高级微电子技术

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1、高级微电子技术208目录第一章引言5高级微电子技术—微电子中的人类智慧5第二章微电子中的辩证法72.1自动增益控制(AGC)的原理及方法72.1.1AGC双极型晶体管72.1.2AGC电路82.2双栅MOSFET202.3密勒电容效应及应用252.3.1密勒电容概念252.3.2密勒电容效应分析272.3.3减弱密勒电容效应的方法282.3.4密勒电容效应的应用29第三章异质结双极型晶体管HBT323.1半导体异质结333.2HBT的概念和理论363.2.1HBT理论基础363.2.2HBT设计规则453.2.3HBT材料体系4

2、63.3SiGeHBT513.3.1SiGe材料的基本特性513.3.2SiGe基区HBT(窄禁带基区HBT)543.3.3SiGe发射区区HBT(窄禁带发射区HBT)57第四章新型功率器件634.1VDMOS和IGBT634.1.1VDMOS634.1.2IGBT664.2横向结构功率器件704.2.1LDMOS704.2.2LIGBT724.2.3阳极短路LIGBT744.2.4肖特基注入场效应晶体管SINFET754.2.5SiGe阳极LIGBT774.2.6场板LDMOS804.2.7RESURFLDMOS814.2.8

3、LDMOS峰值电场终极解决方法:高K介质LDMOS824.3功率器件的里程碑——超结器件854.4高K介质功率器件874.4.1高K电场调制效应在纵向器件上的应用874.4.2高K的载流子超强积累效应904.4.3高K超级功率器件93第五章闭锁效应的危害和应用1005.1闭锁效应1002085.2可控硅1035.2.1可控硅元件1035.2.2SCR闩锁效应模型1055.2.3可控硅元件的工作原理1055.2.4基本伏安特性1065.2.5可控硅元件的主要参数1085.2.6可控硅的应用1105.3高耐压ESD保护结构1145.

4、3.1ESD概念1145.3.2ESD放电模型1165.3.3ESD测试方法1215.3.4ESD保护器件124第六章双栅MOSFET在抗辐射加固设计中的应用1366.1概述1366.2双栅MOSFET的应用1376.3双栅晶体管结构及其优化1406.4抗总剂量辐射双栅晶体管的性能仿真1426.4.1NMOS高压晶体管的基本性能及抗总剂量性能仿真研究1426.4.2双栅晶体管的MEDICI软件仿真研究145第七章EEPROM和FLASH1507.1非挥发性存储器技术1507.1.1概述1507.1.2非挥发性存储器技术的发展15

5、07.2EEPROM1517.2.1概述1517.2.2EEPROM的FLOTOX管结构1517.2.3EEPROM编程机制1537.3FLASH1547.3.1FLASH结构及工作方式1547.3.2FLASH类型1577.3.3FLASH发展趋势159第八章可编程逻辑器件CPLD和FPGA1638.1可编程逻辑器件(PLD)1638.1.1概述1638.1.2可编程逻辑器件发展历程1678.2CPLD(ComplexProgrammableLogicDevice)1768.2.1乘积项结构CPLD逻辑实现原理1768.2.2

6、基于乘积项的CPLD结构1798.3FPGA(FieldProgrammableGateArray)1828.3.1查找表结构FPGA逻辑实现原理1838.3.2基于查找表的FPGA结构1878.4选择CPLD还是FPGA1938.4.1CPLD定义及特点1938.4.2FPGA定义及特点1942088.4.3FPGA和CPLD的选择1958.4.4CPLD的使用和调试1988.4.5FPGA的使用和调试1998.5可编程逻辑器件发展趋势203208第一章引言高级微电子技术—微电子中的人类智慧如果说科学技术是第一生产力,那么人类

7、智慧就是第一生产力最根本的推动力。从亘古跋涉过来人类的先民在不断认识世界改造世界的过程中,创造了丰富灿烂的文明,一项宏伟工程或一个小发明都无不闪耀着人类智慧。都江堰水利工程便是人类智慧最璀璨的结晶之一。位于四川省都江堰市城西的都江堰,是中国古代建设并使用至今的大型水利工程,被誉为“世界水利文化的鼻祖”。通常认为,都江堰水利工程是由秦国蜀郡太守李冰父子率众于前256年左右修建的,是全世界迄今为止,年代最久、唯一留存、以无坝引水为特征的宏大水利工程。该工程以“深掏滩,低垒堰”为指导思想,正确处理鱼嘴分水堤、飞沙堰泄洪道、宝瓶口引水口

8、等主体工程的关系,使其相互依赖,功能互补,巧妙配合,浑然一体,形成布局合理的系统工程,联合发挥分流分沙、泄洪排沙、引水疏沙的重要作用,使其枯水不缺,洪水不淹。都江堰的三大部分,集中体现了“乘势利导、因时制宜”的人类智慧,科学地解决了江水自动分流、自动排沙、控制进

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