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1、单片机大容量FLASHRAM的扩展
2、第1lun(NVRAM)为存储介质，其缺点是没有硬件和软件写保护，在强干扰下，程序误写的概率大。新型闪速存储器（FLASHRAM)由于同时具有EPROM的可编程能力和EEPROM的电可擦写功能，又能像SRAM一样进行随机快速访问，因而越来越多的受到国内外的广泛关注和应用。28SF040是一个容量为512K×8Bit可块擦除、字节编程的EEPROM，其擦除、编程电压均为5V。（1）单电源5V供电（2）容量512K×8Bit（3）数据保存时间大于10年（4）重复擦写次数典型值100,000次（5）可分块擦除每块256字节（6）可进行硬件及软件写保护（7
3、）快速读取时间(150～200)ns其引脚功能如下：A0～A18为地址线，A0～A7选择一块数据中的某个字节，A8～A18是块地址。DQ7～DQ0为数据I/O总线，读周期输出数据，在写周期接收数据。CE为片选线，低电平时芯片被选中。OE为输出使能端。OS快速闪存,可块擦除、字节编程的EEPROM，与现存的EPROM、EEPROM兼容。它非常适合用在程序和数据重复写入的场合。对这种系统的应用来说，28SF040可提高性能和稳定性。28SF040是大容量并行存储器共计512KByte,而80C196全部寻址空间仅为64KByte，因此直接寻址大于64KByte的存储器是不行的，需要采用分
4、页扩展技术，即CPU只提供大容量存储器的低位地址线，如A0～A12，而高位地址线A13～A18则通过扩展的CPU的I/O口来分页寻址。图1中单片机采用Intel的80C196,其P1口的P1.0～P1.5来控制分页码（0～63）。74HC138译码给28SF040的片选，其地址空间为8000H～9FFFH(也可以是4000～5FFFH等其他CPU8K的地址空间）,图中74HC373为地址锁存器。有关地址描述如下：[A15,A14,A13]通过138译码后形成8KByte空间的译码线对28SF040进行片选。28SF040共有512KByte的空间，可分为64个8KByte，即64页，
5、每页8KByte的空间。其中，28SF040的[A12,A11，…,A0]地址线直接与CPU的[A12,A11，…,A0]相接，高位地址线[A18,A17,A16,A15,A14,A13]通过CPUP1口的[P1.5,P1.4,P1.3,P1.2,P1.1,P1.0]进行页选。在数据记录和转储过程中，有时需要对FLASHRAM特定的地址单元进行读写操作，如FLASHRAM的软件写保护等。下面以对FLASHRAM的绝对地址15555H单元寻址为例，介绍对特定地址寻址。15555H是FLASHRAM28SF040的绝对地址，对于CPU来说，其寻址包括两部分，一是CPU的直接寻址区，即地址
6、线A0～A12,直接和FLASHRAM的地址线A0～A12相接，其值为[1010101010101]，另一部分是CPU的译码地址，即地址线A13'～A15'，没有和FLASHRAM相接，用于系统译码片选FLASHRAM，其值为[100],因此CPU的地址为[1001010101010101]=9555H。P1口直接和FLASHRAM的A13～A18相接，等于[001010]=0AH。FLASHRAM的读写包括块擦除（Sector_Erase）、芯片擦除（Chip_Erase）、字节编程、复位、读ID号、软件数据写保护、软件数据写保护打开。其命令字如下表：（1）进行块擦除操作首先要写一
7、个特征字，然后再发送块擦除命令。特征字为20H，表明以下将擦除一块数据区中256个字节的内容。块擦除命令为20H，其操作在写信号的上升沿开始。（2）芯片擦除操作的特征字和命令字均为30H,其操作将擦除28SF040全部内容。（3）字节编程操作的特征字为10H。例如，对某一字节的写入，应首先判断芯片是否处于写保护打开状态（Unprotected），然后判断是否到了新的一页即，如果是，先把此页全部内容擦除。然后写特征字10H，写数据DATA,之后进行两次读操作，若读出内容相同，则认为该字节已写入数据完成；若D7状态跳变，则说明写过程还未完成。（4）复位命令能够安全地终止擦除或编程命令。在
8、擦除或编程命令后执行复位命令字FFH即能安全终止擦除或编程操作，存储器的内容不会被改变。执行复位命令后，芯片返回读状态。（5）读ID号操作的特征字为90H。地址0000H的输出厂商代码BFH,地址0001H输出芯片代码04H,任何其它有效的命令均会终止这一操作。（6）软件数据保护是为了防止对存储器意外的写入数据或擦除数据，每一操作都包含两个命令字，一个为特征字，跟随一个执行命令字。软件数据写保护是一个整体的命令字，对芯片的整个存储阵列有效。由于FLASHR
