Custom MMIC公司推出多款超低噪声放大器.doc

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1、CustomMMIC公司推出多款超低噪声放大器　　CustomMMIC公司推出多款超低噪声放大器　　美国CustomMMIC公司在宾夕法尼亚州费城举行的2018年国际微波研讨会（IMS）上讨论了几项新的GaN和GaAs单片微博集成电路（MMIC）技术突破。公司表示采用业界首款超低噪声放大器（ULNA）MMIC打破了MMIC形式的噪声障碍。　　CustomMMIC公司表示，他们推出了业界首款超低噪声放大器（ULNA）MMIC，打破了MMIC内的噪音障碍。CMD283C3型号MMIC提供0.6dB的噪声系数，优于所有其他LNAMMIC，并能与分立元件相媲美。它工作频率范围为2GHz至

2、6GHz（S＆C频段），输出IP3为+26dBm。　　新型GaAsMMIC数字衰减器系列的也有四款产品。CMD279和CMD280为5位衰减器运行频率高达30GHz，衰减范围高达15.5dB。另两个为2位衰减器，即DC-35GHzCMD281和DC-40GHzCMD282，分别以2dB和4dB步长提供较粗略的控制。所有四款器件都提供+42dBm的输入IP3。　　最新的分布式放大器DC-20GHzCMD249P5提供正增益斜率，标称12dB增益。GaAs器件具有+30dBm的输出Psat和+38dBm的输出IP3。　　CustomMMIC也在增强其低相位噪声放大器（LPNA）系列。

3、响应客户的要求以协助减少不需要的相位噪声并提高军用雷达系统中的信号完整性和目标采集能力，这些LPNA工作频率高达40GHz，在10kHz偏移时提供低至-165dBc/Hz的低相位噪声性能。它们用作各种相控阵雷达、电子战、军事无线电、仪器仪表和航空航天通信设计中的本地振荡器（LO）驱动器或接收机放大器。　　来自CustomMMIC公司的MMIC包括更多的超低噪声放大器和数字衰减器，以及宽带分布式功率放大器和GaN混频器。　　　　日本Integra公司在IMS2018上展示新型GaN/SiC器件　　日本IntegraTechnologies公司在宾夕法尼亚州费城举办的今年国际微波研讨

4、会上展示几种新型GaN/SiC射频功率器件，瞄准C波段和L波段系统　　IGNP0912L1KW是一款用于L波段航空电子系统的50ΩGaN/SiC射频功率模块，可在0.960-1.215GHz的瞬时带宽内工作。该集成放大器模块在2.5ms脉冲宽度和20％占空比的条件下提供至少1000W的峰值脉冲功率，同时提供高热稳定性。　　IGT5259L50是一款50欧姆的GaN/SiC晶体管，在脉冲C波段雷达应用中提供5W至5GHz的50W功率。　　IGN1214L500B是一款高功率GaN/SiCHEMT晶体管，在1.2-1.4GHz时提供500W功率，并提供50V漏极偏压，15.5dB增益

5、和65％效率。该晶体管专为长脉冲L波段雷达应用而设计。