电力电子技术复习提纲

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1、《电力电子技术》复习提纲期末考试：总成绩分配比例：平时10%+实验20%+期末70%题型：填空、简答、计算、分析题(1308、1309)第一章绪论本章要点：1、电力电子技术概念。2、电力变换的种类。1电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。2电力变换的种类：(1)交流变直流AC-DC:整流(2)直流变交流DC-AC:逆变(3)直流变直流DC-DC:—般通过直流斩波电路实现(4)交流变交流AC-AC:—般称作交流电力控制3电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技

2、术和变流技术4.电力电子技术的诞生1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管，1904年出现电子管，1947年美国著名W尔实验室发明了晶体管。5电子技术分为信息电子技术与电力电子技术。信息电子技术主要用于信息处理，电力电子技术主要用于电力变换。第2章电力电子器件本章要点：1、电力电子器件的分类。2、晶闸管的基本特性和主要参数(额定电流和额定电压的确定)。3、全控型器件的电气符号。复习参考：P422、3、41、电力电子器件一般工作在开关状态。2、通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要

3、为幵关损耗。3、电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。4、按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。5、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。6、属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET,属于双极型器件的有电力

4、二极管、晶闸管、GTO、GTR，属于复合型电力电子器件得有IGBT:在可控的器件中，容量最大的是晶闸管，工作频率®高的是电力MOSFET。7、电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反向电压截止。8、晶闸管的基本工作特性可概括为：承受正向电压且门极有触发电流则导通、反向电压则截止。9、IGBT的开启电压Uge（th）随温度升高而略有下降，幵关速度小于电力MOSFET。10、使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向PII极电压，并在门极施加触发电流。11、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶

5、闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。12、晶闸管通态平均电流It（av）与晶闸管实际承担电流的有效值之比为1:1.57。第3章整流电路本章要点：1、单相桥式全控整流电路（带电阻、阻感、反电动势负载）：主电路结构、工作原理、汉移相范围、波形、参数计算、器件选型。2、三相半波可控整流电路（带电阻、阻感负载）：同上。3＞三相桥

6、式全控整流电路（带电阻、阻感负载）：同上。4、变压器漏感对整流电路的影响（换相重叠角y对Ud的影响）。5、整流电路有源逆变的定义、产生条件、失败原因。复习参考:P50例3-1、P953、5、11、13、26、29、301、电阻负载的特点是电压和电流成正比且波形相同。2、阻感负载的特点是流过电感的电流不能突变。3、单相桥式全控整流电路中：带纯电阻负载吋，（X角移相范围为0〜180q，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为#2/2和带阻感负载吋，a角移相范围为0〜90Q,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为^（/2

7、和#2;带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。4、三相半波可控整流：带电阻性负载电路时，晶闸管所承受的最大正向电压等于#2,晶闸管控制角a的S大移相范围是0〜150°,使负载电流连续的条件为（U2为相电压有效值）；带阻感负载时，移相范围为0〜90°05、三朴I半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差12O0。6、三相桥式全控整流电路带电阻负载时，电路移相范围是0〜120°,使Ud波形连续的条件是汉€60°。7、电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路屮，空载时，

8、输出电压力#2,随负载加重Ud逐渐趋近于0.9U2,通常设计时，应取RC2（1.5-2.5）T，此时输出电压为Ud=1.2U2（U2为相电压有效值，T为交流电源的周期）。8、逆变电路屮，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变。9、在整流电路屮，能够实现有源逆