杏仁核脑片场电位的记录及其应用论文

杏仁核脑片场电位的记录及其应用论文

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1、杏仁核脑片场电位的记录及其应用论文【摘要】目的:探讨基底外侧杏仁核(BLA)离体脑片场电位的记录及其应用.方法:制备杏仁核脑片,在脑片上记录场电位,观察其药理学特性并引导杏仁核的长时程增强(LTP).结果:在脑片保持良好活性及记录系统噪音幅度小于0.01mV的前提下,应用国产微电极放大器及记录系统即可记录到稳定可靠的杏仁核场电位,大小约为海马CA1场电位的1/10;在灌流液中加入α氨基羟甲基恶唑丙酸(AMPAR)受体拮抗剂氰基2硝基喹啉2,3二酮(QX)10μmol/L和N甲基D天冬氨酸

2、(NMDAR)受体阻断剂D,L2氨基5磷酸基戊酸(APV)100μmol/L后,场电位几乎完全被阻断.应用两串高频刺激(间隔10min)刺激外囊,在BLA可引导LTP.结论:杏仁核脑片可记录到稳定可靠的场电位,适用于研究杏仁核的突触可塑性等功能及探讨杏仁核在神经疾病中的作用及其机制.【关键词】杏仁核;场电位;长时程增强0引言杏仁核与学习记忆、情绪、情感密切相关[1].freelpotentiation,LTP),以探讨杏仁核场电位的记录及其应用.1材料和方法1.1材料健康SD大鼠24只,雄性,体质

3、量200~250g(福建医科大学实验动物中心),所有动物均在12h光照/黑暗周期环境中饲养,自由摄食及饮水.D,L2氨基5磷酸基戊酸(APV),氰基2硝基喹啉2,3二酮(QX),谷氨酸(美国Sigma公司);微电极放大器,RM6240数据采集系统(成都仪器厂),其余化学产品均为国产分析纯.1.2方法1.2.1杏仁核脑片制备将SD大鼠以氟烷麻醉后断头,迅速取脑,放置在低于4℃的冰冷人工脑脊液中并进行修块.人工脑脊液中各种离子成分及其浓度(mmol/L)为:NaCl124,KCl3.0,CaC

4、l21.5,MgCl21.5,NaH2PO31.25,NaHCO325,葡萄糖11.人工脑脊液始终充以950mL/LO2和50mL/LCO2,pH7.2~7.4.用振动切片机把含有杏仁核或海马的大脑部分切成脑片(横切面),厚度500μm.脑片实验记录前在常温人工脑脊液中孵育至少1h.1.2.2杏仁核脑片场电位记录将脑片移至界面型记录槽(自制),通过尼龙网与槽内人工脑脊液接触,以1~2mL/min持续灌流脑片,脑脊液温度控制在(30±1)℃,用950mL/LO2和50mL/LCO2混合气体弥散在脑片周围.

5、在解剖显微镜下将双极不锈钢刺激电极置于外囊,记录微电极置于基底外侧杏仁核(basolateralamygdale,BLA)区,其尖端置于脑片表面下约200μm处.刺激电极与记录部位之间的距离约为2mm.微电极内充灌3mol/LNaCl溶液,阻抗为2~5MΩ.场电位经微电极放大器放大后,输出信号用数据采集系统RM6240进行信号的记录、分析和处理.场电位记录基线稳定20min后才开始下一步的实验.场电位的斜率用平均基础值标准化.常规刺激的单相方波信号由RM6240的程控刺激器产生.刺激方波的波宽为0.1m

6、s,频率为0.1Hz,并调整刺激强度使突触反应等于最大突触电位的一半.LTP的引导应用两串频率为100Hz的高频刺激,每串持续1s,串间隔为10min.记录海马场电位时刺激电极放置于海马(cornuammonis1,CA1)区的Schafer侧支通路上,记录电极位于海马CA1区.1.2.3药物加入实验过程中应用的药物均加入到灌流脑片的人工脑脊液中.统计学处理:采用SPSS10.0统计分析软件进行数据录入和整理,实验数据用x±s表示,组间采用方差分析.P0.05为差异具有统计学意义.2结果2.1杏仁核与海

7、马场电位的比较海马CA1区场电位的幅度为(1.46±0.10)mV(n=10,图1).BLA的电位为(0.13±0.05)mV(n=9),其放大倍数为海马的10倍,杏仁核的场电位只有海马CA1场电位的1/10.2.2杏仁核场电位的药理学特性在灌流的人工脑脊液中加入0.1μmol/L谷氨酸,可见场电位明显增大,洗去谷氨酸后场电位基本恢复至基线的水平(图2A).灌流液中加入α氨基羟甲基恶唑丙酸(AMPA)受体拮抗剂QX10μmol后,场电位的幅度显著下降,进一步加入N甲基D天冬氨酸(NMDA)受体阻

8、断剂APV100μmol后,场电位几乎消失,洗去QX和APV后,场电位基本恢复至加药前的水平(图2B).2.3杏仁核LTP的诱导在场电位记录稳定10min后,间隔10min应用两串高频刺激外囊,同时观察场电位幅度和斜率的变化情况.BLA场电位的幅度和斜率的变化趋势一致(表1),两串高频刺激后,场电位明显增大,之后场电位逐渐下降,高频刺激15min后场电位基本稳定,但仍显著大于基础值(n=9,.freelin以上.通过对场电位斜率用基础值标准

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