是八.分子式为C7H14N2O3B.与甘氨酸(Ik
3、NCIkCOOH)互为同系物C.分子中所有原子都处于同一平面B.不能发生取代反应7.根据下表(部分短周期元素的原子半径及主要化合价)信息,下列叙述正确的是元素代号ABCDE原子半径/nm01860.1430.0890.1040.074主要化合价+1+3+2+6-2-2A.E2"与B3'的核外电子数不可能相等B.离子半径:A+4、参与的电极反应为:C0-2e'+CO32=2CO2C.电池工作时,C0Z向电极B移动D.电极B上发生的电极反应为:02+2H20+4e=40H_9.下列说法错误的是A.浓度均为0.lmol/L的Na2C03、NaHCO3混合溶液:2c(Na)=3B.氯化铵和氨水的混合溶液中:c(職+)+c(H+)=c(CD+c(OH)C.Na2S稀溶液中:c(H+)=c(0H)+2c⑽+c(HS)D.25°C,将lraLpH=5的盐酸稀释到lOOOmL,其pH=710.由铝土矿(主要成分为Al203,含Si02、Fe203等杂质)炼制铝的工艺流程示意图如下下列有关5、说法正确的是()A.滤渣T的主要成分是SiO„因其不溶于任何酸B.除杂时先析山白色沉淀,然后迅速变为灰绿色,最终变为红褐色C.用过量0)2酸化的离子方程式为:A102+CO2+2H2O=A1(OH)31+HCCVD.熔融的AlCh经电解后得到金属A126.(14分)硅单质及其化合物应用范围很广。回答下列问题:(1)下列有关硅材料的说法正确的是。A.高纯单质硅可用于制作光电池,高纯度的二氧化硅可用于制造光导纤维B.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的离子化合物,其熔点很高C.氮化硅硬度大、熔点商,可用于制作商温陶瓷和轴承D.二氧化硅溶于水生成硅酸,6、硅酸凝胶是常用的食品干燥剂(2)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(S川C13)还原法是当前制备高纯硅的主要方法。生产过程示意图如下:視工粗汙吃啤•HSr碗粗硅中含铁、铝、硼、磷等杂质,有关物质的物理常数见下表:物质SiHChSiCbA1CU沸点/°c3357.7—熔点/'C-126.5-70.0—升华温度广C——180①石英砂与焦炭反应制粗硅的化学方程式为。②sinci3的电子式为;粗硅与nci反应生成的气态snich巾含有少量sici4,还可能含有aici3,原因是;气态氯化铝中存在ai2ci6分子,其中有两个ci原子形成2个化学键,7、每个A1原子均形成4个化学键且分子中不含非极性键,则A12C16的结构式为O③操作X是对液态S1HC13(粗)的提纯,其名称为。(3)除了用H2还原纯SiIIC13制备高纯硅外,工业上可利用化学气相沉积法(CVD)使纯SiHC13在1150°C下分解制备单质硅,同时生成两种氯化物,其化学方程式力(4)硅酸钠水溶液俗称水玻璃,取少量硅酸钠溶液于试管屮,逐滴加入饱和鉍化铵溶液,振荡,有白色胶状沉淀生成。反应的离子方程式为。26.(14分)苯乙烯是生产塑料和合成橡胶的重要有机原料。乙苯催化脱氢法是FI前国内外生产苯乙烯的主要方法,其化学方程式为^<(18、)己知:化学键C—Hc—CC=CH—H键能/kJ•mol-1412348612436计算上述反应的AH=kJ•mol'(2
4、参与的电极反应为:C0-2e'+CO32=2CO2C.电池工作时,C0Z向电极B移动D.电极B上发生的电极反应为:02+2H20+4e=40H_9.下列说法错误的是A.浓度均为0.lmol/L的Na2C03、NaHCO3混合溶液:2c(Na)=3B.氯化铵和氨水的混合溶液中:c(職+)+c(H+)=c(CD+c(OH)C.Na2S稀溶液中:c(H+)=c(0H)+2c⑽+c(HS)D.25°C,将lraLpH=5的盐酸稀释到lOOOmL,其pH=710.由铝土矿(主要成分为Al203,含Si02、Fe203等杂质)炼制铝的工艺流程示意图如下下列有关
5、说法正确的是()A.滤渣T的主要成分是SiO„因其不溶于任何酸B.除杂时先析山白色沉淀,然后迅速变为灰绿色,最终变为红褐色C.用过量0)2酸化的离子方程式为:A102+CO2+2H2O=A1(OH)31+HCCVD.熔融的AlCh经电解后得到金属A126.(14分)硅单质及其化合物应用范围很广。回答下列问题:(1)下列有关硅材料的说法正确的是。A.高纯单质硅可用于制作光电池,高纯度的二氧化硅可用于制造光导纤维B.普通玻璃是由纯碱、石灰石和石英砂制成的离子化合物,其熔点很高C.氮化硅硬度大、熔点商,可用于制作商温陶瓷和轴承D.二氧化硅溶于水生成硅酸,
6、硅酸凝胶是常用的食品干燥剂(2)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(S川C13)还原法是当前制备高纯硅的主要方法。生产过程示意图如下:視工粗汙吃啤•HSr碗粗硅中含铁、铝、硼、磷等杂质,有关物质的物理常数见下表:物质SiHChSiCbA1CU沸点/°c3357.7—熔点/'C-126.5-70.0—升华温度广C——180①石英砂与焦炭反应制粗硅的化学方程式为。②sinci3的电子式为;粗硅与nci反应生成的气态snich巾含有少量sici4,还可能含有aici3,原因是;气态氯化铝中存在ai2ci6分子,其中有两个ci原子形成2个化学键,
7、每个A1原子均形成4个化学键且分子中不含非极性键,则A12C16的结构式为O③操作X是对液态S1HC13(粗)的提纯,其名称为。(3)除了用H2还原纯SiIIC13制备高纯硅外,工业上可利用化学气相沉积法(CVD)使纯SiHC13在1150°C下分解制备单质硅,同时生成两种氯化物,其化学方程式力(4)硅酸钠水溶液俗称水玻璃,取少量硅酸钠溶液于试管屮,逐滴加入饱和鉍化铵溶液,振荡,有白色胶状沉淀生成。反应的离子方程式为。26.(14分)苯乙烯是生产塑料和合成橡胶的重要有机原料。乙苯催化脱氢法是FI前国内外生产苯乙烯的主要方法,其化学方程式为^<(1
8、)己知:化学键C—Hc—CC=CH—H键能/kJ•mol-1412348612436计算上述反应的AH=kJ•mol'(2
此文档下载收益归作者所有