in光电二极管综合实验

in光电二极管综合实验

ID:23692443

大小:1.37 MB

页数:12页

时间:2018-11-09

in光电二极管综合实验_第1页
in光电二极管综合实验_第2页
in光电二极管综合实验_第3页
in光电二极管综合实验_第4页
in光电二极管综合实验_第5页
资源描述:

《in光电二极管综合实验》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、PIN光电二极管实验仪实验指导书PIN光电二极管综合实验仪GCPIN-B实验指导书(V1.0)武汉光驰科技有限公司WUHANGUANGCHITECHNOLOGYCO.,LTD-2-PIN光电二极管实验仪实验指导书目录第一章PIN光电二极管综合实验仪说明-3-一、产品介绍-3-二、实验仪说明-3-1、电子电路部分结构分布-3-2、光通路组件-4-第二章实验指南-5-一、实验目的-5-二、实验内容-5-三、实验仪器-5-四、实验原理-6-五、实验准备-8-六、实验步骤-8-1、PIN光电二极管暗电流测试-8-2、PIN光电二极管光电流测试-9-3、P

2、IN光电二极管光照特性-9-4、PIN光电二极管伏安特性-10-5、PIN光电二极管时间响应特性测试-10-6、PIN光电二极管光谱特性测试-11--2-PIN光电二极管实验仪实验指导书第一章PIN光电二极管综合实验仪说明一、产品介绍对于以高速响应为目标的光电二极管来说,未来减少p-n节的电容,在p与n之间设计一个i层的高阻抗层结构,即在n型硅片上制作一层低掺杂的高阻层,即i层(本征层)在该层上在形成p层。其工作原理:来自p层外侧的入射光,主要由i层吸收,从而产生空穴和电子。使用元件时要外加反向偏压,以使空穴朝p层移动,而电子朝n层移动,再由两电

3、极流到外电路。PIN硅光电二极管正常工作时,外加反向偏压使整个i层耗尽,i层有接近100%的量子效率,此外,比通常光电二极管宽的多的i层耗尽层,使得PIN管有小的多的单位面积结电容,因此,PIN管兼有灵敏度和响应速度的优点。但由于i层的存在,PIN型光电二极管的光谱灵敏度在短波方向减弱,使短波限红外,使用于近红外区域是最大灵敏度波长为1um。PIN型光电二极管可用于:电视摄像机等遥控装置、伺服跟踪信号检测器等。它的外形多作成半圆形的塑料透镜,所以其受光方向多为圆形。GCPIN-B型光电PIN光电二极管综合实验仪主要研究PIN光电二极管的基本特性,

4、如光电流、暗电流、光照特性、光谱特性、伏安特性及时间相应特性等,以及这种光敏器件与其他光电器件的应用差别。二、实验仪说明1、电子电路部分结构分布电子电路部分功能说明(1)电压表:独立电压表,可切换三档,200mV,2V,20V,通过拨段开关进行调节,白色所指示的位置即为所对应的档位。“+”“-”分别对应电压表的“正”“负”输入极。(2)电流表:独立电流表,可切换四档,200uA,2mA,20mA,200mA通过拨段开关进行调节,白色所指示的位置即为所对应的档位。“+”“-”分别对应电压表的“正”“负”输入极。(3)照度计电源:红色为照度计电源正极

5、,黑色为照度计电源负极。(4)直流电源:0~12V可调,“0~12V”为直流电源的正极,另一端为负极。(5)信号测试单元:TP1:与T1直接相连TP2:与T2直接相连TP:光脉冲调制信号测试端注:信号测试单元的GND与直流电源0~12V不共地。-12-PIN光电二极管实验仪实验指导书2、光通路组件图1光电二三极管光通路组件功能说明:分光镜:50%透过50%反射镜,将平行光一半给照度计探头,一半给等测光器件,实验测试方便简单,照度计可实时检测出等测器件所接收的光照度。光器件输出端:红色——PIN光电二极管“P”极。黑色——PIN光电二极管“N”极。

6、-12-PIN光电二极管实验仪实验指导书第二章实验指南一、实验目的1、学习掌握PIN光电二极管的工作原理2、学习掌握PIN光电二极管的基本特性3、掌握PIN光电二极管特性测试的方法4、了解PIN光电二极管的基本应用二、实验内容1、PIN光电二极管暗电流测试实验2、PIN光电二极管光电流测试实验3、PIN光电二极管伏安特性测试实验4、PIN光电二极管光电特性测试实验5、PIN光电二极管时间响应特性测试实验6、PIN光电二极管光谱特性测试实验三、实验仪器1、光电探测综合实验仪1个2、光通路组件1套3、光照度计1台4、PIN光电二极管及封装组件1套5、

7、2#迭插头对(红色,50cm)10根6、2#迭插头对(黑色,50cm)10根7、三相电源线1根8、实验指导书1本9、示波器1台-12-PIN光电二极管实验仪实验指导书四、实验原理图5-1PIN光电二极管的结构和它在反向偏压下的电场分布图5-1是PIN光电二极管的结构和它在反向偏压下的电场分布。在高掺杂P型和N型半导体之间生长一层本征半导体材料或低掺杂半导体材料,称为I层。在半导体PN结中,掺杂浓度和耗尽层宽度有如下关系:LP/LN=DN/DP其中:DP和DN分别为P区和N区的掺杂浓度;LP和LN分别为P区和N区的耗尽层的宽度。在PIN中,如对于P

8、层和I层(低掺杂N型半导体)形成的PN结,由于I层近似于本征半导体,有DN<

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。