半导体二极管(2)

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1、112半导体二极管2.1半导体的基本知识根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。半导体的电阻率为10-3～10-9W·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。2.1.1本征半导体及其导电性本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。(1)本征半导体的共价键结构硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的

2、晶体。这种结构的立体和平面示意图见图2-2。(a)硅晶体的空间排列(b)共价键结构平面示意图图2-1硅原子空间排列及共价键结构平面示意图(2)电子空穴对当导体处于热力学温度0K11时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的

3、部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图2-2所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。图2-2本征激发和复合的过程（动画1-1）(3)空穴的移动自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。图2-3空穴在晶格中的移动(动画1-2)2.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。11(1)N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成N

4、型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图2-4所示。图2-4N型半导体的结构示意图(2)P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一空穴

5、。P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。P型半导体的结构示意图如图2-5所示。11图2-5P型半导体的结构示意图2.1.3杂质对半导体导电性的影响掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度为:n=p=1.4×1010/cm3本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm3掺杂后，N型半导体中的自由电子浓度为：n=5×1016/cm32.2PN结2.2.1PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同

6、的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差¯多子的扩散运动®由杂质离子形成空间电荷区↓空间电荷区形成形成内电场↓↓内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。PN结形成的过程可参阅图2-6。图2-6PN结的形成过程（动画1-3）112.2.2PN结的单向导电性PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电

7、流小。如果外加电压使：PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏；PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。(1)PN结加正向电压时的导电情况PN结加正向电压时的导电情况如图2-7所示。外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。图2-7PN结加正向电压时的导电情况(动画1-4)(2)PN结加反向电压时的导电情况PN结加反向电压时的导电情况如图2-8所示。外加的反向电压有一部分降落在PN结

8、区，方向与