《极管的认识》word版

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1、在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大?为什么接了个电阻就可以将电流放大转换成电压放大???说下原理可以吗?----在基本的放大电路中，我们通常看到集电极与集电极电阻中间，分接了一个耦合电容，且它的值一般都有取得比较大，因它与地构成交流的输出端;基极耦合电容.基极电阻.基B到射E.最后到地构成输入.一.电流的放大.三极管在某个电路里,如果有一个小的信号流入电路,它的路线为\从基极耦合电容到基极电阻到基B到射E,最后到地.注入的信号电流改变了三极管内部电子的运动,即由BE的电流变化,引起CE的电流变化,电路空载时,CE的电压变化是较

2、小的.当然,我现在不去理CE的变化怎么样,反正三极管的内部电子运动发生了变化,这是肯定的.那么输入的信号电流,引起了电路电源的电流经过集电极电阻到C到E,再到电路电源的负端,即C到地端的电流有了一定的流动,那么,我把这理解为基极电流的改变引起了集电极电流的改变,也把它理解作电流的放大.二.电流放大转换成电压放大?输入电流引起了集电极电流的变化,我们看到在集电极上端接了一个阻值不是很大的电阻,这个电阻在这里起了重要作用----有了集电极电流在串联路线的流动,当它经过集电级电阻时,在这个电阻上肯定要产生一定的压降,比如电源电压为12伏时,假如在电阻两端产生了5伏电

3、压,那么就是12-5=7伏.这个电路在没有信号时,假如输出为12伏电压,在有信号时,输出7伏电压,那么我们可以认为这个放大电路工作在7伏与12伏状态下.我们可不可以这样考虑呢--小的输入信号电流的有与无,最终成为了输出信号的电压变化了.我是这样理解的:小的输入信号它的电流很微弱,电压也很微弱,但经过三极管的放大作用,输入信号的电压由很小变为了7伏,它变强了.还有,共发射极电路,输入电阻越大越好,输出越小越好?有点不明白?----我认为,只要是放大电路,都是输入电阻越大越好,输出越小越好.我是这样理解的:如有某个三极管放大电路,它的输入电阻为101千欧(100千

4、欧的基极电阻+1千欧的BE间电阻),它消耗信号源功率P=U*U(不去理它信号电压为多少)/R=U*U/101千欧(单位:mW)当然R越大,值越小,消耗的信号源信号也就小了,且整个电路的消耗电能也就小了.输出越小越好?--什么是输出电阻呢?比如在那个基本的三极管放大电路中,Rl(负载本身的电阻)+Rc(集电极电阻)就是电路的输出电阻了.Rl+Rc的值越大,在集电极电阻和负载上消耗电能越多,那当然不经济.三极管的电流放大原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者

5、除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。图一:晶体三极管（NPN）的结构图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦

6、接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic

7、与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。二、晶体三极管的开关特性1、静态特性晶体三极管由集电结和发射结两个PN结构成。根据两个PN结的偏置极性，三极管有截止、放大、饱和3种工作状态。图3.5(a)和(b)分别给出了一个用NPN

8、型共发射极晶体三极管组成的简单电路及其