新型功率器件mct关断模型的研究

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时间:2018-11-18

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1、新型功率器件MCT关断模型的研究

2、第1内容加载中...摘要:介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,工作原理。详细地探讨了MCT在关断情况下的建模,采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系,并利用MATLAB/Simulink仿真证明了结论的正确性。关键词:MOS控制晶闸管;状态空间分析法;可关断最大电流  1引言MCT是一种新型MOS/双极复合器件。它是在普通晶闸管中用集成电路工艺制作大量的MOS开关,通过MOS开关的通断来控制晶闸管的开启和关断。所以,MCT既有晶闸管良好的阻断和通态特性,又具有MOS场

3、效应管输入阻抗高,驱动功率低和开关速度快的优点,同时克服了晶闸管速度慢,不能自关断和高压MOS场效应管导通压降大的缺点。由于MCT与IGBT在相同的工作频率下,其关断的控制难度要高,制作工艺更复杂,所以其商业化速度没有IGBT那么快。但是,在牵引和高压DC变换领域中,对大容量,高输入阻抗电力电子器件的迫切需要,激励着对MCT的研究。本文介绍了MCT的工作原理,并详细地探讨了MCT关断模型,分析其模型动态变化时的稳定性,得出可关断的最大电流与其结构的关系,并利用MATLAB仿真,证明推导结论的正确性。2MCT结构与工作特性2.1基本结构MCT可分为

4、P型或N型,对称或不对称关断,单端或双端关断FET门极控制和不同的导通选择(包括光控导通)。所有这些类型都有一个共同特点,即通过关断FET使一个或两个晶闸管的发射极-基极结短路来完成MCT的关断。本文以P型不对称关断MOS门极的MCT为例进行说明。图1是MCT的断面图和等效电路。该等效电路与一般的晶闸管双晶体管模型基本相同,只是加入了导通FET和关断FET。500)this.style.ouseg(this)">(a)断面图500)this.style.ouseg(this)">(b)等效电路图图1MCT的断面图和等效电路图2.2工作特性由MCT

5、的等效电路可知,一个MCT是由大量的这样的等效电路组成的,每一个这样的等效电路包括一个宽基区的PNP晶体管和一个窄基区的NPN晶体管(二者构成晶闸管),以及一个OFF-FET和一个ON-FET。OFF-FET连接在PNP晶体管的基极和发射极之间。同时,还有少部分ON-FET,连接在PNP晶体管的集电极和发射极之间。两只MOS场效应管的栅极连在一起形成MCT门极。当MCT门极相对于阴极施加正脉冲电压时,ON-FET导通,它的漏极电流使NPN晶体管导通,NPN晶体管的集电极电流(空穴)使PNP晶体管导通,而PNP晶体管的集电极电流(电子)又促使了NP

6、N晶体管的导通,这样的正反馈,使MCT迅速由截止转入导通,并处于擎住状态。当门极相对于阴极加负脉冲电压时,OFF-FET导通,PNP晶体管的基极-发射极被短路,使PNP晶体管截止,从而破坏了晶体管的擎住条件,使MCT关断。无论开启或关断,在芯片上各部分都是同时进行的,所以MCT具有较高的开关速度。3MCT的关断模型3.1MCT在关断时的建模MCT的关断是由于PNP晶体管的基极-发射极被短路,使PNP晶体管截止。设PNP晶体管的基极-发射极间的短路电阻为Roff(即OFF-FET导通电阻)。因此,可以得到MCT在关断过程的等效电路图,见图2。500

7、)this.style.ouseg(this)">图2MCT关断时等效电路图MCT等效电路是由上层的PNP晶体管和下层的NPN晶体管耦合而成的,对上下两层的晶体管进行等效,可以得到等效的仿真电路如图3所示。图中Cu,Ru,Vou表示上层PNP晶体管的等效电容,电阻和反电势;Cl、Rl、Vol表示下层NPN晶体管的等效电容,电阻和反电势;au、al、Cb表示上下耦合晶体管电流放大系数和晶体管间的等效电容。500)this.style.ouseg(this)">图3MCT等效仿真电路图对MCT等效仿真电路图可列出电路方程式(1),式(2)及式(3)。

8、If=Cu500)this.style.ouseg(this)">+500)this.style.ouseg(this)">Vu-500)this.style.ouseg(this)">(1)If=Cl500)this.style.ouseg(this)">+500)this.style.ouseg(this)">(2)If=Cb500)this.style.ouseg(this)">+500)this.style.ouseg(this)">Vu+500)this.style.ouseg(this)">Vl-500)this.style.ouse

9、g(this)">(3)式中:If为通过MCT的电流;Vu为上层基极-发射极间电压;Vl为下层基极-发射极间电压;Vf为晶闸管阳极-阴极

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