北京口腔内科学主治医师初级职称模拟试题

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1、北京口腔内科学主治医师初级职称模拟试题一、单项选择题（共25题，每题2分，每题的备选项中，只有1个事最符合题意）1、支持、固位和稳定作用均较好的卡环臂是A．4型卡臂B．1型卡臂C．5型卡臂D．2型卡臂E．3型卡臂2、复合树脂充填时，洞形要求不包括A．洞缘及点线角圆钝B．洞缘制备成斜面C．前牙可保留无基釉D．洞缘线圆缓E．不必做固位形3、对钴铬合金铸件用氢氧化钠水溶液进行煮沸的浓度是A．35%B．20%C．30%D．10%E．25%4、弯制活动矫治器的双曲舌簧常用A．直径为0.7～0.8mm的钢丝B．直径为0.5～0.6mm的钢丝C．直

2、径为0.4～0.5mm的钢丝D．直径为0.8～0.9mm的钢丝E．直径为0.8mm的钢丝5、后牙固定桥修复时，为减少基牙负担，下列哪项措施是正确的A．减小桥体与牙槽嵴的接触面积B．减小桥体颊舌径C．减小桥体近远中径D．减小桥体与对牙合牙的接触关系E．增加桥体龈端与牙槽嵴的接触面积6、切导斜度是指A．义齿前牙切道与眶耳平面的交角B．义齿前牙切道与水平面的交角C．颗状突与水平面的交角D．颗状突与眶耳平面的交角E．颗状突与关节窝的关系7、腮腺导管口位于A．颊部黏膜的下1/3处B．下颌第二磨牙牙冠部平对的颊黏膜上C．颊脂垫尖D．平对上颌第二磨

3、牙牙冠部的颊黏膜上E．翼下颌皱襞与颊垫尖之间8、铸造支架对耠支托窝宽度的要求是A．前磨牙的近远中径的1/2B．前磨牙颊舌径的1/2C．宽度约为2mmD．磨牙近远中径的1/2E．磨牙的颊舌径的1/29、正畸施力只有牙槽骨的吸收，却没有或只有少量的牙骨质吸收的原因是A．牙骨质硬B．牙槽骨修复能力强C．牙根表面总是覆盖着一薄层尚未钙化的类牙骨质D．牙周膜内环境的稳定性E．颌骨可塑性强10、手工弯制连接体的上升段时，需作约多少度的弯曲A．90°B．70°C．100°D．50°E．120°11、翼外肌功能不足可形成A．近中错牙合B．远中错牙合C

4、．中性错牙合骀D．对刃牙合胎E．牙列拥挤12、备洞过程中，引起的牙髓反应在临床上不可能表现为A．钻针切割牙体组织时疼痛B．切割牙体组织时只有酸痛感C．治疗结束后，仍有激发痛D．治疗结束后，出现自发痛E．治疗结束后，出现咬合痛13、上颌骨骨折X线摄片检查，应选择A．曲面断层B．颅顶位(颏顶位)C．上颌牙合片D．柯氏位(鼻额位)E．华氏位(鼻颏位)14、牙冠的斜面是指以下哪部分A．组成牙尖的各个面B．构成边缘嵴的各个面C．牙冠上斜形的面D．构成斜嵴的各个面E．组成嵴的各个面15、妊娠期妇女拔牙的时间可在A．妊娠期间禁忌拔牙B．拔牙对妊娠妇

5、女无影响C．妊娠第1、2、3个月期间D．妊娠第4、5、6个月期间E．妊娠第7、8、9个期间16、口外上颌前方牵引矫治器适用于哪种患者A．安氏Ⅲ类反骀的成人患者B．乳牙期安氏Ⅲ类错牙合的患者C．安氏Ⅲ类反牙合的18岁以上患者D．安氏Ⅲ类骨型反牙合，且上颌前部发育不足，正处于生长发育期的患者E．安氏Ⅱ类错骀患者17、口腔内扪诊可以检查以下症状，除外A．牙松动度B．牙髓炎症程度C．黏膜肿胀范围D．溃疡的基底情况E．骨膜下囊肿的波动感18、下列对智齿冠周炎的描述，错误的是A．智齿冠周炎主要发生在萌出不全的患者B．上颌第三磨牙冠周炎发病率较低C

6、．临床上以远中水平阻生智齿冠周炎为好发D．是指发生在智齿牙冠周围的软组织炎症E．临床上以下颌智齿冠周炎多见19、位于上颌骨的是A．卵圆孔B．圆孔C．眶下孔D．颏孔E．下颌孔20、下列患者不适合牙髓电测者是A．冠心病患者B．癫痫病患者C．高血压患者D．装心脏起搏器者E．糖尿病患者21、一般的全口义齿塑料基托的厚度为A．0.5～1mmB．2.0～2.5mmC．2.5mm～3mmD．1.0mm～1.5mmE．1.5mm～2mm22、舌的味觉支配神经为A．舌神经B．参与舌神经的鼓索纤维C．舌咽神经D．舌下神经E．舌前神经23、牙周病的全身易感

7、因素不包括A．性激素B．糖尿病C．吸烟D．遗传因素E．高血压24、关于恶性黑色素瘤的生物学特性描述，不正确的是A．呈浸润性生长B．发生于口腔黏膜者预后较发生于皮肤者好C．可见血道转移D．早期淋巴结转移E．可形成子瘤25、口腔颌面部手术采用全麻时容易发生的危险是A．应激性消化道出血B．心血管系统的意外C．呼吸道阻塞D．中枢神经系统的意外E．麻醉的深度不易掌握二、多项选择题（共25题，每题2分，每题的备选项中，有2个或2个以上符合题意，至少有1个错项。错选，本题不得分；少选，所选的每个选项得0.5分）1、引起根尖周炎的物理因素为A．根充超

8、填B．根管器械出根尖孔C．咬合创伤D．急性外伤E．包括以上各项2、牙骨质龋的破坏方式为A．以上都可以B．沿牙本质牙骨质界C．沿牙骨质生长线D．沿釉牙骨质界E．垂直于牙骨质生长线3、无黏膜下层的是A．舌腹黏膜B．颊黏膜C．