模拟电子技术1-4

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1、(1-1)1.3半导体三极管★★★★★***§1.3.1基本结构§1.3.2电流放大原理§1.3.3特性曲线一、输入特性二、输出特性三、主要参数四、温度影响五、特殊三极管(1-2)1.3.3特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBECEB实验线路(1-3)一、输入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。(1-4)二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80

2、A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。(1-5)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。IB=IC，IC(1-6)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。(1-7)各工作状态偏置情况：截止放大饱和发射结<死区电压or反偏正偏正偏集电结反偏反偏正偏(

3、1-8)三、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和(1-9)例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=(1-10)2.集-基极反向饱和电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。(1-11)BECNNPICBO

4、ICEO=IBE+ICBOIBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极穿透电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。(1-12)4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，使值明显减小的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。(1-13)6.集电极最大允许功

5、耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCM反比例函数，双曲线的一支ICMU(BR)CEO安全工作区(1-14)温度对UBE的影响iBuBE25ºC50ºCTUBEIBIC四、温度对晶体管特性及参数的影响(1-15)温度对值及ICEO的影响T、ICEOIC(1-16)温度对值及ICEO的影响iCuCEQQ´总的效果是：温度上升时，输出特性曲线上移，造成IC上移。(1-17)五、光电三极管普通三极管是用基极电流的大小来控制集电极电流，而光电三极管是用入射光照度的强弱来

6、控制集电极电流的。举例说明光电三极管的开关作用。(1-19)第一章教学重点不同工作条件下二极管的外特性温度对二极管的影响稳压管的稳压作用需满足的条件理解半导体三极管的电流放大机理（外部条件与内部结构同时起作用）。理解半导体三极管特性曲线的规律，知道半导体三极管工作在饱和区、放大区及截止区的条件。理解ICBO和ICEO对三极管性能的影响。(1-20)第一章结束模拟电子技术基础作业（四版）p701.9