HB2166系列硅压阻复合压力传感器.doc

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1、HB2166系列硅压阻复合压力传感器概述：HB2166系列硅压阻复合压力传感器采用硅集成压阻芯片作为传感元件，采用微机械加工技术自主设计制作，能够同时实现对现场中的差压、静压、温度等参数进行测量，具有精度高、体积小、重量轻、稳定性好等特点。采用四膜片静压和过载保护结构，全不锈钢壳体，316L隔离膜片封装及标准差压容室接口，可用来测量差压、静压、流量、液位、温度等参数，广泛应用于石油、化工、电力、造纸等工业领域的测量与过程控制。主要技术指标：序号项目差压静压温度1基准量程40KPa、100KPa、400KPa、

2、1000KPa10MPa、16MPa-30〜+80℃2桥路电阻5（1±20%）KΩ10（1±20%）KΩ25（1±20%）KΩ3零点失调≤20mV≤30mV4满量程输出≥50mV≥50mV≥15Ω/℃5静态精度±0.1%FS±0.25%FS±0.5%FS8零点温度影响±0.1%FS/℃9满量程温度影响±0.05%FS/℃10长期稳定性±0.1%FS/年，±0.2%FS/年11静压影响±0.2%FS/10MPa；±0.5%FS/10MPa；±1%FS/10MPa；12供电电源1（1±50%）mA，或恒压5（1±

3、10%）VDC13绝缘电阻≥100MW(100VDC)14工作温度-10～+60℃、-30～+80℃传感器外型结构示意图电气接线示意图型号及规格代号： HB2166硅压阻复合压力传感器代号基准量程差压4000～40KPa1010～100KPa4010～400KPa1020～1MPa静压1030～10MPa1630～16MPa代号静态精度差压A1±0.10%FSA2±0.25%FSA3±0.5%FS静压B1±0.1%FSB2±0.25%FSB3±0.5%FS代号静压影响E1±0.2%FS/10MPaE2±0.5

4、%FS/10MPaE3±1.0%FS/10MPa代号连接尺寸M1卡套连接LM2客户约定代号压力接口P1无容室P2配容室代号使用温度T1-10～+60℃T2-30～+80℃数字年代与编号选型示例HB2166101/163A3/B3E2M1P1T10600003HB2166复合传感器，差压量程0～100KPa，准确度±0.5%FS；静压量程0～16MPa，准确度±0.5%FS；静压影响±0.5%FS/10MPa；卡套与表头连接；无压力容室；使用温度-10～+60℃；2006年生产，第00003号