电子镇流器控制芯片ir

电子镇流器控制芯片ir

ID:23306463

大小:365.00 KB

页数:13页

时间:2018-11-06

电子镇流器控制芯片ir_第1页
电子镇流器控制芯片ir_第2页
电子镇流器控制芯片ir_第3页
电子镇流器控制芯片ir_第4页
电子镇流器控制芯片ir_第5页
资源描述:

《电子镇流器控制芯片ir》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、电子镇流器控制芯片IR21561 引言   IR2156是IR公司最新推出的多功能、低成本电子镇流器控制芯片,它由一个高压半桥门极驱动器和一个频率可调振荡器组成。具有预热频率和运行频率可调,预热时间可调,死区时间可调,以及过流门限可调等特性。完善的保护性能,诸如灯管触发失败保护,灯丝故障保护以及自动重启动功能都设计在其中。IR2156具有DIP14及SOIC14两种封装。图1是其内部原理框图。图1 IR2156内部原理框图2 主要电气特性2.1 主要电气特性   主要电气特性见表1。除非另有说明,一般情况下:  

2、 VCC=VBS=VBIAS=14V±0.25V,VVDC=OPEN,RT=39.0kΩ,RPH=100.0kΩ,CT=470pF,VCPH=0.0V,VCS=0.0V,VSD=0.0V,CLO,HO=1000pF,Ta=25℃。表1 主要电气参数注1:该芯片内部VCC与COM之间设有15.6V稳压管,注意该脚不能直接外加电压源。详细参数见IR2156数据表。2.2 推荐工作条件   推荐工作条件见表2。表2 推荐工作条件符号定义最小值最大值单位Vbs高端浮动供电电压VCC-0.7VclampVVs高端浮动供电偏

3、置电压-1600VVCC供电电压Vccuv+VclampVICC供电电流注210mACTCT引脚电容220——pFIsd关断引线电流-11mAIcs电流检测引线电流-11mATj结温-40125℃注2:VCC引线要有足够的电流使内部的15.6V的稳压管能够稳住电压。 3 IR2156管脚排列及功能   器件管脚排列见图2,管脚功能见表3。表3 管脚功能1NC不接2VCC逻辑电路及低端门极驱动供电3VDCIC启动及DC总线检测输入4RT最小频率定时电阻5RPH预热频率定时电阻6CT振荡器定时电容7CPH预热定时电容

4、8COMIC电源及信号地线9SD关断输入10CS电流检测输入11LO低端门极驱动输出12VS高端浮地13HO高端门极驱动输出14VB高端门极驱动浮动供电图2管脚排列4 功能简介4.1 欠压关断(UVLO)模式   欠压关断模式是当供电电压VCC低于IC的开启门限电压时,IC不工作。IR2156的欠压关断模式要求供电电流最小保持在200μA以上,保证IC正常工作并驱动高低端输出。图3为典型的从直流母线馈电和从镇流器输出级充电泵共同为IR2156供电的例子。通过供电电阻(RSUPPLY)的电流一部分作为启动电流流入I

5、C,其余给启动电容(CVCC)充电。电阻应能供应两倍的最大启动电流,以保证镇流器在低电压输入下启动。一旦VCC脚电容电压到达启动门限,且SD脚电压低于4.5V,则IC开始工作,HO,LO振荡。由于IC工作电流增大,电容开始放电见图4。图3 IC启动供电方式图4 CVCC电压   在放电期间,充电泵产生的整流电流给电容充电,使VCC电压高于IC关断门限,充电泵和IC内置15.6V稳压管来提供供电电压。启动电容和缓冲电容要有足够的容量,使供电电流满足镇流器工作需要。自举二极管(DBOOT)和自举电容(CBOOT)提供

6、高端驱动电路的工作电压。为了在HO脚的第一个脉冲前就给高端供电,因此输出驱动的第一个脉冲来自LO脚。在欠压关断状态,高端和低端输出驱动HO和LO都为低电平,CT脚在内部连接到COM使镇流器停止振荡,CPH脚在内部连接到COM使预热时间复位。4.2 预热(PH)模式   图5为预热电路。预热模式工作于灯管灯丝开始加热直至灯丝达到正常的点燃温度,它是延长灯管寿命和降低点燃电压所必需的步骤。当VCC超过UVLO门限时进入预热模式。LO和HO开始以50%占空比的预热频率振荡,死区时间由外部定时电容CT和内部死区时间电阻R

7、DT决定。CPH脚与COM断开,内部5μA电流源给CPH脚外接的预热时间电容充电。CS脚的过流保护在预热期间被屏蔽掉。图5 预热电路   预热频率由并联的电阻RT和RPH,以及定时电容CT决定。CT分别在到达(1/3)VCC和(3/5)VCC电压时充电和放电,RT和RPH并联后内部连接到VCC,通过MOS管S1对CT指数充电(见图1)。CT的充电时间为(1/3)VCC至(3/5)VCC,分别驱动LO和HO。一旦CT电压超过(3/5)VCC,MOS管S1关断,电阻RT和RPH与VCC断开。CT通过内部电阻RDT穿过

8、MOS管S3对COM以指数放电。CT的放电时间为(3/5)VCC到(1/3)VCC,即输出门极驱动LO和HO的死区时间。CT的容量要根据RDT和要求的死区时间来选取。一旦CT放电至低于(1/3)的VCC,MOS管S3关断,RDT与COM断开,MOS管S1导通,RT和RPH连接到VCC。工作频率始终保持在预热频率直到CPH脚电压超过13V,IC进入触发模式。在预热模式期间,

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。