dsp对am29lv400bflash存储器的烧写、擦除操作

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1、DSP对AM29LV400BFlash存储器的烧写、擦除操作　　1.引言　　Flash是一种可在线进行电擦写，掉电后数据不丢失的EEPROM存储器。它具有功耗低、容量大、烧写和擦除速度快等优点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，简化了软件的工作量，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。DSP是一种高速数字信号处理器。它具有高稳定性、可重复性、可大规模集成，特别是易编程性和易于实现自处理等特点，使得信号处理手段更灵活、功能更复杂、运算速度更快，在数字信号处理领域得到广泛地应用。本文通过完整的实例，介绍以TMS320VC33(简称VC33)为嵌入式系统对AM29

2、LV400BFlash存储器进行烧写和擦除的实现方法。　　2.AMD公司AM29LV400BFlash存储器　　AM29LV400B是AMD公司推出的Flash存储器，它是4兆位(8512K/16256K位)的CMOS工艺扇区擦除、字节编程的电可擦除只读存储器EEPROM。它的主要特点包括如下几个方面：3.3V单电压供电；内部嵌入编程、擦除操作算法，只需向命令寄存器写入标准的微处理器指令，并且可通过查询特定的引脚或数据线来监控操作是否完成；对任一扇区进行烧写擦除操作时不影响其它的扇区数据；可进行100000次的烧写擦除操作，数据保存10年以上。　　本文中Flas

3、h的数据映射到DSP的0x0400000空间，Flash的一个字节对应一个DSP的低8位数据，高24位为无效数据，可以直接按字节进行读写操作。　　3.Flash存储器的基本操作命令以及程序设计流程　　Flash存储器AM29LV400B的基地址为0x400000，每个偏移地址乘以4是因为Flash字节仅占用DSP空间低8位，而DSP的地址是字节地址，所以地址增量为4。　　3.1Flash存储器的操作结束检测　　FlashAM29LV400B内部的编程或擦除算法可自动完成相应操作，但必须了解其内部的操作检测机制，以便知道操作是否完成或正确。常用的检测方法有两种:跳

4、变位(DQ6)检测法、数据检测位(DQ7)检测法。本文中用的是第1种方法，即检测跳变位DQ6。DQ6指的是当前操作地址的D6位，在Flash写操作过程中，对相应地址的连续读均引起DQ6的0、1跳变，只有当写操作结束的时候，DQ6才会停止跳变，此时说明Flash内部操作成功结束，程序代码如下：　　　对读回的DQ6的数值做0x7fffff次比较，如果在所有的比较里该位都产生跳变，则说明Flash内部操作失败；如果DQ6停止跳变，flag标志写1,跳出d文件)，为程序和数据分配存储空间。　　5.1命令链接文件(.cmd文件)的编写　　命令链接文件定义了DSP存储空间分

5、配情况，用于在程序链接加载过程中将编译生成的各个代码段定位到DSP程序和数据存储区上，以本文的项目为例，cmd文件如下：　　　MEMORY命令完成DSP存储空间的分配。本文中将DSP的存储空间分成九部分：ROM区域表示4K的内部ROM区；EXT0区域表示外部存储区；Flash表示的是Flash存储区；VECTOR区域表示存放中断向量表的存储区。　　SECTIONS命令说明编译生成的各个输出段如何定位到存储器。由于在CC3000开发系统下烧写文件到Flash涉及对文件的打开与读写操作与动态存储分配操作，所以应该在SECTIONS里定义.sysmem和.cio两个段

6、，而一般情况下这两个段在编译过程中是不产生的。.sysmem段是提供动态存储分配空间的数据区，主要由malloc、calloc和realloc等动态分配函数所使用，这些函数封装在CC3000提供的系统库函数rts30.lib中。.cio是有关文件IO操作的段，程序中涉及到对文件的打开读写等操作的时候编译才会生成该段。这两个段都是作为程序的数据定义到RAM数据存储器里。　　5.2烧写文件数据到Flash的实现　　在CC3000下打开文件，读取文件数据，并将数据通过VC33写到Flash。下面以小于64K文件的烧写为例，说明在CC3000下烧写Flash的过程，程序

7、代码如下:　　　在CC3000开发系统下，根据文件大小计算将文件数据分成多少个64K大小的块和最后一块小于64K块的长度，并对DSP进行初始化；然后以rb为参数调用fopen函数，即已只读的二进制文件格式打开制定的文件，如果fopen参数里没有写出文件的路径，系统默认为与CC3000生成的.out格式文件在同一个目录下，如果打开成功，获得文件句柄fp；按照块的顺序，依次以字节大小读取文件数据到0x0803000～0x0808000,并调用写Flash函数flash_29LV400B的烧写。其他型号Flash芯片也可按此类方法烧写。