《电池入门》word版

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1、电池入门篇单晶硅电池片的生产流程主要也就是清洗制绒——扩散——刻蚀——去PSG——PECVD——印刷烧结——测试分选，刚开始记起来我也很没有概念，去了几次车间，就比较牢固的印在脑子里了。所以建议有条件的朋友能进车间看看，有个直观印象，我想会更好些。摘要：初识光伏篇中丫丫带领我们学习了太阳能行业的相关背景知识和晶体硅太阳能电池的工作原理，本篇我们将继续跟随丫丫的脚步，探秘晶体硅太阳能电池的实际生产过程。一、基本概念1、制绒制绒，是指处理硅片的一种工艺方法，利用硅的各向异性腐蚀特性，使用腐蚀液在硅片表面刻出类似于金字塔或者是蜂

2、窝状的结构。制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。2、掺杂掺杂就是使杂质进入晶片内部，并在晶片中的某区域以一定浓度分布，从而改变器件的电学性能，掺入的杂质可以是IIIA族和VA族的元素。利用掺杂技术，可以制作PN结、欧姆接触区以及电阻等各种器件。常用的掺杂技术有扩散和离子注入两种。3、PN结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，又称PN结。PN结具有单向导电性。4、等离子体刻蚀等离子体刻

3、蚀（也称干法刻蚀）是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅级（Gate）大小的控制，以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。刻蚀的工艺水平直接影响最终产品质量及生产技术的先进性。5、PSGPSG（PhosphoSilicateGlass）是磷硅玻璃的意思，在太阳能电池片的扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG，必须去除。二、晶体硅太阳能电池片的生产工艺与设备生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝

4、网印刷、快速烧结和检测分装等主要步骤。电池片生产工艺流程下面依序介绍晶硅太阳能电池片生产的各项工艺与设备。1、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。目前通用的硅片检测设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测，同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅

5、片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。2、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多

6、晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。3、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光

7、能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于百分之十，少子寿命可

8、大于10ms。管式扩散炉制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。4、去PSG去PS工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，是通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶