变压器漏感分析

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1、首先我们要感谢小鹏同学，能促成此次活动小鹏同学辛苦了。原创：我们不是科学家只是使用者我对此的理解为学习的资料系统化活学活用，实践整理为自己的东西能把不明白的人讲明白的东西（这里说句题外话会做的工程师是死记硬搬了别人东西那么你只能是同等级下最低的那个工程师，会做能把不会的人说明白了，是你把别人的东西活学活用转换成了自己的东西徒弟多了人际也就打开了，我经常跟我教过的人说我教你的东丙你要实践对比验证，知道是别人的，做了才是你自己的），所以不需要查字典对原创二字解释，对你自己理解有帮助就好，当然照篇翻的肯定是不行的，当然有些太深奥的东西不要去

2、深究我们是使用者理解就好，当然透彻的研究更好，但是我们不是专业科研人员只是使用者所以我们不会有太多的时间研究我们所用到的各种知识。我这就是犯病了非得研宄漏感还整到这个点。就像上面说的我们是使用者注重的是理解，会有错误的地方，有能帮我纠正想法的十分感谢，辉哥对磁这一块我比较佩服，辉哥指点指点。大家都知道减小漏感的方法我们来研宄一下为什么会减小。设计上：减小初级绕组的匝数NP;增大绕组的宽度（例如选EE型磁芯，以增加骨架宽度b）;减小各绕组之间的绝缘层；增加绕组之间的耦合程度。工艺上：每一组绕组都要绕紧，并且要分布平均引出线的地方要中规中

3、矩，尽量成直角，紧贴骨架壁不能绕满一层的要平均疏绕满一层1、漏感是什么，通俗的大家都理解没存耦合到副边的磁通（能量）我翻阅了基本资料，说法都不同，个人更喜欢用下图理解Np导线流过I就会产生一个磁场，这个磁场穿过相邻的导线Ns就会在Ns上感应一个电压抵消外界磁场的作用，此感应电流同样作用在Ns上，NpNs电流方向相反，根据右手定律磁场方向也相反，Ns的磁场阻值下图d2部分的磁通二次穿过Ns。下图d2面积中的磁通能量为漏感。磁芯截面积S=JTr2Np截面积Sp=JIrl2Ns截面积Ss=hr22典.即不能耦合的那部分磁通，等效为一个单独的

4、电感，即漏感。不能再写了2点半了，明天继续吧。N为初级匝数，h绕线宽度，d为两线圈间隙高度，g两线圈间的平均周长C=2nr。这里的周长我理解为r=(r2-rl)/2我们从上式公式去入手看怎么减小漏感。1、减少初级匝数可以降低漏感。我们代入上述公式，N减小Ls减小。2、增加绕线宽度，代入上述公式h增大Ls减小。3、减小绝缘厚度，代入上述公式d减小Ls减小。4、减小绕组层数，代入上述公式g减小Ls减小。5、不满层的绕组选择疏绕满层，代入上述公式，h减小Ls减小。6、绕组绕紧且分布均匀，同样是为了减小g来减小Ls。7、减小气息降低漏感的方法

5、简单理解一下就好，各说纷纭没有一个标准，也不实用对我们来说是计算LpNp气隙那就固定了没必要在这上面去做文章。8、增加耦合减小漏感，也就是我们说的三明治绕法，这要推导出漏三明治绕法，Npl、Np2对N2的磁场方向是相反的不叠加，Npl的磁场强度H=Npl匝数*I/le相对于顺序绕法H要减小1/2代入漏磁通能量计算W是减小的，Ls=2W/（I平方），同样W减小Ls减小。我们再讲讲漏感对开关电源的影响：先上一个Vds波形ReadyIMM5JXI讲inMPo$:-iOOOjwMEASURECH4502,7kHzCH4峰-峰值704VCH1关

6、闭⑽关闭CH4/628VinuvVds即为MOS关短漏极源极之间的电压。A区：桥堆整流后个电压Vacmax*l.414B区：Vor反射电压，又称去磁电压，横线部分为关断时间又称去磁吋间。C区：就是我们所说的漏感了，在开关管关短漏感不能耦合到副边产生一个反电动势造成电压尖峰。影响：1、漏感大C区的电压高，造成MOS耐压选取要高增加成本。2、漏感顾名思义不能耦合到付边的能量造成转换效率的降低，也就是降低了我们电源的效率，目前有北美能源之星欧盟的CE都对效率有要求。3、EMC整改中有一条办法，改变RCD的参数，EMC辐射干扰，辐射就是因为电

7、压电流的跳变产生的利用RCD吸收回路降低这个尖峰有效的抑制EMCo峰值与去磁那一段有一个震荡为漏感和变压器结电容产生，目前会影响什么还没有碰到过。我写这帖子的目的是为了让大家发现漏感大了不必要去问别人上网查询那些东西是死的，而是通过自己对漏感的理解去降低，每一个元件每一块的知识只是招数，而不是教你套路，活学活用，见招拆招，找到自己的套路你才能成功，有新的理解再补充大家也可以补充，活动的0的就是提高我们水平。