透明导电薄膜材料设计方案

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1、透明导电薄膜材料设计方案（参考文献：概述编辑透明导电薄膜足一种既能导电乂在可见光范围内具宥高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、岛分子膜系、S合膜系等。金属膜系导电性能好，但足透明率差。半导体薄膜系列刚好相反，导电性差，透明率高。当前研究和应用最为广泛的足金属膜系和氧化物膜系。透明导电薄膜主要川于光电器件（如LED，薄膜太阳能电池等）的窗U材料。常见的透明导电薄膜为ITO（锡掺杂三氧化钢）、AZO（铝掺杂氧化锌）等，它们的禁带宽度大，只吸收紫外光，不吸收可见光，因此称之为

2、“透明”。最近研究编辑敁近几年米国內外的研究者分别在低温制备的设备、工艺、薄膜的表側改性、多层膜系的设计和制备工艺方IW进行了深入的研究。例如，WuWen-Fa等利川R.F磁控溅射工艺在不加热的聚碳酸酯（PC）衬底h制备丫厚度为250mm,电阻率为6x~2（Qcm）,透过率为74%〜90%;ParkSungKyu等利川R.F磁控溅射工艺在低温聚合物PES上制备了HOnmlTO,方块电阻是200/口,透过率80%，但是表面的粗糙度较大;法国的David等，利用In-Sn合金靶迕1OO'C下沉积在聚合

3、物上.的ITO薄膜透过率为85%，电阻率为~0.003Q.cm，表面粗糙度为15-50,美国的Daeil.KIM用直接金属离子束沉积（DM旧D）方法在70°C的条件卜‘制备的ITO薄膜最商透过率为85%，最低电阻率为4xf?Cm，表面质景比较高；此外还奋一些研究人员利川脉沖激光沉积（PLD）,电子束热蒸发和金属离子辅助溅射等方法在低温其至在室温的条件下进行高质量槊基的薄胶制备。国内概述编辑透明导电薄膜是一种既能录电乂在可见光范围A再有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、

4、高分子膜系、复合膜系等。金属膜系导电性能好，似是透明率差。半导体薄膜系列刚好相反，导电性差，透明率高。当前研究和应用最为广泛的是金属膜系和氧化物膜系。透明导电薄膜主要用于光电器件（如LED，薄膜人阳能电池等）的窗口材料。常见的透明导电薄膜为ITO（锡掺杂三氧化钢）、AZO（铝掺杂氧化锌）等，它们的禁带宽度大，只吸收紫外光，不吸收可见光，因此称之为‘‘透明”。最近研究编辑最近儿年来H内外的研究者分别在低温制备的设备、工艺、薄膜的表面改性、多层膜系的设计和制备工艺方面进行了深入的研究。例如，WuWen

5、Ta等利川R.F磁控溅射工艺在不加热的聚碳酸酯（PC）衬底上制备了厚度为250mm,电肌率为6x〜2（Q-cm）,透过率为74%-90%；ParkSungKyu等利川R.F磁控溅射工艺在低温聚合物PES上制备了HOnmlTO,方块电附足200/口，透过率80%,似足农面的粗糙度较人；法国的David等，利川In-Sn合金靶在10CTC卜‘沉积在聚合物上的ITO薄膜透过率为85%,电阻率为-0.003Q-cm,表面粗糙度为15-50,美国的Daeil.KIM用直接金属离子束沉积（DM旧D）方法在70

6、°C的条件下制备的ITO薄膜最高透过率为85%，最低电阯率为4xf>cm，表面质量比较高；此外还有一些研究人员利用脉冲激光沉积（PLD）,电子束热蒸发和金域离子辅助溅射等方法在低温甚至在室温的条件卜进行高质M塑基的薄膜制备。国内的贾永新在150°C蕪板条件下制备川了透过率为80%左XMTO薄膜，但没有见屯阻和表面特性的报道：近年来李育峰等利用微波等离子体辅助方法在120°C的基片上沉积的薄膜透过率人于85%，似方块电附人于1000/口，表面特性没奋报道；马琐等在塑料衬底上在80°C-100°C的条

7、件卜制备出了透过率大于84%，电肌率-0.001量级的薄膜。综上所述，国内在低温尤其常温K制备ITO薄膜方面研究还不够充分、不够全面；并且研究制备方法也比较单一，与国外有比较人的差距。近年來国外尤其R本和韩国分别在低温沉积技术、薄膜牛长机现和薄膜表面改性方面进行Y深入的研究，在保证不对薄膜衬底产生破坏的情况不，在低温其至室温的条件K制备出了薄膜电附率低于5xQcm,透过率人于85%，表而的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。的贾永新在150°C基板条件卜‘制备出了透过率为80%左右ITO薄膜，似没有见电

8、肌和表面特性的报道；近年来李育峰等利用微波等离子体辅助方法在12CTC的基片上沉积的薄膜透过率大于85%，但方块电阻大干1000/口，表面特性没有报道；马瑾等在塑料衬底上在80°C-100°C的条件卜制备出了透过率大于84%，电肌率~0.001M级的薄膜。综上所述，国内在低温尤其常温下制备ITO薄膜方面研究还不够充分、不够伞面：并「1.研究制备方法也比较单一，勾闽外有比较大的差距。近年来M外尤其日本和韩国分别在低温沉积技术、薄膜生长机理和薄膜表面改性方面进行Y深入的研究，在保证不对