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1、电容器规格详细介绍电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容,电解质芯片电容,塑料薄膜电容,陶瓷电容,及陶瓷芯片电容等大类别.1.电解质电容器种类:依照细部材质,形状,及功能特性可再区分为标准型(>11mm高度),迷你型(7mm高度),超迷你型(5mm高度),耐高温型(105℃),低漏电型,迷你低漏电型(7mm高度),双极性型,无极性型,及低内阻型(LowESR)等.2.电解质芯片电容器种类:依照细部材质,形状,及功能特性可再区分为标准型芯片,耐高温型芯片(105℃),无极性型芯片,及钽质芯片等.3.塑料薄膜电容器
2、种类:依照细部材质,形状,及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜,金属化聚乙烯薄膜,聚乙脂薄膜,聚丙烯薄膜,直流用金属化聚丙烯薄膜,及交流用金属化聚丙烯薄膜等.4.陶瓷电容器种类:依照细部材质,形状,及功能特性可再区分为Class-1(T.C.Type)温度补偿型,Class-2(Hi-KType)高诱电型,Class-3(S.C.Type)半导体型等.5.陶瓷芯片电容种类:依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402,0603,0805,1206等较具普遍性电容器主要电气规格1.电容量Capacitance:一般电解电容器
3、的电容量范围为0.47uF-10000uF,测试频率为120Hz.塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF,测试频率为1KHz.陶瓷电容器T/Ctype的电容量范围为1pF-680pF,测试频率为1MHz.Hi-Ktype的电容量范围为100pF-0.047uF,测试频率为1KHz.S/Ctype的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2.电容值误差Tolerance:一般电解电容器的电容值误差范围为M即+/-20%,塑料薄膜电容器为J即+/-5%或K即+/-10%,或M即+/-20%三种,陶瓷
4、电容器T/Ctype为C即+/-0.25pF(10pF以下时),或D即+/-0.5pF(10pF以下时),或J或K四种.Hi-Ktype及S/Ctype为K或M或Z即+80/-20%三种.3.损失角即D值:一般电解电容器因为内阻较大故D值较高,其规格视电容值高低决定,为0.1-0.24以下.塑料薄膜电容器则D值较低,视其材质决定为0.001-0.01以下.陶瓷电容器视其材质决定,Hi-Ktype及S/Ctype为0.025以下.T/Ctype其规格以Q值表示需高于400-1000.(Q值相当于D值的倒数)4.温度
5、系数TemperatureCoefficient:即为电容量受温度变化改变之比例值,一般仅适用于陶瓷电容器.T/Ctype其常用代号为CH或NPO即为+/-60ppm,UJ即为-750+/-120ppm,SL即为+350+/-1000ppm.Hi-Ktype(Z)及S/Ctype(Y),其常用代号为B(5P)即为+/-10%,E(5U)即为+20/-55%,F(5V)即为+30/-80%.5.漏电流量Leakagecurrent:此为电解电容器之特定规格,一般以电容器本身额定电压加压3Min后,串接电流表测试,其
6、漏电流量需在0.01CV(uF电容量值与额定电压相乘积)或3uA以下(取其较大数值).特定低漏电流量使用(Lowleakagetype)则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6.冲击电压SurgeVoltage:一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压,需工作正常无异状.7.使用温度范围:一般电解电容器的使用温度范围为-25℃至+85℃,特定高温用或低漏电流量用者为-40℃至+105℃.塑料薄膜电容器为-40℃至+85℃.陶瓷电容器T/Ctype为-40℃至+85℃,Hi-Ktype及S/Ctype为
7、-25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1.所有被动组件中,电容器属于种类及规格特性最复杂的组件.尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异,即使是相同的电容量值与额定电压值,亦有其它不同种类及材质特性的选择.2.以电解电容器为例,由于其电容量值较大,虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A.使用温度范围:需选定一般型-25℃至+85℃或耐高温型-40℃至+105℃B.使用高度限制:传统A/I标准型最低高度为11mm,迷你型为7mm,超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之
8、高度).C.电容量误差值:较高额定电压或电容量大于100uF时,有一般型为+100/-10%或M型+/-20%.D.低漏电流量特性:用于某些特定电路,与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E.LowESR低内阻特性:用于某些滤波电路,需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F.Bipolar双极性特性:用于高频脉波电路,需配
