10纳米制程良率偏低 手机芯片厂商恐出师不利.doc

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1、10纳米制程良率偏低手机芯片厂商恐出师不利　　对于全球智能手机芯片供应商来说，10纳米先进制程技术将是2017年的重头戏，但新一代手机芯片解决方案还没有现身抢市，各家晶圆厂10纳米制程良率却纷纷传出灾情，造成包括高通（Qualcomm）骁龙（Snapdragon）835、联发科HelioX30传出交货延宕，迫使三星电子（SamsungElectronics）GalaxyS8延后问世，更遑论排在后面出货的华为、苹果（Apple）、展讯等均将受到影响。　　消息人士指出，10纳米制程技术良率偏低的头痛问题，台积电、三星和英特尔这三家晶圆代工厂均面临同一问题。2017年计划抢先量产

2、的三星，业界传出其10纳米制程良率同样不如预期。若第2季各家晶圆厂10纳米制程良率仍难见有效提升，2017年手机芯片大军挥舞10纳米制程大旗的戏码，恐怕会出师不利，甚至造成手机芯片厂不小的灾情。　　台湾媒体报道，台积电第1季10纳米制程技术良率，暂时无法达到具备经济量产价值的水准，这让国内、外芯片客户至今仍在与台积电业务代表论战，希望能用好的晶粒（gooddie）成本计算方式，来取代过去每片晶圆代工价格的方法。　　业内人士表示，10纳米制程技术良率无法有效提升，目前晶圆代工厂的责任较大，过去出现这种情况时，台湾晶圆代工厂为维持与客户的中、长期合作关系，通常会自行吸收一些成本

3、，避免造成各家芯片客户的负担。　　据BlueFinResearch分析师SteveMullane在摄影仪器工程学会（SocietyofPhotographicInstrumentaTIonEngineers）论坛消息显示，英特尔10纳米量产设备预计下半年准备就绪，但尽管如此，英特尔至今仍未克服10纳米量产良率不佳的问题。英特尔原希望在2017下半年将10纳米制程导入量产，但受制于良率问题，Mullane估计，英特尔10纳米量产时程可能往后顺延2-3个月。　　目前全球晶圆代工市场正处于卖方市场，即便10纳米制程良率偏低，让客户难以忍受，但是国内、外IC设计厂商对此均三缄其口，

4、不愿意在台面上进行口水战，更说明这一情况已是不能说的秘密。　　据了解，晶圆代工厂商已承诺客户将找出问题，预期第2季可望拉升良率，但手机芯片供应商对此仍相当谨慎，且纷纷作出最坏的打算，并准备一旦新款智能手机芯片出货发生青黄不接情况，可能采取的防范措施。　　手机供应链厂商指出，预期第2季采用10纳米制程技术量产的新一代手机芯片，占整体智能手机新品出货比重仅在10%以内，可能要到第3季10纳米制程手机芯片出货量才会明显拉升。　　目前采用10纳米以下更先进制程技术，对于智能手机芯片解决方案产生的最大效应，还是功耗明显降低。从高通骁龙835芯片的介绍中可知，与其上一代14纳米FinF

5、ET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。而联发科曦力X30则采用台积电10纳米制造工艺，相较16纳米产品性能提升22%，功耗下降40%。随着手机产品对于功耗要求越来越高，而现阶段电池容量短期内恐无法有效提升，电池技术也难有效突破，各家手机芯片供应商面对先进制程技术昂贵的成本投入，只能闷着头拼工艺。　　全球晶圆代工厂10纳米制程技术良率表现出现瓶颈，芯片厂商预期2017年上半将很难明显好转情况下，加上2017年下半年又有苹果新款iPhone大单压阵，新一代手机芯片解决方案采用10纳米制程技术竞赛，在2

6、017年上半年经历过抢快不易后，下半年恐将进入新一波的抢量赛局。