常用电容电阻电感设计选型

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1、1．贴片电容C：100nF/50VX7R+/-10%0805,-55℃到+125℃>100nF/25VX5R+/-10%0805，+10℃---+85℃一NPO电容器       NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。       NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后       小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其

2、典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。      封装DC="50V"DC="100V"      08050.5---1000pF0.5---820pF      12060.5---1200pF0.5---1800pF      1210560---5600pF560---2700pF       22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μF      NP

3、O电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。           二X7R电容器      X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。      X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。      X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给

4、出了X7R电容器可选取的容量范围。      封装DC="50V"DC="100V"      0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF      12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF      12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF       22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF                三Z5U电容器         Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5

5、U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。       尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。       封装DC="25V"DC="50V"       08050.01μF---0.12μF0.01μF---0.1μF       12060.01μ

6、F---0.33μF0.01μF---0.27μF       12100.01μF---0.68μF0.01μF---0.47μF       22250.01μF---1μF0.01μF---1μF       Z5U电容器的其他技术指标如下:       工作温度范围+10℃---+85℃       温度特性+22%-----56%       介质损耗最大4%             四Y5V电容器       Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。       Y

7、5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。       Y5V电容器的取值范围如下表所示       封装DC="25V"DC="50V"       08050.01μF---0.39μF0.01μF---0.1μF       12060.01μF---1μF0.01μF---0.33μF      12100.1μF---1.5μF0.       01μF---0.47μF       22250.68μF---2.2μF0.68μF---1.5μF      Y5V电容器的其他技术指标如下:      工作

8、温度范围-30℃---+85℃      温度特性+22%-----82%       介质损耗最大5%  钽电容10UF/10VA型,-55℃到+125℃100UF/10VC型