flash存储器在tms320c3x系统中的应用

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1、Flash存储器在TMS320C3x系统中的应用摘要：以基于TMS320C32DSP开发的故障录波装置为模型，介绍AMD公司的Flash存储器Am29F040的原理和应用；利用它操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在Flash存储器内的特性，结合TMS320C3x提出实现DSP系统上电后用户程序的自动引导的方法。引言在对电力系统断路器的状态监测过程中，需要对故障数据进行保存，以便于查扑克；在则故障期间难免会出现停机的现象，因此，如何在断电的状态下保存数据，就成为一个关键问题。对于故障出现的监测装置必须满足两个基本的特性

2、——实时性和快速性。这两种特性都需要以快速处理大量的数据信息为基础，所以我们采用数据信号处理DSP来满足这方面的要求。现在，闪存（FlashMemory）已经成为DSP系统的一个基本的配置。这里Flash存储器主要用来存放用户程序代码。一般来说，将用户需要的程序代码装入Flash存储器有三种方法：一种是在存储器出厂前将数据写入；一种是用户使用编程器自己编程；最后一种是将存储器安装在用户电路板后进行编程。随着芯片制造工艺的提高，芯片的集成度也越来越高，使Flash存储器正在向小型化、帖片式方向发展。本文结合TMS320C3

3、x系列的DSP上电引导表产生方法，讨论AMD公司生产的Am29F040闪存在系统中的编程方法。1Flash存储器Am29F040Am29F040是AMD公司生产的Flash存储器，主要作用是固化程序和保存历史数据，也就是开机后执行闪存的程序，并在程序执行的过程中实时地保存或修改其内部的数据单元。下面首先介绍Am29F040的特点和操作。Am29F040是采用5V单电源供电的可编程只读存储器，是一种电可擦除与重新编程的器件。该器件由8个独立的64K字节块组成，访问速度为55～150ns。片内的状态机编程和擦除器件、嵌入式字

4、节编程与区段/芯片擦除功能是全自动的。内部结构框图如图1所示。A0～A18：地址线。其中A8～A18提供存储区地址，行地址确定所在扇区；A0～A7选定其扇区的一个字节，扇区容量是256字节。DQ0～DQ7：数据输入/输出。在读周期输出数据；在写周期接收数据。写过程中写入的数据被内部锁存。CE：输入，芯片使能，低电平时选中该器件。OE：输入，输出使能，低电平时打开数据输出缓冲区，允许读操作。WE：输入，写使能，低电平时允许写操作。Vcc为5V电源。Vss为地。工用方式有读方式、待机方式、输出禁止及算法选择。例如，对于写操作

5、的编程命令，如表1所列。其中：RA为被读出的存储单元地址；PA为被编程的存储单元地址；RD为所选地址单元被读出的数据；PD为所选地址单元被编程的数据。除编程地址、区段地址和读地址之外的所有总线周期地址，地址引脚A18、A17、A16、A15为高或低。下面以命令表的编程命令为例。简要介绍字节编程。表1所列命令是一个4总线周期指令。首先，在地址5555H写入数据0AAH，地址2AAAH写入数据055H，再在地址5555H写入数据A0H，最后是编程的地址和数据。表1软件命令简表命令总线周期第一周期第二周期第三周期第四周期地址数

6、据地址数据地址数据地址数据读/复位1XXXXHF0H　　　　　　读/复位45555HAAH2AAAH55H5555HF0HRARD算法选择45555HAAH2AAAH55H5555H90HRARD字节编程45555HAAH2AAAH55H5555HA0HPAPD对于芯片擦除功能，自动地提供编程和电擦除之前，校验所有存储单元所需的电压和时序，然后自动擦除并校验单元界限。利用数据轮询（datapolling）特性，可以监视自动芯片擦除操作期间器件的状态，以检验操作是否完成。