模拟电路半导体器

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1、第1章自测题、习题解答自测题1一、选择题A.增大B.减小C.不变解：1、C2、A3、C4、A5、B二、判断题解：1、×2、×3、×4、×5、√6、×三、二极管电路如图T1－3所示，写出各电路的输出电压值。设uD=0.7V。(a)(b)(c)(d)(e)(f)图T1－3解：(a)二极管截止，故uo1=0V（b）二极管导通，故uo2=5－0.7=4.3V(c)二极管导通，故uo3=3＋0.7=3.7V(d)二极管截止，故uo4=5V(e)二极管导通，故uo5=0.7－3=－2.3V(f)二极管截止，故uo6=－3V四、稳压二极管电路如图T1－4所示，已知DZ

2、1、DZ2的稳定电压分别为UZ1=5V，UZ2=8V，试求输出电压UO1，UO2。(a)(b)图T1－4解：（a）uo1=15－UZ1－UZ2＝2V（b）DZ2两端的电压小于其反向击穿电压8V，故DZ2截止，uo2=0V五、电路如图T1－5所示，设UCC=10V，b=100，UBE=0.7V，UCES=0V试问：1.RB=100KΩ，UBB=3V时，IC=？解：2.UBB=2V时，UO=5V时，RB=？解：习题1(a)(b)图P1－11。1电路如图P1－1所示，设电路中的二极管为理想二极管，试求各电路中的输出电压UAB。解：（a）D1截止，D2导通，故u

3、AB=6V（b）D1导通，D2截止，故uAB=-10V1．2电路如图P1－2所示，设二极管正向导通电压为0V，反向电阻为无穷大，输入电压为ui=10sinωtV，E=5V，试分别画出输出电压uO的波形。(a)(b)图P1－2解：（a）当时，二极管导通，；当时，二极管截止，（b）当时，二极管截止，；当时，二极管导通，1．3选择填空解：（1）CA（2）B（3）A（4）C（5）A（6）B（7）B（8）C1．4两只硅稳压二极管的正向电压均为0.5伏，稳定电压分别为UZ1=6V，UZ2=8V，若与一电阻串联后接入直流电源中，当考虑稳压管正负极性的不同组合时，可获得

4、哪几种较稳定的电压值。解：两个稳压管组合可以有14V,6.5V,8.5V,1V四种输出电压1．5图P1－5所示为半导体二极管正向伏安特性的近似曲线，试画出由恒压源U，电阻rd和理想二极管D组成的该二极管正向工作的电路模型，并写出U及rd的表达式。图P1－5解：等效电路图如下：uD=Uon+iDrDrD=(uD-Uon)/iD1．6解：电路如图P1－6所示，其中R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定压UZ1、UZ2分别为5V、10V，正向压降为0.6V，不计稳压管的动态电阻和耗散功率，试求各电路输出电压。(a)(b)(c)(d)图P1－6解：（a）DZ1

5、反向击穿，DZ2截止，故uo1=5V（b）DZ1正偏，DZ2截止，故uo2=0.6V（c）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo3=0V（d）DZ1反向击穿，DZ2反向击穿，故uo4=5V1．7电路如图P1－7所示，已知稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，稳定电流的最小值Izmin=5mA，最大值Izmax=20mA，(1)当Ui=8V时，求R的范围；(2)当R=1KΩ时，求Ui的范围。解：（1）（2）1．8在如图P1－8所示电路中，R=400W，已知稳压管DZ的稳定电压UZ=10V，最小电流Izmin=5mA，最大管耗为PZM=150mW。(1)当Ui=20V

6、时，求RL的最小值；(2)当Ui=26V时，求RL的最大值；若RL=∞时，则将会产生什么现象?解：（1）当RL最小时，通过稳压管的电流为IZmin＝5mA（2）稳压管可以通过的最大电流为：此时，若，将会烧毁稳压管1．9电路如图P1－9所示,设二极管为理想二极管。根据以下条件，求二极管中的电流和Y的电位。（1）当VA=VB=5V时解：D1、D2的电流为（2）当VA=10V，VB=0V时解：此时D1导通，D2截止。（3）当VA=6V，VB=5.8V时解：假如D2截止，则，故D2应该导通解得：图P1－7图P1－8图P1－91．10已知三极管的输出特性曲线如图P

7、1－10所示，试求图中的IC=6mA，UCE=6V时，电流的放大系数。图P1－10解：从图中得知：当IC＝6mA时，IB＝0.06mA1．11已知处于放大状态的晶体管的三个电极对公共参考点的电压为U1、U2、U3，如图P1－11所示，试分别判断它们是NPN型或PNP型？是硅管还是锗管？并标出三个电极的符号。图P1－11解：（1）NPN型硅管U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压（2）NPN型锗管U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压（3）PNP型硅管U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压（4）PNP型锗管U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压1．

8、12已测得三极管的各极电位如图P1－12所示，试判别它们各处于放大、饱和与截止中