电工电子学分立元件放大电路

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1、第7章分立元件放大电路返回后一页7.3静态工作点的稳定7.4共集电极电路7.5多级放大电路7.2基本放大电路7.1半导体器件7.6功率放大电路7.1半导体器件半导体的特性：(可制成温度敏感元件，如热敏电阻)掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。光敏性：当受到光照时，其导电能力明显变化。(可制成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。前一页后一页返回1.本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。硅和锗的晶

2、体结构前一页后一页返回7.1.1PN结硅和锗的共价键结构共价键共用电子对共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。+4+4+4+4前一页后一页返回+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键上留下一个空位，称为空穴（带正电）。本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。前一页后一页返回本征半导体的导电机理在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，其结果相当于空穴的迁移。空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可

3、以认为空穴是载流子。因常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子和空穴很少，所以本征半导体的导电能力很弱。当半导体外加电压时，在电场的作用下将出现两部分电流：1）自由电子作定向移动电子电流2）价电子递补空穴空穴电流+4+4+4+4前一页后一页返回本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。跳转

4、前一页后一页返回2.N型半导体和P型半导体N型半导体掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。+4+4+4+4+5多余电子磷原子掺入五价元素在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子返回前一页后一页前一页后一页P型半导体掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，空穴浓度远大于自由电子浓度。空穴称为多数载流子（多子），自由电子称为少数载流子（少子）。+4+4+4+4+3硼原子空穴掺入三价元素接受一个电子变为负离子返回

5、杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体前一页后一页无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。返回1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。abc4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是，N型半导体中的电流主要是（a.电子电流、b.空穴电流）ba前一页后一页返

6、回3.PN结的形成多子的扩散运动内电场E少子的漂移运动浓度差－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体空间电荷区内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。空间电荷区也称PN结前一页后一页返回前一页后一页4、PN结的单相导电性PN结加正向电压（正向偏置）PN结变窄P接正、N接负－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++

7、+++++++U内电场外电场PNIF内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。PN结正向电阻较小，正向电流较大，PN结处于导通状态。返回PN结加反向电压（反向偏置）－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++U内电场外电场PN内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。IRPN结变宽P接负、N接正PN结反向电阻较大，反向电流很小，PN结处于截止状态。温度越高少子的数量越多，反向电流将随温度增加前一页后一页返回PN结的单向导电性1、PN结加正向电压（正

8、向偏置，P接正、N接负）时，PN结处于正向导通状态，PN结正向电阻较小，正向电流较大。2、PN结加反向电压（反向偏置，P接负、N接正）时，PN结处于反向截止状态，PN结反向电阻较大，反向电流很小。前一页后一页返回7.1.2半导体二极管（a）点接触型1.结构：按结构可分三类(b)面接触型结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。前