元器件应力定量表征技术概述

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1、元器件应力定量表征技术概述王　琳　于　迪　任　艳　史典阳（工业和信息化部电子第五研究所，广东广州510610）【摘　要】针对当前元器件在使用过程中常见的应力包括热循环和电应力对元器件可靠性影响及失效机理进行了介绍，并概述了当前主流预计标准和相关文献中对上述应力影响的定量表征模型。.jyqk表示结温平均温度，该模型较为简单，但应用最为广泛。该模型较有代表性的研究成果是20世纪90年代瑞士开展的LESIT项目[1]，该项目测试了来自欧洲和日本不同厂家生产的IGBT模块，测量了在不同ΔT和平均温度Tm下功率循环试验中模块失效前所经历的循环次数，

2、其试验结果验证了Coffin-Manson模型在描述热循环对IGBT模块寿命影响的准确性。1.2　Bayerer模型该模型是Bayerer等人在Coffin-Manson模型的基础上提出的[2]，该模型认为除温度、温变外，温升时间、键合线电流大小、键合线直径和击穿电压都会对IGBT模块寿命产生影响，该模型涉及的参数较多，由于不同应力之间并非完全相互独立（如键合线电流大小对器件温度及温变都存在影响），参数难以获取，在实际工程应用时使用难度较大。1.3　改进的Coffin-Manson模型美国国家标准ANSI/VITA51.2中提供了完全基于

3、失效物理的热循环失效模型，该模型基于多层材料热失配并涵盖了焊点和键合的失效，虽并非针对IGBT模块但其模型架构具有一定通用性。其模型可表征如下：基于失效物理的可靠性预计模型相当复杂、涉及参数众多且获取困难，工程可操作性差，而coffin-manson模型因其简便及较好的有效性在工程上得到了广泛的应用，此外比较可以发现FIDES中模型架构与coffin-manson模型十分相似。因此，项目组拟采用coffin-manson模型来定量表征热循环对器件可靠性的影响。2　电应力在不考虑过应力的情况下，电应力对半导体的影响主要可通过三种失效机制来描

4、述：电迁移、热载流子效应以及与时间有关的介质击穿（TDDB），三种失效机制的预计模型可表征如下：2.1　电迁移电迁移是电场下导电电子与组成导体的金属原子之间发生动量交换，从而使金属原子发生移动的现象。电迁移的发生可能会造成局部的短路或断路，其失效时间与材料特性、电流密度和温度有关，由电迁移引发的失效率可用Black方程进行表征：n——对Al金属化而言，取值与互连线中电流密度有函数关系，比较近似的处理是对宽线（平均晶粒度小于线宽）而言n=2，对窄线（平均晶粒度大于线宽）而言n=1。激活能EaEM与材料、特征尺寸（多大的金属空位或小丘可以引发

5、失效）、晶粒大小和温度范围有关。表1给出了一些金属激活能的参考值：2.2　热载流子注入对MOS器件，热载流子是因为源、漏极电流流经沟道（漏极大电场）达到较高的能量，已致温度超出晶格温度而产生的，当载流子获得足够能量时，就可能越过金属-氧化物界面势垒注入到栅氧化层中，导致电荷陷阱和界面态的产生，从而引起器件特性参数的漂移。热载流子注入失效可用幸运电子模型来描述：2.3　与时间相关的介质击穿TDDB是CMOS器件一种较为常见的失效机制，是指栅氧化层上电压较大时，有可能被击穿造成大电流通过，从而使器件发生失效。该失效机制在小特征尺寸器件、高电压

6、工作的情况下较为常见，其失效率预计模型可表征如下：a、b、c、d——拟合参数；T——温度。2.4　其它模型在目前国外主流预计标准中FIDES和TelcordiaSR—332中都针对电应力设置了专门的表征因子，与失效物理模型相比，这些因子模型对失效机制的反映并不明显，但具有统计意义，并在工程中得到了广泛应用。FIDES中对半导体分立器件电应力模型采用了逆幂律模型，可以表示如下：3　结论本文针对当前元器件在使用过程中常见的应力包括热循环和电应力对元器件失效率影响进行了研究，对其各自失效机理进行了阐述，并对应力对可靠性影响的定量表征模型进行了介

7、绍，包括Coffin-Manson模型、Bayerer模型、改进的Coffin-Manson模型、电迁移模型、热载流子注入模型、与时间相关的介质击穿模型以及逆幂律模型。.jyqks.1997:425-430.［２］R.Bayerer,T.Hermann,T.Licht,J.Lutz,andM.Feller,“ModelforpoeofIGBTmodulesvariousfactorsinfluencinglifetime”[C]//The5thInternationalConferenceonIntegratedPos(CIPS).Nur

8、emberg,Germany,March11-13,2008.［责任编辑：汤静］