《高电压小测》word版

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1、一、选择题1.钢化玻璃型绝缘子具有损坏后“自爆”的特性。2.硅橡胶具有憎水性。3.电化学击穿不是固体电介质击穿的常见形式。4.电介质的极化性能可以用电容量的变化来描述。5.相对介电常数是大于1的常数。6.与气体、液体介质相比，固体电介质的击穿场强高。7.介质的表面电导更容易受环境湿度的影响。8.外施电厂将使电子逸出金属势垒降低。二、填空题1.根据巴申定律，在某一pd值下，击穿电压存在极小值。2.气体中带电质子的消失有扩散、复合、附着效应等几种形式。3.汤逊理论是在低气压、pd较小的条件下放电实验的基础上建立的。4.根据电晕放电的特点

2、，可分为两种形式：电子崩形式和流注形式。5.带电质点运动是浓度变均匀的过程称为带电质点的扩散。6.带异号电荷质点相遇，发生电荷传递和中和还原成中性质点的过程称为复合。7.先导通道的形成是以热电离的出现为特征的。8.解释气压较高、距离较长的间隙中的气体放电过程可用流注理论。9.国际上高压一般指交流35-220KV的电压；超高压一般指交流330-1000KV的电压；特高压一般指交流1000KV及以上的电压。10.高压直流输电适用范围（1）长距离大功率的电力输送、在超过交直流输电等价距离时最为合适。（2）海底电缆送电（3）为开发新电源提供

3、配套技术。11.树枝可以因介质中间歇性的局部放电而缓慢的扩展，更可以在脉冲电压作用下迅速发展。12.极性有机介质的介电常数在软化范围内随温度升高而减小。13.电介质的极化越强表面束缚电荷面密度也愈强。14.电介质的极化强弱可以用介电常数的大小来表示。11.电介质的相对介电常数为εr=C/C0。12.电介质的电气特性的四个主要参数为电导率γ、介电常数ε、介质损耗角tanδ、击穿电场强Eb。13.绝缘材料的损耗指数等于tanδ*εr。三、简答题1.简要论述电子崩的形成过程并绘制示意图。电子崩的形成过程可简单描述如下：假定由于外电离因素的

4、作用，在阴极附近出现一个初始电子，这一电子向像阳极运动时，如电场强度足够大，则会发生碰撞电离，产生一个新电子，新电子与初始电子再像阳极的行进过程中还会发生碰撞电离，产生两个新电子，电子总数增加到4个。第三次电离后电子数将增至8个，即几何数不断增加到4个。由于电子数如雪崩式增长，因此将这一剧增的电子流称为电子崩。2.简要论述汤逊放电理论。答:设外界光电离因素在阴极表面产生了一个自由电子，此电子到达阳极表面时由于过程，电子总数增至个。假设每次电离撞出一个正离子，故电极空间共有（－1）个正离子。这些正离子在电场作用下向阴极运动，并撞击阴极

5、．按照系数的定义，此（－1）个正离子在到达阴极表面时可撞出（－1）个新电子，则(-1)个正离子撞击阴极表面时，至少能从阴极表面释放出一个有效电子，以弥补原来那个产生电子崩并进入阳极的电子，则放电达到自持放电。即汤逊理论的自持放电条件可表达为r(-1)=1或＝1。3.简要论述气体放电的流注理论并绘制流注形成过程示意图在初始阶段，气体放电以碰撞电离和电子崩的形式出现，但当电子崩发展到一定程度后，某一初始电子崩的头部积累到足够数量的空间电荷，就会引起新的强烈电离，和二次电子崩，这种强烈的电离和二次电子崩是由于空间电荷是局部电场大大增强以及

6、发生空间光电离的结果。这时放电即转入新的流注阶段。4.固体无机介质中，无机晶体无机玻璃和陶瓷介质的损耗主要是由那些损耗组成？无机晶体的介质损耗主要来源于电导无机玻璃的介质损耗主要由附加的碱金属离子所引起陶瓷的介质损耗主要由玻璃相中离子电导损耗、结构较松的多晶点阵结构引起的松弛损耗以及气隙中含水分引起的界面附加损耗tanδ相当大5.电子电导的导电机制有哪些？电子电导结构能带模型-晶体中电子电导跳跃模型-非规则晶体中电子电导自由电子气模型-空间电荷限制电流1.怎样降低介质表面电导？有哪些措施？（1）任何介质处于干燥的情况下，介质表面的电

7、导减小。（2）采用疏水介质，并使介质表面保持干净，有时为了要降低亲水介质的表面电导，可在介质表面涂以疏水介质。2.试解释下什么是电介质的击穿？当施加于电介质的电场增大到相当强时，电介质的电导就不服从欧姆定律了，实验表明，电介质在强电场下的电流密度按指数规律增加而增加，当电场进一步增强到某个临界值时电介质的电导突然剧烈增加使电介质便由绝缘状态变为导电状态。这一跃变现象称为电介质的击穿。