欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:23287770
大小:3.96 MB
页数:14页
时间:2018-11-06
《《attery设计说明》word版》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、BATTERY设计说明1.电池的分类:1.1按装配形式1.分:内置式和外置式B.超声波式.不能翻修,但超声可适当校正胶壳缺陷,尺寸稳定。1.2依据电芯分为:锂离子电池和锂聚合物电池(具体结构见下图)锂离子电池锂聚合物电池2.保护电路简介2.1保护电路基本构成分控制电路、控制开关和保护器三部分:另,部分保护电路还有温度保护、识别功能:2.2线路板简要介绍2.2.1线路板分立元件图2.2.2元器件简介2.2.3元器件简要尺寸2.2.4常见的PACK连接片(金手指)样式2.3单节保护电路工作原理2.3.1应用电
2、路(以理光R5421N系列为例)2.3.2工作状态说明a、正常状态:IC的电源电压介于过放电保护电压VDET2和过充电保护电压VDET1之间,DOUT端和COUT端的输出皆为高电平,充、放电MOSFET处于导通状态,电池充放电都可进行;b、过充电状态:充电时,若电池电压升高使VDD≥VDET1,经过tVDET1的延时后,COUT端变成低电平,将充电控制MOSFET关断,停止充电;c、过充保护解除条件:当VDD降低至过充解除电压VREL1以下(不接负载)或VDD降低至过充电关断电压VDET1以下(加上负载)
3、,即可恢复到可充电状态;d、过放电状态:当电池放电至电压等于或低于VDET2,并经过tVDET2的延时后,DOUT端变成低电平,控制放电控制MOSFET关断,停止电池向负载放电。充电电流仍可通过二极管流通。e、过放保护解除条件:当VDD上升至过放解除电压VREL2以上(不接充电器)或VDD上升至过放电关断电压VDET2以上(接充电器),即可恢复到可放电状态;f、过流保护:在放电时,因负载变化会导致放电电流变化,放电电流增大时V-的电压会升高,当V-≥VDET3,并且经过tVDET3的延时后,DOUT端的输
4、出变为低电平,关断放电回路。解除过流状态后,使V-5、1--过充电检测延时,tVDET2--过放电检测延时,tVDET2--过电流检测延时,V--保护IC的V-脚对VSS脚的压降,VSHORT-短路保护检测电压,tSHORT-短路保护检测延时;2.3.3工作过程说明:1)、充电过程接上充电器,充电电流经P+、保护器对电芯充电,经MOS管、P-回到充电器,随着充电不断进行电芯电压逐步上升。当电芯电压上升到VDET1,保护IC通过VDD、VSS检测到此电压,经过tVDET1的延迟后,COUT端变成低电平,充电MOS管关断,充电截止。注:当VDD电压降低至过充解除6、电压VREL1以下(不接负载)或VDD降低至过充电关断电压VDET1以下(加上负载),即可恢复到可充电状态;2)、放电过程当输出端接上负载,电芯经保护器、P+对负载放电,放电电流经P-、MOS管回到电芯。随着放电不断进行电芯电压逐步下降。当电芯电压下降至VDET2,保护IC检测到此电压,经过tVDET2的延迟后,DOUT端变成低电平,放电MOS管关断,放电截止。注:(1)对无休眠功能的IC:当VDD电压上升至过放解除电压VREL2以上(不接充电器)或VDD电压上升至过放电关断电压VDET2以上(接上充电器7、),即可恢复到可放电状态;(2)对有休眠功能的IC:需接充电器且VDD电压上升至过放电关断电压VDO以上,才可恢复到可放电状态;3)、过电流过程放电过程中负载变化,当负载电流过大,IC的V-端检测的电压达到VDET3时,经过tVDET3的延迟后,DOUT端变成低电平,放电MOS管关断,过电流截止。4)、短路保护过程当P+、P-短路,回路中的电流急剧增加,IC的V-端检测的电压达到VSHORT时,经过tSHORT的延迟后,DOUT端变成低电平,放电MOS管关断,进入短路保护状态。注:当过流、短路解除后电路即8、可恢复正常。5)、应用提示(参考)a、R1和C1用来稳定保护IC供电电压R1的推荐阻值:R1≤1KΩ,R1电阻值的增加会使在R1上造成压降增加,造成检测电压偏高;C1的推荐阻值:C1≤1μF,C1过小短路检测会导致DO发生振荡。b、R2和C2用来稳定V-脚电压R2的推荐阻值:R2≤1KΩ,R2增大会使得过放电后接入充电器后复位的功能不能实现。C2的推荐阻值:C2≤1μF。c、时间常量R1C1和R2C2的关系如下:R1C2≤R2
5、1--过充电检测延时,tVDET2--过放电检测延时,tVDET2--过电流检测延时,V--保护IC的V-脚对VSS脚的压降,VSHORT-短路保护检测电压,tSHORT-短路保护检测延时;2.3.3工作过程说明:1)、充电过程接上充电器,充电电流经P+、保护器对电芯充电,经MOS管、P-回到充电器,随着充电不断进行电芯电压逐步上升。当电芯电压上升到VDET1,保护IC通过VDD、VSS检测到此电压,经过tVDET1的延迟后,COUT端变成低电平,充电MOS管关断,充电截止。注:当VDD电压降低至过充解除
6、电压VREL1以下(不接负载)或VDD降低至过充电关断电压VDET1以下(加上负载),即可恢复到可充电状态;2)、放电过程当输出端接上负载,电芯经保护器、P+对负载放电,放电电流经P-、MOS管回到电芯。随着放电不断进行电芯电压逐步下降。当电芯电压下降至VDET2,保护IC检测到此电压,经过tVDET2的延迟后,DOUT端变成低电平,放电MOS管关断,放电截止。注:(1)对无休眠功能的IC:当VDD电压上升至过放解除电压VREL2以上(不接充电器)或VDD电压上升至过放电关断电压VDET2以上(接上充电器
7、),即可恢复到可放电状态;(2)对有休眠功能的IC:需接充电器且VDD电压上升至过放电关断电压VDO以上,才可恢复到可放电状态;3)、过电流过程放电过程中负载变化,当负载电流过大,IC的V-端检测的电压达到VDET3时,经过tVDET3的延迟后,DOUT端变成低电平,放电MOS管关断,过电流截止。4)、短路保护过程当P+、P-短路,回路中的电流急剧增加,IC的V-端检测的电压达到VSHORT时,经过tSHORT的延迟后,DOUT端变成低电平,放电MOS管关断,进入短路保护状态。注:当过流、短路解除后电路即
8、可恢复正常。5)、应用提示(参考)a、R1和C1用来稳定保护IC供电电压R1的推荐阻值:R1≤1KΩ,R1电阻值的增加会使在R1上造成压降增加,造成检测电压偏高;C1的推荐阻值:C1≤1μF,C1过小短路检测会导致DO发生振荡。b、R2和C2用来稳定V-脚电压R2的推荐阻值:R2≤1KΩ,R2增大会使得过放电后接入充电器后复位的功能不能实现。C2的推荐阻值:C2≤1μF。c、时间常量R1C1和R2C2的关系如下:R1C2≤R2
此文档下载收益归作者所有