《极管电参数》word版

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1、电参数型号VF(V)IF(mA)VRM(V)VB(V)trr(ns)CO(pf)TJM(℃)PCM（mW）外形部标SJ206-782AK7<=1>=10  30 50<=150<=27550EA-32AK9<=1>=10  40 60<=150<=27550EA-32AK10<=1>=10  50 70<=150<=27550EA-32AK15<=1  >=3 1240<=150<=27550EA-32AK16<=1 >=3  124030～80<=27550EA-32AK17<=1>=10  

2、 1245<=120<=27550EA-3测试条件IF-30mA VF=0.45VVF=0.35VVF=0.32V Ta=25℃IR=20μATa=55℃IR=20ΜaTa=25℃IR=20μA①IR=50μAIF=IR=10mA V=0v   试验类别 JSSJCLXLXCC  注：①Tn=25℃时IR值仅作环境试验之前后考核之用 VF(V)VRM(V)IOM(mA)VB(V)trr(ns)CO(pf)TiM(℃)外形部标206-782AK1<=1   10  150 30200<=375EA

3、-32AK2<=1   20  150 40200<=375EA-32AK3 <=0.9   30 200 50150<=275EA-32AK5 <=0.9   40 200 60150<=275EA-32AK6 <=0.9   50 200 70150<=275EA-32AK11  <=0.7  30  25050150<=275EA-32AK13  <=0.7  40  25060150<=275EA-32AK14  <=0.7  50  25070150<=275EA-32AK18   <

4、=0.65  30 25050100<=275EA-32AK19   <=0.65  40 25060100<=275EA-32AK20   <=0.65  50 25070100<=275EA-3测试条件IF=100mATa=25℃ IR=30μATa=25℃ IR=200ΜaTa=25℃① IR<=5μAΓa=55℃IR<=20μA脉冲宽度1mS占空比1：1VF-1VVF-0.8VIR-100μAIF-IR-10μAV-0V  试验类别JSSJLXLXLXLXC  附录l 参数符号说明   

5、(1)Ib正向电流—一锗开关二极管加规定的正向电压时在极间通过的电流．   (2)Vp正向电压降——锗开关=极管通过规定的正向电流时在极间所产生的电压降．   (3)IR反向电流——锗开关二极管在测反向特性时，给定的反向电流．   (4)VRM最高反向工作电压——一般等于或小于三分之二的锗开关二极管的击穿电压值(VB)．   (5)V击穿电压（峰值）——锗开关二极管在给定的反向电流下的电压值．   (6)IOM最大正向电流——在规定条件下，锗开关二极管能承受的最火正向瞬时电流．   (7)trt

6、反向恢复时间——锗开关二极管在规定的条件下，由导通状态急骤转变到截止状态，从输出脉冲下降到零线开始到反向电流恢复到最大反向电流的10%所需要的时间．   (8)Co零偏压电容——在零偏压下，锗开关二极管的总电容．   (9)ToM额定结温(℃)——锗开关二极管在规定使用条件下所允许的最高结温．附录2折旧型号参考对照表   本标准的新型号大部份沿用了原型号，但对接近或重复的品种傲了部份删减，现对照如下：                新型号原型号2AK12AK12AK012AK22AK22AK32

7、AK32AK022AK52AK42AK52AK62AK62AK72AK72AK2A2AK2B2AK2C2AK2E2AK052AK92AK032AK062AK82AK92AK2F2AK102AK2D2AK042AK072AK102AK2G部分常用二极管参数　　05Z6.2Y硅稳压二极管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,　　05Z7.5Y硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,　　05Z13X硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,　　05Z15Y硅稳

8、压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,　　05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,　　1N4001硅整流二极管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)　　1N4002硅整流二极管100V,1A,　　1N4003硅整流二极管200V,1A,　　1N4004硅整流二极管400V,1A,　　1N4005硅整流二极管600V,1A,　　1N4006硅整流二极管800V,1A,　　1N4007硅整流二极管1000V,1A,　　1N4