superflash型存储器sst39sf020的特性及应用

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1、SuperFlash型存储器SST39SF020的特性及应用

2、第1lunories）系列产品中的多功能型闪速存储器(Multi-PurposeFlash)，采用单一＋5V电源供电，可方便地应用于嵌入式系统的电路设计中。　　与同容量的其他类型存储器相比，39SF系列闪速存储器具有明显的优点。39SF020的字节写入速度可达20μs，明显高于E2PROM型存储器。而价格又远低于同容量的非易失性静态存储器（NVSRAM），芯片读写速度满足绝大多数场合，是一种性价比很高的存储器。　　39SF020适用于需要程序在线写入或大容量、非易失性数据重复存储的场合，其基于SuperFlash技术的CMOS电路

3、设计可以在降低功耗的同时显著提高系统的稳定性。1　SST39SF020性能特点1．1　SST39SF020的主要特性（1）按256kB×8b结构组织。（2）单一＋5V供电下的读写操作。　　（3）高性能的使用寿命：读写操作可达100000次，数据保存时间大于100年。（4）低使用功耗：芯片选通条件下工作电流为10mA，非选通条件下工作电流为30μA。（5）扇区擦除能力：4kB空间为基本擦除单位。（6）读取数据时间：45～70ns。（7）地址和数据锁存功能。　　（8）芯片擦除和写入时间：扇区擦除时间为18ms，芯片擦除时间为70ms，字节擦除时间为14μs，芯片整体重新写入时间为2s。　　（9）

4、具有内部擦除或写入操作完毕的状态标志位。1．2　SST39SF020内部结构框图　　图1为39SF020内部结构框图，其中A17～A0为地址线，CE＃为芯片选通信号，OE＃可作为读信号，或E2PROM相同，只要读写信号和片选信号配合正确，一般不会出现时序方面问题。其对数据的存储是在芯片选通的基础上，通过调用相应的子程序完成的。这里需要注意的有以下几个问题：　　（1）由于SST39SF020的寻址范围为256kB，而8b或16b单片机直接寻址空间大多是64kB，因此可以将SST39SF020的地址空间划分为64×4kB或32×8kB，连接时将低位地址线与单片机的相应地址线直接相连，高位地址线由

5、单片机的其他端口直接或通过译码电路控制。这样的硬件设计既简单又不容易引起寻址混乱。　　（2）SST39SF020在擦除原有数据或写入字节时，都要调用SST39SF020的特殊指令，该指令的地址由地址线低15位确定，这时高位地址线的电平最好设为固定的逻辑电平“0”或“1”。　　（3）由于SST39SF020扇区擦除程序的清除范围为4kB，且在写入新数据的时候必须将该数据所在4kB大小范围内的原数据清除，所以在程序设计时要注意合理分配数据存储空间。通常应以4kB为基本空间，一次采集数据的存放空间按4kB倍数设计，避免因清除某次数据而将其他有用数据删除。　　（4）在字节写入程序操作完毕后，可延时几

6、个ms再将几个刚写入的数据读出与原值比较，以保证数据正确存入。5　在断路器状态监测系统中的应用　　在设计的断路器开关状态监测系统中，采用39SF020存储最近8次开关动作的监控数据。为了说明39SF020作为系统存储器部分的连接关系，主要画出由39SF020和80C196KC型单片机组成的最小系统，如图7所示。　　39SF020按32kB×8的方式分配地址空间，低8位经地址锁存器与单片机相连，高9～15位与单片机地址总线直接相连，单片机的P2．5～P2．7口与39SF020的最高3位地址线相连用于8块32kB地址空间的选择。系统中由GAL芯片22V10构成组合逻辑提供39SF020的片选信号

7、，39SF020的读写信号与单片机的读写信号直接相连。500)this.style.ouseg(this)">500)this.style.ouseg(this)">6　结　语　　SST39SF020闪速存储器的外围接口电路简单，读写速度快、功耗低，是新一代SuperFlash型存储器。对于存储数据容量较大且需要掉电保存的场合，SST39SF020型存储器相对其他类型存储器成本较低，适宜推广使用。