混频二极管及其应用

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1、混频二极管及其应用

2、第1内容加载中...1前言　　混频二极管是一种肖特基势垒二极管，它是利用金属和N型半导体相接触所形成的金属半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时，它们的交界面处会形成阻碍电子通过的肖特基势垒，即表面势垒。为了使半导体中的载流子容易地越过势垒进入金属，它必须采用电子逸出功（电子跑出半导体或金属表面所需的能量）比金属大得多的N型半导体。当二极管加上正向偏压时，势垒下降，多数载流子（电子）便从半导体进入金属。混频二极管与一般二极管相比，由于利用多数载流子工作，没有少数载流

3、子储存效应，所以具有频率高、噪声低和反向电流小等特点，主要用于混频器。2电特性2.1正向特性　　表1给出日立公司生产的混频二极管的电性能，共17个型号，主要用于UHFTV调谐混频器、CATV平衡混频器和调谐混频器，外形DO-35个玻壳封装，尺寸为4.2mm×2.0mm，引出线为2个引脚；DO-34为玻壳封装，尺寸为2.4mm×2.0mm，2个引脚；UMD为微型玻壳封装，尺寸为2.6mm×1.6mm，2个引脚；LLD为无引线玻壳封装，尺寸为3.5mm×1.35mm；MPAK（EIAJSC-59）为

4、片状化封装，尺寸为2.8mm×1.5mm×1.1mm，引出线为3个引脚；SRP为片状化封装，尺寸为2.6mm×1.6mm×1.1mm，引出线为2个引脚。HSM88S/SR和HSM88AS/ASR都是由两个串联的混频二极管组成，HSM88S与HSM88SR的区别仅在于引出线的正负端有所不同，HSM88AS与HSM88ASR的区别也是如此。HSM88D，二是从轴向有引线向片状化方向发展，从DO-35到LLD/MPAK/SRP。　　为了叙述方便，这里仅以1SS86/1SS87为例说明。它们的正向特性由

5、图1所示，当正向电流IF为1mA时，1SS86的正向压降VF≤0.2V，1SS87的VF≤0.45V；当IF为10mA时，1SS86的VF=0.4V，1SS87的VF=0.6V。另外，从表1中可知，国外混频二极管的正向特性越做越好，主要表现在正向特性的一致性更好，有类似于变容管的配对特性，如在IF=10mA下，1SS165的VF=520mV～600mV±5mV；HSM88S/SR与HSM88AS/ASR的VF分别为520mV～600mV±10mV和500mV～580mV±10mV，表明VF的偏差

6、只有5mV～10mV。表1日立的混频二极管型号正向电压VF/mV反向电流IR/μA结电容C/pff=1MHz,VR=0.5V外形用途1SS86≤500(8mA)≤50(0.5V)≤0.85DO-35UHFTV调谐混频器1SS87≤500(3mA)≤10(2V)≤0.85DO-35同上1SS88365430(1mA)520600±5(10mA)≤0.2(2V)≤10(10V)≤0.97±0.05(0V)DO-35CATV平衡混频器1SS165365435(1mA)520600±5(10mA)≤

7、0.2(2V)≤10(10V)≤1.0±0.05(0V)DO-34同上1SS166同上同上≤1.2±0.05(0V)UMD同上1SS174≤500（35mA）≤50(0.5V)≤1.2DO-34UHFTV调谐混频器1SS228≤500（35mA）≤50(0.5V)≤1.1UMD同上1SS276≤500（35mA）≤50(0.5V)≤0.8UMD调谐混频器HSK151≤500（35mA）≤50(0.5V)≤1.2LLDUHFTV调谐混频器HSM885/SR365435(1mA)520600±10

8、(10mA)≤0.2(2V)≤10(10V)≤0.85±0.1(0V)MPAKCATV平衡混频器HSM88AS/ASR350420(1mA)500580±10(10mA)≤0.2(2V)≤10(10V)≤0.85±0.1(0V)MPAK同上HSM882765≤500（35mA）≤50(0.5V)≤0.9±0.1MPAK同上HSR276≤500（35mA）≤50(0.5V)≤0.85SRP调谐混频器500)this.style.ouseg(this)">图11SS86/1SS87的正向特性500

9、)this.style.ouseg(this)">图21SS86/1SS87的反向特性500)this.style.ouseg(this)">图31SS86/1SS87的结电容与反向电压的关系500)this.style.ouseg(this)">图4混频器的组成部分2.2反向特性　　它们的反向特性由图2所示。混频二极管的反向漏电流较小，如在VR=2V下，1SS86的IR为20μA，1SS87的IR为1μA；在VR=4V下，1SS86的IR为70μA，1SS87的IR为4μA，表明1SS87的反