新建LED显示屏背光源照明产业化项目可行性研究报告

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1、LED显示屏/背光源/照明产业化项目可行性研究报告LED显示屏背光源照明产业化项目可行性研究报告-132-LED显示屏/背光源/照明产业化项目可行性研究报告第一章总论1.1项目背景1.1.1项目名称某光电科技有限公司LED显示屏/背光源/照明产业化项目。1.1.2承办单位概况1、企业名称某光电科技有限公司。2、公司地址某经济技术开发区。3、法定代表人4、单位概况某省某光电科技有限公司坐落于京、津、保三角中心地带的某市经济开发区内，是一家集LED显示屏、LED照明灯具、城市景观亮化的项目开发、生产、销售和工程服务于一体的高新技

2、术科技企业。公司主要产品有：LED全彩数码管、LED全彩数码灯系列、大功率投光灯、洗墙灯系列、LED大功率室内照明系列，LED室内外显示屏等。产品主要用于城市建筑、酒店大厦、演艺厅、商业街、园林、道路、桥梁等建筑的景观照明、亮化、商业艺术照明、LED显示屏及舞美系统等工程。企业现有员工近百人；各类技术人员占60%，研发技术人员占30%，开发新产品18项，成为中国光学光电子行业光电器件分会的成员单位，申报并取得了大功率LED路灯光照度可调式大功率LED路灯、大功率LED路灯恒流驱动电路的发明实用新型的两项专利。-132-LED

3、显示屏/背光源/照明产业化项目可行性研究报告公司注重产品质量和企业信誉，致力于质量体系建设，推行ISO9000质量管理体系，ISO14000环境管理系统；坚持“科技兴企”战略，注重高科技含量的新技术和新产品的开发。公司坚持“人才兴企”战略，注重人才队伍建设，并逐步为实施“人才工程”、“专家工程”的目标，培育出一支高水平的职工队伍。秉承“诚信、品质、创新”的经营理念，坚持“客户第一”的原则，服务于客户，追求卓越，致力于打造21世纪LED照明行业最具影响力的国际品牌。面对世界经济的高速发展以及全球性的能源短缺，某光电科技有限公司

4、引进国际LED行业先进技术，致力于精确化管理，吸纳行业精英，优化研发团队，不断创新，推动绿色环保的LED应用行业的发展。1.2可行性研究报告编制的依据、原则和范围1.2.1编制依据1、《产业结构调整指导目录(2005年本)》（国发改委第40号令）；2、《关于建设国家电子信息产业基地和产业园的意见》（信部规[2003]219号）；3、《投资项目可行性研究指南（试用版）》（中国电力出版社2002年3月出版）；4、国家及地区的有关政策、法令和法规；5、某光电公司提供的部份资料；6、某光电公司关于委托编制《年产2.4亿只大功率LED

5、半导体绿色照明系列产品技术改造项目可行性研究报告》的委托合同。1.2.2编制原则根据原国家计委委托中国国际工程咨询公司编制的《投资项目可行性研究指南》，进行可行性研究工作并编写可行性研究报告。-132-LED显示屏/背光源/照明产业化项目可行性研究报告1、认真总结国内外LED绿色照明领域的先进技术和工艺，做到技术先进可靠、方案优化合理，保证长周期稳定、高效益运行。2、企业运营要遵守环境保护法，以期实现经济效益、环境效益和社会效益的统一。3、充分利用某光电公司现有的各种设施和人力资源，以节省投资，提高经济效益。1.2.3可行性

6、研究报告编制的范围本可行性研究报告编制的范围包括：总论、市场分析、建设规模与产品方案、厂址选择、技术方案、设备方案和工程方案、主要原材料和能源供应、节能措施、环境影响评价、劳动安全卫生与消防、组织机构与人员配置、项目实施进度、投资估算、融资方案、财务评价、国民经济评价、社会评价、风险分析以及研究结论与建议。1.3项目提出的背景及建设的必要性1.3.1国家节能、照明产业政策规划和公司发展战略的需要1、国家节能环保战略规划的需要LED作为一种新型的照明技术，具有耗电量少，发光效率高，显色性好，可靠性高，体积小重量轻，节能环保，使

7、用寿命长等优点，被业界认为是未来照明技术的主要发展方向。由于LED是冷光源，半导体照明自身对环境没有任何污染，与白炽灯、荧光灯相比，节电效率可以达到90%以上。在同样亮度下，耗电量仅为普通白炽灯的1/10，荧光灯管的1/2，其节能效益十分可观。-132-LED显示屏/背光源/照明产业化项目可行性研究报告为应对半导体照明产业的发展趋势，日本、美国、韩国和欧盟都将LED产业作为前沿产业或战略性产业给予高度重视，相继出台了各自的国家半导体照明计划，投入巨额资金进行研发。日本通产省在1998年制定了“21世纪光计划”，在1998～2

8、002年投资50亿日元用于开发白光LED照明光源；美国2000年启动“国家半导体照明研究计划”，在2000～2010年耗资5亿美元发展半导体照明产业；2000年7月，欧盟设立“彩虹计划”，通过欧盟补助金委托6个大公司和2个大学推广LED的应用；2002年韩国产业资源部推出“GaN半导体开发