欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:27511951
大小:102.50 KB
页数:6页
时间:2018-12-04
《DRAM市场大战: 英特尔找新欢 中国乘势崛起.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、DRAM市场大战:英特尔找新欢中国乘势崛起 近日,调研机构ICInsights警告,DRAM价格飞涨,中国后起之秀有望借机而入缓解一直以来被压抑的需求。 纵观历史态势,DRAM市场是主要IC产品细分市场波动最大的部分。在过去2年,2016年DRAM市场就下跌了8%,到2017年又增长了77%,这就是一个很好的例子。 过去30多年来,DRAM的价格持续下跌,仅1978年到2012年的34年间,DRAM每比特的平均价格就以33%的年平均速度下降。然而,从2012年到2017年,DRAM每比特平均价格年跌幅缩小至3%。到了2017年,DRAM价格逆转之前下跌态势,反涨47%,创197
2、8年以来最大增幅。 从DRAM位元数量增长看来,2016年DRAM位元数量增长达40%,2017年为20%。如图1所示,从2017年5月到2018年1月的9个月里,DRAM位元数量年平均增长率仅为13%。2018年,DRAM位元数量成长幅度将维持在20%。 图1还列出了从2017年1月到2018年1月期间每个月DRAM每千兆价格。如图所示,DRAM每千兆位价格一直在急剧上涨,2018年1月与2017年1月相比,价格上涨了47%。毫无疑问,电子系统制造商目前正在争先恐后地调整和适应内存价格的飞涨。 DRAM通常被认为是一种类似石油的商品。和大多数商品一样,产品需求具有弹性,这也就
3、意味着价格提高会抑制需求,价格降低则会增加和创造新用途。例如,当油价处于低位时,许多消费者购买大型suv,因为对每加仑汽油的使用效率几乎不用担忧。然而,当油价上涨时,消费者通常会选择较小的或替代能源(如混合动力或全电动)汽车。 图一 如图1所示,从2017年1月到2018年1月期间,DRAM的每位元价格与位元数量年增幅之间的相关系数为-0.88。因此,虽然系统制造商并没有因为价格上涨而在目前出货的电子设备中减少DRAM的使用量,但有很多关于一些智能手机生产商在下一代机型上减少DRAM的传言,将智能手机内置DRAM从5GB降至4GB。 ICInsights相信,在2018年,
4、DRAM的主要供应商应该小心行事,如果让股东更开心,会进一步疏离DRAM客户群。如果初创的中国DRAM生产商能够在未来几年内推出一款具有竞争力的产品,DRAM的用户可能会涌向这些新的供应商,试图摆脱目前迫在眉睫的价格上涨压力。目前的DRAM大厂可能会遭到惨重报复。 紫光与英特尔合作,能减少三年内存技术差距? 韩国媒体businesskorea近日披露,清华紫光正与英特尔合作开发3DNAND闪存芯片。据悉,根据双方的合约,英特尔决定首先提供用于NAND闪存芯片的晶圆,然后再提供64层3DNAND闪存芯片。在英特尔的支持下,清华紫光的闪存产品不仅能够提高在销售方面的竞争力,还能提高其
5、在市场上的品牌知名度。 这种闪存技术来自英特尔、美光合资的IMFlash,不过到明年初,双方将结束合作,各自独立优化自己的产品和服务,同时英特尔会把所持股份几乎全部卖给美光,从中脱身。如果完全独立势必会大大影响产能和供应量,而当前闪存市场需求又持续高位,因此英特尔迫切需要一个新的伙伴。 而紫光是中国半导体行业发展中大力扶持的关键对象。未来五年,中国将在半导体行业投入1万亿元人民币,目标是到2025年将半导体自给率提高到70%,紫光自然扮演着极为关键的角色。目前,紫光已经投资300亿美元,在南京兴建自己的内存、闪存工厂,还与建兴联合在苏州兴建SSD开发制造工厂。 英特尔在NAND
6、芯片市场的份额排名第六,位于SKHynix之后。英特尔去年通过重拾内存芯片业务,在20年前放弃该业务后再次进入市场,但仍具有很高的技术水平。该公司在2012年与NAND闪存市场份额排名第四的美光科技公司合作,并从去年开始生产64层3DNAND闪存芯片。英特尔目前正在开发96层3DNAND芯片。另外,IMFlash还在开发新一代96层堆叠3D闪存,并辅以10nm级别制造工艺,容量密度将比现在的64层提高一倍,未来也有望落户紫光。 一些市场观察人士表示,从今年年底开始生产32层3DNAND芯片的中国存储器芯片生产商与韩国同行之间的技术差距为三年。这是因为三星电子公司已于2014年8月首
7、次在全球范围内批量生产32层3DNAND芯片,2015年8月份为48层3D芯片,2016年12月为64层芯片。更高层次和位元堆积的3DNAND芯片,就需要更高的技术水平。因此,单靠时间和精力并不能缩小技术差距。 但是,通过与英特尔的合作,中国有望迅速缩小技术差距,威胁包括三星电子在内的韩国内存芯片制造商。中国将能够提前发布高性能3DNAND产品,预计在前两至三年先推出低端产品。 市场研究公司MarketRealist表示:“中国与英特尔的合作关系可能会
此文档下载收益归作者所有