电场磁场典型例题

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1、WORD完美格式电场磁场典型问题1．绝缘光滑斜面与水平面成角，质量为m、带电荷量为-q（q>0）的小球从斜面上的h高度处释放，初速度为（>0），方向与斜面底边MN平行，如图所示，整个装置处在匀强磁场B中，磁场方向平行斜面向上。如果斜面足够大，且小球能够沿斜面到达底边MN。则下列判断正确的是http://www.wln(100.com未来脑教学)云平+台?A.小球运动过程对斜面压力越来越小http$://w_ww.)wln100.com未来脑教学云平台

2、B.小球在斜面做变加速曲线运动C.匀强磁场磁感应强度的取值范围为D.小球达到底边M

3、N的时间【答案】CD2．质量为m、带电量为+q的小金属块A以初速度从光滑水平高台(足够高)上飞出。已知在高台边缘的右面空间中存在水平向左的匀强电场，场强大小E＝2mg/q，则A.金属块在做平抛运动B.经过足够长的时间金属块一定会与高台右侧边缘相碰C.金属块运动过程中距高台边缘的最大水平距离为D.金属块运动过程的最小速度为【答案】BCD3．如图倒“V”导轨，两侧导轨倾角为，间距为。分别平行底边放置一根导体棒，其中http+://ww_w.wln100.com未来脑+教学云平台)http://?www.wln100.com未来脑教学云平

4、台%%$棒质量为，电阻为，cd棒质量为，电阻为h+ttp://www.wln100.com未来脑教学云平台$*，两棒与导轨的动摩擦因数均为，导轨顶端MN间连接内阻为技术资料专业整理WORD完美格式的电源，两棒通过一根绕过顶端光滑定滑轮的绝缘轻线连接，细线平行于左右导轨平面，左右空间磁场均垂直于斜面向上，左右两斜面磁感应强度均为，为了使两棒保持静止，电源电动势的取值满足什么条件。【答案】4.5VE13.5V【解析】本题考查了电磁感应与电路的综合问题，意在考查考生的综合分析和解决能力。设流过ab，cd的电流分别为，由电路结构得：= ①E

5、=()r+   ②通过比较得知，当电动势最小时gsinθ=BL++BL++ghttp:#//www).wln100.com未来脑教学云平#台sinθ③=μgsinθ =μgsinθ  ④得：=4.5V当电动势最大时gsinθ++=BL+BL+gsinθ⑤得：=13.5V故：4.5VE13.5V4．如图，A、C两点分别位于x轴和y轴上，∠OCA=30°，OA的长度为L。在区域内有垂直于xOy+http://www.wln_100.com未来脑教学云平台

6、+平面向里的匀强磁场。质量为m、电荷量为q的带正电粒子，以平行于y轴的方向从OA边

7、射入磁场。已知粒子从某点射入时，恰好垂直于OC边射出磁场，且粒子在磁场中运动的时间为t0。不计重力。(1)求磁场的磁感应强度的大小；技术资料专业整理WORD完美格式(2)若粒子先后从两不同点以相同的速度射入磁场，恰好从OC边上的同一点射出磁场，求该粒子这两次在磁场中运动的时间之和；(3)(选做)若粒子从某点射入磁场后，其运动轨迹与AC边相切，且在磁场内运动的时间为，求粒子此次入射速度的大小。【答案】(1)    (2)      (3)【解析】本题考查了带电粒子在有界场中的运动等知识点，考查了考生的理解和应用能力。（1）粒子在磁场中

8、做匀速圆周运动，在时间内其速度方向改变了90°，故它的周期            ①http)://www.wln

9、100.c@om未来脑教学云平台设磁感应强度大小为B，粒子速度为v，圆周运动的半径为r。由洛伦兹力公式和牛顿定律得        ②匀速圆周运动的速度满足       ③联立①②③式得④；（2）设粒子从OA变两个不同位置射入磁场，能从OCh*tt$p://www.wln#1#00.com未来脑教学云平台边上的同一点P射出磁场，粒子在磁场中运动的轨迹如图（a）所示。设两轨迹所对应的圆心角分别为和。由几何关系有⑤粒子两次在

10、磁场中运动的时间分别为t1与t2，则⑥；技术资料专业整理WORD完美格式（3）如图（b），由题给条件可知，该粒子在磁场区域中运动，则的轨迹圆弧对应的圆心角为120°。设http://ww

11、w.wln100.com未来$脑教学云平台+为圆弧的圆心，圆弧的半径为，圆弧与AC相切于B点，从D点射出磁场，由几何关系和题给条件可知，此时有⑦⑧根据几何关系  ⑨设粒子此次入射速度的大小为，由圆周运动规律联立①⑦⑧⑨式得。技术资料专业整理WORD完美格式5．如图所示，在y轴上A点沿平行x轴正方向以http://www.wln10*0.%com未来

12、脑教学云平台%+发射一个带正电的粒子，在该方向距A点3R处的B点为圆心存在一个半径为R的圆形有界的匀强磁场，磁场方向垂直纸面向外，当粒子通过磁场后打到x轴上的C点，且速度方向与x轴正向成60°角斜向下，已知带电子粒的电量为q，质量为m