巨磁电阻效应附其传感器原理.doc

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1、巨磁阻效应及其传感器的原理和应用一、概述对于物质磁电阻特性的研究由来已久,早在20世纪40年代人们就发现了磁电阻效应。所谓磁电阻是指导体在磁场中电阻的变化,通常用电阻变化率Δr/r描述。研究发现,一般金属导体的Δr/r很小,只有约10-5%;对于磁性金属或合金材料(例如坡莫合金),Δr/r可达(3~5)%。所谓巨磁电阻(GMR)效应,是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小,而Δr/r急剧增大的特性,一般增大的幅度比通常的磁性与合金材料的磁电阻约高10倍。利用这一效应制成的传感器称为GMR传感器。1、分类GMR材料按其结构可分为具有层

2、间偶合特性的多层膜(例如Fe/Cr)、自旋阀多层膜(例如FeMn/FeNi/Cu/FeNi)、颗粒型多层膜(例如Fe-Co)和钙钛矿氧化物型多层膜(例如AMnO3)等结构;其中自旋阀(spinvalve)多层膜又分为简单型和对称型两类;也有将其分为钉扎(pinning)和非钉扎型两类的。2、巨磁电阻材料的进展1986年德国的Grunberg和C.F.Majkrgak等人发现了Y/Gd、Y/Dy和Fe/Cr/Fe多层膜中的层间偶合现象。1988年法国的M.N.Baibich等人首次在纳米级的Fe/Cr多层膜中发现其Δr/r在4.2K低温下可达50%以

3、上,由此提出了GMR效应的概念,在学术界引起了很大的反响。由此与之相关的研究工作相继展开,陆续研制出Fe/Cu、Fe/Ag、Fe/Al、Fe/Au、Co/Cu、Co/Ag、Co/Au……等具有显著GMR效应的层间偶合多层膜。自1988年发现GMR效应后仅3年,人们便研制出可在低磁场(10-2~10-6T)出现GMR效应的多层膜(如[CoNiFe/CoFe/AgCu/CoFe/CoNiFe]n)。1992年人们利用两种磁矫顽力差别大的材料(例如Co和Fe20Ni80)制成Co/Cu/Fe20Ni80/Cu多层膜,他们发现,当Cu层厚度大于5nm时,层

4、间偶合较弱,此时利用磁场的强弱可改变磁矩的方向,以自旋取向的不同来控制膜电阻的大小,从而获得GMR效应,故称为自旋阀。与此同时,1992年A.E.Berkowitz和Chien等人首次发现了Fe、Co与Cu、Ag分别形成二元合金颗粒膜中的磁电阻效应,在低温下其Δr/r可达(40~60)%。随后陆续出现了Fe-Ag、Fe-Cu、CoxAg1-x/Ag等颗粒多层膜。1993年人们在钙钛矿型稀土锰氧化物中发现了比GMR更大的磁电阻效应,即colossalmagneto-resistance(CMR)庞磁电阻效应,开拓了GMR研究的新领域。GMR效应的理论

5、是复杂的,许多机理至今还不清楚;对于这些理论也分为层间交换偶合(IEC)、磁性多层膜的GMR、隧道磁电阻(TMR)等类型,详情可参阅有关文献。3、巨磁电阻传感器的进展在发现低磁场GMR效应之后,1994年C.Tsang等研制出全集成化的GMR器件—自旋阀。同年,美国的IBM公司研制出利用自旋阀原理的数据读出磁头,它将磁盘记录密度提高了17倍,达5Gbit/6.45cm2(in2),目前已达11Gbit/6.45cm2(in2)。这种效应也开始用于制造角度、位置传感器;用于数控机床、汽车测速、非接触开关、旋转编码器等领域。作为传感器它具有功耗小、可靠

6、性高、体积小、价格便宜和更强的输出信号等优点。最近已研制出利用CMR效应的位置传感器。2000年7月在德国的德雷斯顿举行的第3届欧洲磁场传感器和驱动器学术会议上,关于GMR传感器的论文占论文总数的1/3以上,可见人们的关注程度。样品膜结构结构形式Δρ/ρ(%)温度(K)备注[Fe(4.5)/Cr(12)]50多层2201.5   42300 [Co(15)/Cu(9)]30多层784.2   48300 [Co(8)/Cu(8.3)]60多层1154.2   654.2 [Co(10)/Cu(10)]100多层80300 Co(25)/Cu(19)

7、/Co(4)/Cu(19)/Co(25)多层24.8300 Co(3)/Cu(19)/Co(25)对称自旋阀19300 Co90/Fe10(40)/Cu(25)/Co90Fe10(8)底部自旋阀7300Philips公司NiFe(100)/Cu(25)/Co(22)顶部自旋阀。4.6300IBM公司CoFe/AgCu(15)/CoFe3层结构4-7300NVE公司Fe(60)Co(8)/Cu(23)/AAF/Cu(23)/Co(8)Fe(60)平行双自旋阀6300Siemens公司[Co(30)/Cu(50)/NiFe(30)/Cu(50)]15多

8、层9.9300 [Co(15)/Cu(12)]n多层1704.2 [Co(12)/Cu(11)]180多层55300 NA

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