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1、DC/DC变换器的发展与应用 周志敏(莱芜钢铁集团公司动力部,山东莱芜271104) 摘 要:介绍电压调整模块(VRM)技术、软开关技术和高频磁技术在DC/DC变换器中的应用,分析DC/DC变换器发展的关键技术,并探讨其发展的趋势。 关键词:电压调整模块;软开关;高频磁技术1引言 直流-直流变换器(DC/DC)变换器广泛应用于远程及数据通讯、计算机、办公自动化设备、工业仪器仪表、军事、航天等领域,涉及到国民经济的各行各业。按额定功率的大小来划分,DC/DC可分为750W以上、750W~1W和1W以下3大类。进入20世纪90年代,DC/DC
2、变换器在低功率范围内的增长率大幅度提高,其中6W~25WDC/DC变换器的增长率最高,这是因为它们大量用于直流测量和测试设备、计算机显示系统、计算机和军事通讯系统。由于微处理器的高速化,DC/DC变换器由低功率向中功率方向发展是必然的趋势,所以251W~750W的DC/DC变换器的增长率也是较快的,这主要是它用于服务性的医疗和实验设备、工业控制设备、远程通讯设备、多路通信及发送设备,DC/DC变换器在远程和数字通讯领域有着广阔的应用前景。 DC/DC变换器将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压,这种技术被广泛应用于无轨电车、地铁、列车、电动车的
3、无级变速和控制,同时使上述控制具有加速平稳、快速响应的性能,并同时收到节约电能的效果。用直流斩波器代替变阻器可节约20%~30%的电能。直流斩波器不仅能起到调压的作用(开关电源),同时还能起到有效抑制电网侧谐波电流噪声的作用。 DC/DC变换器现已商品化,模块采用高频PWM技术,开关频率在500kHz左右,功率密度为0.31W/cm3~1.22W/cm3。随着大规模集成电路的发展,要求电源模块实现小型化,因此就要不断提高开关频率和采用新的电路拓扑结构。目前,已有一些公司研制生产了采用零电流开关和零电压开关技术的二次电源模块,功率密度有较大幅度的提
4、高。 电子产业的迅速发展极大地推动了开关电源的发展。高频小型化的开关电源及其技术已成为现代电子设备供电系统的主流。在电子设备领域中,通常将整流器称为一次电源,而将DC/DC变换器称为二次电源。一次电源的作用是将单相或三相交流电网变换成标称值为48V的直流电源。目前,在电子设备中用的一次电源中,传统的相控式稳压电源己被高频开关电源取代,高频开关电源(也称为开关型整流器SMR)通过MOSFET或IGBT实现高频工作,开关频率一般控制在50kHz~100kHz范围内,实现高效率和小型化。近几年,开关整流器的功率容量不断扩大,单机容量己从48V/12.5
5、A、48V/20A扩大到48V/200A、48V/400A。 因为电子设备中所用的集成电路的种类繁多,其电源电压也各不相同,在电子供电系统中,采用高功率密度的高频DC/DC隔离电源模块,从中间母线电压(一般为48V直流)变换成所需的各种直流电压,可以大大减小损耗、方便维护,且安装和增容非常方便。一般都可直接装在标准控制板上,对二次电源的要求是高功率密度。因为电子设备容量的不断增加,其电源容量也将不断增加。2电力电子器件 功率变换技术高速发展的基础是电力电子器件和控制技术的高速发展,在21世纪,电力电子器件将进入第4代即智能化时代,具有如下显著
6、的特征。2.1高性能化 高性能化主要包括高电压、大容量、降低导通电压低损耗、高速度和高可靠性等4个方面。如IGBT的电流可达2kA~3kA、电压达到4kV~6kV,降低损耗是所有复合器件的发展目标。预计在21世纪IGBT、智能化功率模块(IPM)等器件的导通电压可降到1V以下,而MOSFET、IBGT、MCT等器件的应用频率将达到兆赫数量级。2.2智能化和集成化 智能化的发展是系统智能集成(ASIPM),即将电源电路、各种保护以及PWM控制电路等都集成在一个芯片上,制成一个完整的功率变换器IC。集成电力电子模块(IPEM)是将驱动、自动保护、
7、自诊断功能的IC与电力电子器件集成在一个模块中。由于不同的元器件、电路、集成电路的封装或相互连接产生的寄生参数已成为决定电力电子系统性能的关键,所以采用IPEM方法可减少设计工作量,便于生产自动化,提高系统质量、可靠性和可维护性,缩短设计周期,降低产品成本。 IPEM与IPM或PIC的不同之处在于后者是单层单片集成,一维封装;而前者是高电压、大电流、多层多片集成,三维封装,结构更复杂,多方向散热,其热设计也更加重要。IPEM研究课题中有待解决的基本问题是结构的确定和通用性,新型电力电子器件评估的主要方面是开关单元、拓扑结构、高电压大电流功率器件的
8、单片集成。大功率无源器件集成、IPEM三维封装(控制寄生参数,将寄生影响控制在最小范围)、热管理、IPEM设