微电子工艺 制造技术 复习

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1、1.1硅单晶的化学性质硅Si,密度为2.4g/cm3,熔点1420℃,沸点2360℃。硅分为单晶和多晶硅两种:单晶硅---〉集成电路等;多晶硅---〉太阳电池等。硅单晶和酸在通常条件下不起反应,只与(HF+HNO3)混合酸反应。在反应中。硝酸起氧化剂作用。而氢氟酸则起络合剂的作用。因此,(HF+HNO3)混合酸可以硅的腐蚀液。强碱能和单晶硅反应,生成硅酸盐并释放出氢气,如下式:Si+2KOH+H2O=K2SiO3+2H2↑(1-2)Si+2NH4OH→(NH4)2SiO3+2H2↑(1-3)Si+Ca(OH)2

2、+NaOH=Na2SiO3+CaO+2H2↑(1-5)在高温,气态氟化氢与硅进行反应:Si+4HF=SiF4↑+2H2↑(1-4)(1)二氧化硅Si+O2=SiO2+203kJ(1-6)无色透明固体,熔点达1713℃。石英(密度2.65g/cm3):水晶。地壳(Qiao)二分子一以上是由二氧化硅组成。熔化的SiO2仅在2590℃时才沸腾。SiO2不溶于水,除HF外不和其它酸反应,SiO2+4HF=SiF4↑+2H2OSiO2与强碱反应:SiO2+2NaOH=Na2SiO3+H2O(1-7)SiO2+NaCO3=

3、Na2SiO3+CO2↑(1-8)(2)一氧化硅(升华温度1700℃)高温:SiO2+Si=2SiO(1-9)(3)碳化硅(超硬材料)(又称金刚砂)2000℃:510.448J+SiO2+3C=2CO+SiC(1-10)2500℃升华再结晶制成单晶碳化硅:金刚砂(不与酸反应,HF与HNO3混合酸除外)。碳化硅:金刚砂与碱反应:SiC+4NaOH+3O2=Na2SiO3+Na2CO3+2H2O(4)氮化硅(超硬材料)ä将硅与氮加热至1300℃以上,能直接化合成氮化硅(Si3N4),并释放出大量热(656.888k

4、J/mol)。3Si+2N2=Si3N4äCVD法制备氮化硅薄膜,应用于IC制备中抗辐射:700-900℃:3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2(1-11)硅烷(SiH4)ä高纯硅的制备:一般首先由硅石(SiO2)制得工业硅(粗硅),再制成高纯的多晶硅,最后拉制成半导体材料硅单晶。10问题1:中国单晶硅的发展历史情况简单介绍?在高纯硅制备方面;中国采用(1)三氯化氢硅还原法(2)硅烷热分解法(3)四氯化硅还原法。制取粗硅。硅石与焦炭混合制取粗硅:1800℃SiO2+3C=SiC+2CO↑2SiC+SiO2

5、=3Si+2CO↑粗硅总反应式:SiO2+2C=Si+2CO↑1.3.1三氯化氢硅还原法SiHCl3三氯化氢硅的合成Si+3HCl=SiHCl3+H2↑1.3.2硅烷热分解法硅烷(SiH4)是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。1.3.3四氯化硅还原法(1)工业粗硅氯化制备四氯化硅Si+2Cl2=SiCl4(2)精馏提纯四氯化硅(3)纯四氯化硅的氢还原SiCl4+2H2=Si+4HCl↑纯水江水、河水、湖水、海水以及

6、地下水等自然的水通称为天然水。一般水中的杂质按形态不同,分为三类:(1)悬浮物质(2)胶体物质(3)溶解物质2.1.1.1水的纯度水的纯度常以水中含盐量或水的电导率来衡量。水的纯度分为下列四种:(1)淡化水:(2)除盐水:(3)纯水:(4)高纯水在半导体生产中,各种产品对水的纯度要求不同,将水分为纯水与高纯水两种。纯水又称去离子水,即去掉阴离子、阳离子和有机物等杂质的水。将自来水等原水经沙滤器除去难溶于水的杂质,在经活性炭吸附除去有机物,最后经离子交换柱进行离子交换,即可除去水中的强电解质,同时可除去大部分硅酸

7、及碳酸等弱电解质。纯水中剩余含盐量一般应在1.0mg/L以下。通常半导体工艺清洗用的纯水,25℃时电阻率须在5M×Wcm以上。R=ρl/s其中的ρ就是电阻率,l为材料的长度,s为面积即水越纯导电能力越差10高纯水或超纯水:所悬浮颗粒直径在0.45mm以下、细菌数在0~10个/mL、25℃时电阻率在10M×Wcm以上的水。将纯水在惰性气体保护下经化学处理、蒸馏、膜滤及紫外照射杀菌等方法处理后,便可获得高纯水。目前制出的高纯水纯度已能达到99.99999%,水的电阻率已能达到18M×Wcm以上(不导电)。但水中依然

8、存在0.01mg/L的杂质离子。纯水可以充当与杂质产生化学反应的介质,即可以达到溶解去除杂质的目的。微电子行业中,清洗所用的各种有机溶剂和酸等也不是最纯的,它们对被清洗的硅片等物质也玷污。由于纯水的纯度是最高的,因此最后一道清洗工序是用纯水来完成的。一般来说温度越高,物质的溶解度越大,因此热水的清洗效果更好,必要时可用热纯水冲洗。冲洗次数越多,清洗的效果越好。2.2.3高质量的高纯水新

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