31无机非金属材料同步训练（人教版选修2）

《31无机非金属材料同步训练（人教版选修2）》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、无机非金属材料一、选择题1.根据陶瓷的生产原理，可以得出硅酸盐工业的一般特点是()①以含硅物质作为原料②主要产物是硅酸盐③反应条件是高温④反应原理是复杂的B.只有②③D.只有③④物理变化和化学变化A.只有①③C.①②③④解析：陶瓷是利用黏土在高温条件下烧制得到的结构致密的多晶烧结体。其生产过程中发生复杂的化学变化和物理变化。故①②③④正确，应选C。答案：C2.石灰石、生石灰和熟石灰均是重要的化工原料，下列工业生产屮，可能用到上述原料的是()①炼铁②炼钢③从海水中提取镁④铝的冶炼⑤制水泥⑥制玻璃⑦制漂白粉⑧烧制陶瓷A.①②⑤⑥⑦⑧C.③④⑤⑥⑦⑧B.①②③⑤⑥⑦D.企部解

2、析：铝的冶炼需A12O3和冰晶石，烧制陶瓷需硅酸盐，不需上述原料答案：B3.下列叙述正确的是()A.“接触法”制H2SO4时，催化氧化阶段的反应原理为2S0“g)+02(g)催争剂。2S0Jg)►MgCl2(aq)-^*Mg(l)+C]2(g)B.海水提镁的主要步骤为CaCO3(s)盐酸海水二^吗(011)2(3)^__C.普通水泥的主要成分是硅酸钙D.黏土的主要成分是三氧化二铝解析：A项，“接触法”制H2SO4时，催化氧化阶段是二氧化硫被氧气氧化为三氧化硫，A项正确；B项，海水提镁的过程中，海水中应加入石灰乳而不是碳酸钙，获得单质镁时应电解熔融的MgCl2,故B项错误

3、；C项，普通水泥的主要成分是硅酸三钙、硅酸二钙、铝酸三钙，C项错误；D项，黏土的主要成分是Al2O3.2SiO2.2H2O,D项错误。答案：A4.下列叙述正确的是()①工业上合成非氧化物陶瓷氮化硅(Si3N4)耑要在高温、空气气氛中进行②钢铁制品锈蚀主要是因为钢铁中含有碳而发生原电池反应，因此生铁炼钢时要尽可能完全除去生铁中的碳①建设三峡大坝需要使用大量水泥，水泥是硅酸盐材料②夏天人们佩戴巾添加氧化亚铜的二氧化硅玻璃制作的变色眼镜來保护眼睛③太阳能电池可采用硅材料制作，其应用有利于环保、节能A.①②③B.②④C.③④⑤D.③⑤解析：本题考查化学与工农业生产的关系。①生产

4、Si3N4陶瓷若在空气气氣中会生成SiO2等；②生铁炼钢的目的是改善其机械性能，为此要尽可能地除去P、S等杂质，调整其含碳量；④添加Cu2O的玻璃呈红色，不具有变色性能。答案：D1.关于高分子化合物性质的叙述不正确的是()A.硫化橡胶为体型M状结构B.从实验测得的某高分子化合物的相对分子质量和小分子的相对分子质量含义不同C.线型结构的高分子材料分子间是靠分子间作用力紧密结合的，所以它的强度一定小D.线型结构的高分子，W带支链，也W不带支链解析：高分子的相对分子质量是平均相对分子质量，而小分子的相对分子质量是确定的；线型结构的高分子，许多链聚集在一起时，相互间的缠绕使得许

5、多分子间接触的地方以分子间作用力紧密结合，使高分子材料的强度大大增加，相对分子质量越大，分子间作用力就越强。答案：C二、非选择题2.科学家最新研究发现，不仅第IVA族某些元素的单质是优良的半导体材料，且第IVA族元素的部分互化物也可做半导体材料，这使碳与硅的互化物名声大振。(1)写出碳硅互化物的化学式。(2)该互化物的两个重要用途：和。(3)该化合物是用SiO2和焦炭为原料在高温条件下反应生成，其化学方程式为其中氧化剂和还原剂分别为若该反应在一密闭容器中进行，且反应可逆，则其化学平衡常数的数学表达式：Kc=,若升高温度&增大，说明该反应正方向是热的。(4)该化合物耐酸、

6、碱腐蚀，但易溶于氢氟酸，写出反应的化学方程式：解析：(1)据C、Si两元素原子成键特点可知其化学式为SiC。(2)SiC可作高温结构陶瓷，根据信息知也可作半导体材料。(3)反应物为SiO2与C，而产物为SiC，根据原子守恒即可配平：SiO2+3C^^SiC+2COt,其中氧化剂与还原剂均为碳，由反应特点知A：e=c电解解析：(1)2NaCl+2H2O^=2NaOH+H2t+C12t。用Cl2制备纯硅涉及反应：2C12+Si(粗)^^=SiCl4,体现了氯气的强氧化性，再由SiCl4制取高纯硅，用H2使之还原，用SiCl4得到高纯硅的化学方程式为：SiCl4+2H2』^S

7、i+4HCl。由Cl2和乙烯制取聚氣乙烯，先发生反应：CH2=CH2+C12—-C1CH2CH2C1,再通过消去反应脱去一分子HC1,使之形成含双键的氯乙烯，加聚即可得聚氯乙烯，即CH2C1—ch2ci—^CH2=CHC1+HC1,一定条件ztCH2=CHCl——CH2CHC1。(CO)，升高温度，增大，说明正反应为吸热反应。(4)由Si或SiO2与氢氟酸的反应可知SiC与氢氟酸反应会生成SiF4,由原子守恒知，另一产物为CH4。答案：(l)SiC(2)做高温结构陶瓷半导体材料(2)SiO2+3C^^SiC+2COt都是破c2(CO)吸(